step bunchingとは 意味・読み方・使い方

To improve element characteristics by reducing step bunching of a surface of an SiC epitaxial layer formed on an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層表面のステップバンチングを低減して素子特性を向上させる。 - 特許庁

In the removal step, the carbon layer and step bunching, which occurs on the surface of the substrate in the ion activation step, are removed by heating the substrate on which the ion activation step is performed under a Si vapor pressure.例文帳に追加

除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板をＳｉ蒸気圧下で加熱することで、カーボン層と、イオン活性化工程で基板表面に発生するステップバンチングと、を除去する。 - 特許庁

In the epitaxial crystal growth layer 2, a part of a region where a gate electrode 7 is arranged, becomes a smooth first region where a bunching step is not formed on the surface, and the entire region where the gate electrode 7 is not arranged, becomes a second region where the bunching step is formed on the surface.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長層２において、ゲート電極７が配置されている領域の一部は、表面にバンチングステップが形成されない平滑な第１領域となっており、ゲート電極７が配置されていない領域の全部は、表面にバンチングステップが形成された第２領域となっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC semiconductor device which is not contaminated with carbon while stably suppressing surface roughening due to step bunching.例文帳に追加

カーボンにより汚染されることなく、ステップバンチングによる表面荒れを安定して抑制することができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that uses a substrate in which at least a surface thereof is composed of a SiC layer and having an off-angle, and in which step bunching occurring when ions are activated can be removed.例文帳に追加

少なくとも表面がＳｉＣ層で構成されるとともにオフ角を有する基板を用いた半導体素子の製造方法において、イオンを活性化する際に発生するステップバンチングを除去可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

In the second inspection mode, the shirring direction of the differential interference optical system is set in not parallel with the extending direction of the step bunching.例文帳に追加

また、第２の検査モードでは、微分干渉光学系のシャーリング方向をステップバンチングの延在方向と平行から外れた状態に設定する。 - 特許庁

To provide an SiC epitaxial wafer in which triangular defect and stacking fault are reduced, and the uniformity of carrier concentration and film thickness is high, and which is step bunching-free, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device eliminating an occurrence of a surface roughness of a bunching step or the like to sufficiently improve an activation rate of an impurity-injection layer.例文帳に追加

バンチングステップ等の表面荒れを発生させることなく、不純物注入層の活性化率を十分に高くする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁