いちじょう３ちょうめの英語

ＧａＮ層２とＧａＮ成長層３の格子定数が一致し、ＧａＮ成長層３はＧａＮ層２の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いＧａＮ成長層３が得られる。例文帳に追加

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁

表示装置１の表示面３の傾きを検知し、この検知した表示面３の傾きに応じて、表示面３の表示輝度の調整を行う。例文帳に追加

The inclination of the display surface 3 of the display device 1 is detected and the display luminance of the display surface 3 is regulated according to the detected inclination of the display surface 3. - 特許庁

3年3月(旧暦)（紀元前27年）、新羅王子の天日槍（あめのひほこ）が神宝を奉じて来朝。例文帳に追加

In April, 27 B.C., Amenohihoko, the Prince of Silla, visited Japan in order to present sacred treasures.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

11系統（木津南循環バス）：木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加

Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

膨張黒鉛を加圧成形してなるガスケットであって、前記加圧成形後の膨張黒鉛の密度が１．４ｇ／ｃｍ^3以上であり、好ましくは１．６ｇ／ｃｍ^3以上であることを特徴とする膨張黒鉛製ガスケットである。例文帳に追加

The gasket made of the expanded graphite is obtained by subjecting the expanded graphite to pressure forming, and is regulated so that the density of the expanded graphite after the pressure forming may be ≥1.4 g/cm^3, preferably ≥1.6 g/cm^3. - 特許庁

督姫（とくひめ、1565年12月3日（永禄8年11月11日(旧暦)）-1615年3月3日（慶長20年2月4日(旧暦)））は、安土桃山時代から江戸時代前期にかけての女性。例文帳に追加

Tokuhime (December 13, 1565 - March 3, 1615) was a women from the Azuchi-Momoyama period to the early Edo period.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一度に１ｍ^３の雪１を入れて３時間で溶かす事を特徴とする。例文帳に追加

It is characterized that 1 m^3 of snow 1 is put therein to melt it in 3 hours. - 特許庁

カーペット層１１は、表面から裏面への流れ抵抗値が１００Ｎｓｍ^-3以上、１０００Ｎｓｍ^-3以下に調整されている。例文帳に追加

The carpet layer 11 is regulated in the flow resistance value from the surface to the backside to 100 to 1,000 Nsm^-3. - 特許庁