A-V junctionとは 意味・読み方・使い方

A group III-V nitride thin-film solar cell element performing photoelectric conversion of light with further short wavelengths is installed at a pre-stage of a multi-junction solar cell element.例文帳に追加

より短波長の光電変換を行うＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜太陽電池素子を、多接合型太陽電池素子の前段に設置する。 - 特許庁

A nitride semiconductor solar cell includes: a first semiconductor layer 102 comprising a III-V nitride semiconductor and including a first pn junction; and a second semiconductor layer 104 comprising a III-V nitride semiconductor and including a second pn junction different in bandgap from the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 21 is provided between the junction region 17 and the dielectric DBR 19.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層２１は接合領域１７と誘電体ＤＢＲ１９との間に設けられる。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor junction layer which forms a p-n junction is provided in the area immediately below the pedestal electrode and ohmic electrodes are dispersedly arranged in the open light emitting area.例文帳に追加

台座電極の直下の領域にｐｎ接合を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体接合層を設置し、且つ、開放発光領域にオーミック性電極を分散させて敷設する。 - 特許庁

Power supply voltage V is dropped by the forward voltage drop Vf(d_1) of the junction diode 3 in order to acquire forward voltage drop Vf(d_2) on the basis of a current value If flowing from the power supply voltage V to the LED 2.例文帳に追加

電源電圧ＶからＬＥＤ２に流す電流値Ｉｆに基づく順方向電圧降下Ｖｆ（ｄ_２）を得るために、接合型ダイオード３の順方向電圧降下Ｖｆ（ｄ_１）でもって電源電圧Ｖを降下させる。 - 特許庁

In a GaP based light emitting diode, a first III-V compound layer containing boron is provided in the projection area of a surface electrode in junction with one compositional layer of light emitting part, and a second III-V compound layer containing boron is provided in junction with the first III-V compound layer containing boron.例文帳に追加

ＧａＰ系発光ダイオードに於いて、表面電極の射影領域に、発光部の一構成層に接合して、第１の含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が設けられ、第１の含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に接合して、第２の含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が備えられている。 - 特許庁

The arithmetic calculation part 21 refers to a junction temperature conversion table stored in a conversion table storage part 20 according to the voltage for measurement V from the arithmetic calculation part 15 and a driving current I from a driving current detection part 19, and calculates the junction temperature of the light source (LED).例文帳に追加

ジャンクション温度演算部２１は、演算部１５からの計測用電圧Ｖ、および駆動電流検出部１９からの駆動電流Ｉに従って、換算表記憶部２０に記憶されている、ジャンクション温度換算テーブルを参照し、光源（ＬＥＤ）のジャンクション温度を算出する。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁