「germanium; Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In some embodiments, nitriding of the germanium substrate forms a Ge_xN_y layer which functions as a barrier layer.例文帳に追加

特定の実施形態において、ゲルマニウム基板の窒化が、バリア層として機能するＧｅ_ｘＮ_ｙ層を形成する。 - 特許庁

Either or both of germanium Ge and niobium Nb are added to Sn-Zn based lead-free solder.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｚｎ系無鉛はんだに、ゲルマニウムＧｅまたはニオブＮｂの何れかの金属または双方を添加する。 - 特許庁

A negative electrode active material layer is formed by making tin (Sn) or germanium (Ge) deposited on the rolled foil.例文帳に追加

上記圧延箔上に、錫（Ｓｎ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）を堆積させることにより負極活物質層を形成する。 - 特許庁

To provide a back electrode type photoelectric conversion element which obtains an electric power from long wavelength light which can not be absorbed by Ge (germanium).例文帳に追加

Ｇｅでは吸収することができない長波長光からも電力を得ることを可能とした裏面電極型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Preferably, the oxide sintered compact contains germanium at an atomic ratio Ge/In of 0.01-0.17.例文帳に追加

酸化物焼結体中のゲルマニウムの含有量は、Ｇｅ／Ｉｎ原子比で０．０１以上０．１７以下であることが好ましい。 - 特許庁

Further, the content of germanium is preferably controlled to 0.02 to 0.09 by a Ge/In atomic ratio.例文帳に追加

さらに、好ましくはゲルマニウムの含有量がＧｅ／Ｉｎ原子比で０．０２以上０．０９以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A Pt thin film 12 is formed on a germanium (Ge) substrate 11, and an Ni thin film 13 is formed above the Pt thin film 12.例文帳に追加

ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１１上に、Ｐｔ薄膜１２が形成され、さらにＰｔ薄膜１２の上方にＮｉ薄膜１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a Ge semiconductor region and an insulating film region which directly contacts with the Ge semiconductor region and contains a metal, germanium, and oxygen.例文帳に追加

Ｇｅ半導体領域と、前記Ｇｅ半導体領域に直接接して形成され、金属、ゲルマニウムおよび酸素を含有する絶縁膜領域とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

Control of a refractive index is performed by electromagnetic irradiation on the germanium containing photosensitive resin having Ge-Ge bond as the main chain and on a composition of such resin and a general purpose resin.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇｅ結合を主鎖とするゲルマニウム含有感光性樹脂、および、そのゲルマニウム含有感光性樹脂と汎用樹脂との組成物への電磁波照射により、屈折率の制御を行う。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

In a memory cell 400, silver selenide 406 and a chalcogenide glass 404 such as germanium selenide (Ge_XSe_(1-x)) are combined in an active layer to support the formation of conductive pathways in the presence of an electric potential applied between electrodes 402, 410.例文帳に追加

メモリセル400では、セレン化ゲルマニウム（Ge_XSe_(1-x)）のようなセレン化銀406とカルコゲニド・ガラス404とが、アクティブ層に混合されて、電極402,410間に加えられた電位の存在によって、導電性経路の形成を維持する。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁

A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.例文帳に追加

セルトランジスタＴｒの拡散層１５およびトレンチキャパシタＣの第３の導電層１１の間に介在するように、セルトランジスタＴｒの拡散層１５側にＧｅの導入部１４を形成する。 - 特許庁

Digallium monoxide is brought into reaction with ammonia (NH_3)-containing gas in the presence of the germanium monoxide gas, so as to produce germanium (Ge)-doped gallium nitride (GaN) crystals.例文帳に追加

一酸化ゲルマニウムガスの存在下に、一酸化二ガリウムをアンモニア（ＮＨ_3 ）含有ガスと反応させることで、ゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶を生成する。 - 特許庁

On the negative electrode collector, a thin-film-like negative electrode active material layer containing germanium (Ge) as a main constituent is formed by a spattering method, or a negative electrode active material layer comprising powder containing germanium as a main constituent is formed.例文帳に追加

そして、負極集電体上に、スパッタ法によりゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分として含む薄膜状の負極活物質層、またはゲルマニウムを主成分として含む粉体からなる負極活物質層を形成する。 - 特許庁

When the Ge-doped compound semiconductor such as a Ge-doped GAN layer 4 is formed on an AIN high-temperature buffer layer 2 and an undoped GAN base layer 3 which are stacked on a sapphire substrate 1, an organic germanium compound is used as an impurity source which contains at least one selected from a group composed of tetramethylgermanium and tetraethylgermanium as the additional source of germanium.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡＩＮ高温緩衝層２，アンドープＧＡＮ下地層３とを積層した上にたとえばＧｅドープＧＡＮ層４のようなＧｅドープ化合物半導体を形成する際に、ゲルマニウム添加源としてテトラメチルゲルマニウムおよびテトラエチルゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む有機ゲルマニウム化合物を不純物源として用いる。 - 特許庁

When a polycrystalline silicon film is formed on a glass substrate 1, a polycrystalline silicon film is formed by a catalytic CVD method by using compound comprising at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) as impurity source as raw materials and an impurity added polycrystalline silicon film 2 formed by adding at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上に多結晶シリコンを成膜するにあたり、不純物源として錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種を含む化合物を原料に用いて触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコンを成膜し、錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種が添加されてなる不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

This zinc oxide-based transparent conductive film has zinc oxide as a main component, and contains both elements of silicon (Si) and germanium (Ge) or both elements of titanium (Ti) and zirconium (Zr).例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、シリコン（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の両元素又はチタン（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の両元素を含有するすることを特徴とする。 - 特許庁

The clad part contains at least elements selected from a group of boron(B), germanium(Ge), phosphorus(P), nitrogen(N) and fluorine (F) as an additive dopant of a quartz-based material.例文帳に追加

クラッド部は、石英系素材の付加ドーパントとして、少なくとも、硼素（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、窒素（Ｎ）、およびフッ素（Ｆ）からなる群から選択される元素を含む。 - 特許庁

The silver alloy film 30 contains: at least one of copper (Cu), gold (Au), palladium (Pd), and platinum (Pt); and at least one of germanium (Ge), cerium (Ce), neodymium (Nd), and gadolinium (Gd).例文帳に追加

銀合金膜３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及び白金（Ｐｔ）のうち少なくとも１種と、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のうち少なくとも１種と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented film for optical use imparting a good color, containing extremely reduced amount of fine particles in the film without using antimony (Sb) or germanium (Ge) as a catalyst.例文帳に追加

触媒としてアンチモン（Ｓｂ）やゲルマニウム（Ｇｅ）を使用しないにもかかわらず、良好な色相を呈し、フィルム中の微細粒子量が非常に少ない光学用二軸延伸フィルムを提供する。 - 特許庁

In the optical recording medium having an inorganic recording film, the inorganic recording film is provided with a first recording film containing titanium (Ti) and a second recording film containing oxides of germanium (Ge) and tin (Sn).例文帳に追加

光記録媒体は、無機記録膜を有する光記録媒体であって、無機記録膜が、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備える。 - 特許庁

Thus, the Ge density of the oxide film interface of the polycrystal silicon-germanium film becomes uniform to reduce lattice distortion and film stress and the reliability of the gate electrode is improved.例文帳に追加

このようにすると、多結晶シリコンゲルマニウム膜の酸化膜界面のＧｅ濃度が均一になり結晶粒内の格子ひずみと膜ストレスが減少し、ゲート電極の信頼性が向上する。 - 特許庁

In order to achieve higher on-currents, a nanowire-based TFET with a germanium (Ge) tunnel barrier in another silicon (Si) channel is used.例文帳に追加

より高いオン電流を達成するために、他のシリコン（Ｓｉ）チャネル中にゲルマニウム（Ｇｅ）トンネルバリアを備えたナノワイヤベースのＴＦＥＴが用いられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a bipolar transistor whose breakdown voltage between an emitter and a collector is higher than a conventional case while a mixed crystal of silicon germanium (Si-Ge) is used for improving an interruption frequency.例文帳に追加

遮断周波数を高くするためにシリコンゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）の混晶を使用しつつも、エミッタ−コレクタ間耐圧が従来よりも高いバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The inorganic recording film is provided with a first recording film containing titanium (Ti) and a second recording film containing an oxide of germanium (Ge) and the transparent conductive film is provided on the side of the second recording film.例文帳に追加

無機記録膜は、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備え、透明導電膜は、第２の記録膜の側に設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing a phase-change memory element including a step that supplies a bivalent first precursor, containing germanium (Ge) onto a lower film, where the phase-change layer is formed is provided.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む二価の第１前駆体を供給する段階を含むことを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a polysilicon layer formed on a backside of a silicon crystal substrate doped with phosphor (P) and germanium (Ge), and has superior gettering capability.例文帳に追加

リン（Ｐ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされたシリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層が形成されたゲッタリング能力に優れるエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁

To provide a silicon-germanium alloy film and its manufacturing method which facilitates manufacture of the silicon-germanium alloy film, without employing the CVD or the MBE method using explosive and high-toxic Si and Ge hydride gases, and to provide manufacturing methods for various uses according to that manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、爆発性で、毒性の強いＳｉ及びＧｅの水素化物ガスを用いるＣＶＤ法やＭＢＥ法によらずにシリコン-ゲルマニウム合金の薄膜を容易に製造できるシリコン-ゲルマニウム合金薄膜とその製造法及びその製造法による各種用途の製造法を提供することにある。 - 特許庁

A method for manufacturing the SOI substrate with a Ge film includes at least processes of: preparing an SOI substrate 5 including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate; and forming a germanium film 6 by subjecting germanium to epitaxial growth on the silicon thin film of the SOI substrate.例文帳に追加

絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上に、シリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板を用意する工程と、ゲルマニウムを上記ＳＯＩ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させてゲルマニウム膜を形成する工程とを少なくとも含んでなるＧｅ膜付きＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

One or more metal elements selected out from titanium Ti, silver Ag, copper Cu, germanium Ge and vanadium V are baked on a molding sintered material containing an iron oxide and a barium carbonate or a strontium carbonate as a main raw material, and further it is magnetized.例文帳に追加

酸化鉄と炭酸バリウムまたは炭酸ストロンチウムを主原料とする成形焼結物にチタンＴｉ、銀Ａｇ、銅Ｃｕ、ゲルマニウムＧｅ、バナジウムＶから選ばれる一もしくはそれ以上の金属元素を焼付け、さらに着磁することを特徴とする。 - 特許庁

The optical system comprises a positive meniscus lens 1 having positive refractive power, a biconcave lens 2 having negative refractive power, and a positive meniscus lens 3 having positive refractive power, and germanium Ge is used as raw materials for the positive meniscus lenses 1 and 3 and the biconcave lens 2.例文帳に追加

正の屈折力を有する正メニスカスレンズ１と、負の屈折力を有する両凹レンズ２と、正の屈折力を有する正メニスカスレンズ３とから光学系を構成して、正メニスカスレンズ１，３及び両凹レンズ２の原料としてゲルマニウムＧｅを用いるように構成した。 - 特許庁

This SOI substrate with a Ge film for a semiconductor includes an SOI substrate including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate, and a germanium film having been subjected to epitaxial growth on a silicon thin film of an SOQ substrate.例文帳に追加

また、絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上のシリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板と、上記ＳＯＱ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させたゲルマニウム膜を備える半導体用Ｇｅ膜付きＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

The melting point of lead-free solder can be dropped and the soldering strength and the peel strength can also be improved by adding any one of germanium Ge or niobium Nb to Sn-Zn-Bi based lead-free solder with bismuth Bi added thereto.例文帳に追加

ビスマスＢｉを添加したＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系無鉛はんだに、ゲルマニウムＧｅまたはニオブＮｂのうちの何れか１つの金属を添加することによっても、無鉛はんだの融点温度を下げられると当時に、上述したような接合強度やピール強度を改善することができる。 - 特許庁

The multilayer film filter formed by laminating a plurality of light absorbing films and a plurality of dielectric films on both surfaces of a transparent substrate uses at least one of simple-substance germanium (Ge) and simple-substance silicon (Si) for the light absorbing films.例文帳に追加

透明な基板の両面に複数の光吸収膜と複数の誘電体膜を積層状に成膜させて構成される多層膜ＮＤフィルターにおいて、前記光吸収膜として単体ゲルマニウム（Ｇｅ）及び単体シリコン（Ｓｉ）の少なくともいずれか一方を使用するようにした。 - 特許庁

A conductor pattern 3 in an insulated substrate 10 joined with a semiconductor chip 4 and a heat radiation plate 8 are joined by a solder alloy 9 containing, by weight, 3 to 5% antimony (Sb) and ≤0.2% germanium (Ge), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

半導体チップ４が接合された絶縁基板１０の導体パターン３と放熱板８を、３〜５重量％のアンチモン（Ｓｂ）と０．２重量％以下のゲルマニウム（Ｇｅ）を含有し、残りがスズ（Ｓｎ）であるはんだ合金９により接合する。 - 特許庁

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed.例文帳に追加

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at ≥300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride.例文帳に追加

四フッ化珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素（Ｓｉ）、またはゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つの金属と３００℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ化珪素中に１ｖｏｌ％以上の水素を含有させる。 - 特許庁

An intermediate layer 6, which includes at least either of germanium (Ge) and platinum (Pt), is provided between the thermal resistor layer 3 and an electrode layer 4; and the thermal resistor layer 3 and the electrode layer 4 are brought into ohmic contact with each other by using the intermediate layer 6.例文帳に追加

ゲルマニウム（Ｇｅ）および白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも一方を含む中間層６を発熱抵抗体層３と電極層４との間に設け、この中間層６を利用して発熱抵抗体層３と電極層４との間をオーミック接触させる。 - 特許庁

The rod optical fiber preform which is constituted of a quartz glass layer added with Ge (germanium), a quartz glass layer added with F (fluorine) and a pure quartz glass layer in order from the center and which is opened after cutting is cut after heating at 950-1,100°C and holding for a fixed period of time.例文帳に追加

中心部から順に、Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加された石英ガラス層と、Ｆ（フッ素）が添加された石英ガラス層と、純粋石英ガラス層とを備えて構成され、切断後に孔開するロッド状の光ファイバ母材を、９５０℃から１１００℃に加熱して一定時間保持した後に割断する。 - 特許庁

The write-once optical recording medium comprises an oxide film 3 constituting an inorganic recording film on a base material, wherein the oxide film 3 comprises a recording material derived from an oxide Ge_1O_x(x is an atomic ratio) of germanium (Ge) and a composition of the oxide film 3 is 1.0<x<2.0.例文帳に追加

基体上に、無機記録膜を構成する酸化物膜３を有する追記型光記録媒体であって、上記酸化物膜３が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による記録材料よりなり、上記酸化物膜３のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とする。 - 特許庁

In the write-once optical recording medium having the inorganic recording film, the inorganic recording film comprises: an oxide film 3 the main component of which is germanium (Ge) oxide GeO; and a metallic film 2 which is adjacent to the oxide film 3 and the main component of which is titanium-silicon alloy TiSi.例文帳に追加

本発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物ＧｅＯを主成分とする酸化物膜３と、この酸化物膜３に隣接するチタン・シリコン合金ＴｉＳｉを主成分とする金属膜２とを有する構成とする。 - 特許庁

This write-once type optical recording medium 10 is equipped with an inorganic recording film 2 under the condition that the inorganic recording film 2 is equipped with an oxidic film 2a including the oxide of germanium (Ge) and an adjoining film 2b, which includes titanium (Ti) and manganese (Mn) and is adjacent to the oxidic film 2a.例文帳に追加

追記型光記録媒体１０は無機記録膜２を備え、無機記録膜２が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む酸化物膜２ａと、チタン（Ｔｉ）およびマンガン（Ｍｎ）を含み、酸化物膜２ａに隣接する隣接膜２ｂとを備える。 - 特許庁

The semiconductor base material comprises: a base material of an amorphous, a polycrystal, a metal or the like; the crystal nucleus of SiGe or Ge formed on the base material by a heat CVD method using a germanium halide and silanes as raw materials; and a Si polycrystal film formed on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 - 特許庁