germanium; Geの英語

A negative electrode active material layer is formed by making tin (Sn) or germanium (Ge) deposited on the rolled foil.例文帳に追加

上記圧延箔上に、錫（Ｓｎ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）を堆積させることにより負極活物質層を形成する。 - 特許庁

To provide a back electrode type photoelectric conversion element which obtains an electric power from long wavelength light which can not be absorbed by Ge (germanium).例文帳に追加

Ｇｅでは吸収することができない長波長光からも電力を得ることを可能とした裏面電極型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Preferably, the oxide sintered compact contains germanium at an atomic ratio Ge/In of 0.01-0.17.例文帳に追加

酸化物焼結体中のゲルマニウムの含有量は、Ｇｅ／Ｉｎ原子比で０．０１以上０．１７以下であることが好ましい。 - 特許庁

Further, the content of germanium is preferably controlled to 0.02 to 0.09 by a Ge/In atomic ratio.例文帳に追加

さらに、好ましくはゲルマニウムの含有量がＧｅ／Ｉｎ原子比で０．０２以上０．０９以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A Pt thin film 12 is formed on a germanium (Ge) substrate 11, and an Ni thin film 13 is formed above the Pt thin film 12.例文帳に追加

ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１１上に、Ｐｔ薄膜１２が形成され、さらにＰｔ薄膜１２の上方にＮｉ薄膜１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a Ge semiconductor region and an insulating film region which directly contacts with the Ge semiconductor region and contains a metal, germanium, and oxygen.例文帳に追加

Ｇｅ半導体領域と、前記Ｇｅ半導体領域に直接接して形成され、金属、ゲルマニウムおよび酸素を含有する絶縁膜領域とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

Control of a refractive index is performed by electromagnetic irradiation on the germanium containing photosensitive resin having Ge-Ge bond as the main chain and on a composition of such resin and a general purpose resin.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇｅ結合を主鎖とするゲルマニウム含有感光性樹脂、および、そのゲルマニウム含有感光性樹脂と汎用樹脂との組成物への電磁波照射により、屈折率の制御を行う。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁