「いちじょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、上記導電化溶液の表面張力は、３０×１０^-3Ｎ／ｍ〜７０×１０^-3Ｎ／ｍにする。例文帳に追加

The above conducting solution has a surface tension of 30×10^-3 N/m-70×10^-3 N/m. - 特許庁

超音波送受信器２，３で、蒸気の乾き度Ｘ１を求める。例文帳に追加

The degree of dryness X1 of the vapor are determined by the ultrasonic transmitter/receivers 2 and 3. - 特許庁

ＧａＮ層２とＧａＮ成長層３の格子定数が一致し、ＧａＮ成長層３はＧａＮ層２の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いＧａＮ成長層３が得られる。例文帳に追加

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁

表示装置１の表示面３の傾きを検知し、この検知した表示面３の傾きに応じて、表示面３の表示輝度の調整を行う。例文帳に追加

The inclination of the display surface 3 of the display device 1 is detected and the display luminance of the display surface 3 is regulated according to the detected inclination of the display surface 3. - 特許庁

3年3月(旧暦)（紀元前27年）、新羅王子の天日槍（あめのひほこ）が神宝を奉じて来朝。例文帳に追加

In April, 27 B.C., Amenohihoko, the Prince of Silla, visited Japan in order to present sacred treasures.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

11系統（木津南循環バス）：木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加

Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

膨張黒鉛を加圧成形してなるガスケットであって、前記加圧成形後の膨張黒鉛の密度が１．４ｇ／ｃｍ^3以上であり、好ましくは１．６ｇ／ｃｍ^3以上であることを特徴とする膨張黒鉛製ガスケットである。例文帳に追加

The gasket made of the expanded graphite is obtained by subjecting the expanded graphite to pressure forming, and is regulated so that the density of the expanded graphite after the pressure forming may be ≥1.4 g/cm^3, preferably ≥1.6 g/cm^3. - 特許庁

督姫（とくひめ、1565年12月3日（永禄8年11月11日(旧暦)）-1615年3月3日（慶長20年2月4日(旧暦)））は、安土桃山時代から江戸時代前期にかけての女性。例文帳に追加

Tokuhime (December 13, 1565 - March 3, 1615) was a women from the Azuchi-Momoyama period to the early Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一度に１ｍ^３の雪１を入れて３時間で溶かす事を特徴とする。例文帳に追加

It is characterized that 1 m^3 of snow 1 is put therein to melt it in 3 hours. - 特許庁

カーペット層１１は、表面から裏面への流れ抵抗値が１００Ｎｓｍ^-3以上、１０００Ｎｓｍ^-3以下に調整されている。例文帳に追加

The carpet layer 11 is regulated in the flow resistance value from the surface to the backside to 100 to 1,000 Nsm^-3. - 特許庁

メタルハニカム体３は軸方向長さＬが１０ｍｍ以下である。例文帳に追加

The metal honeycomb body 3 has an axial length L of 10 mm or less. - 特許庁

調査の結果、政庁地区においては3時期の遺構面が存在することが確かめられた。例文帳に追加

As a result of the research, it was confirmed that there are ancient foundations of three different periods in the government district.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アクチュエータ３は、曲面ミラー１の３自由度の位置・姿勢を調整する。例文帳に追加

An actuator 3 adjusts the position and posture of 3 degree of freedom of a curved surface mirror 1. - 特許庁

3代目桂米朝が自身の番組『米朝ファミリー和朗亭』（朝日放送テレビ）で取り上げたこと。例文帳に追加

Beicho KATSURA III covered this in his program named "Beicho Family Warotei" (ABC Television).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

鉄骨柱２ＡにＩＣタグ１を貼付する際に、溶接線３の上方に４００ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下の位置に貼付する。例文帳に追加

When the IC tag 1 is attached onto a steel column 2A, it is attached to the part 400 mm above a welding line 3 or upper, and 1,000 mm above the welding line 3 or lower. - 特許庁

センサ１４を軸線Ｘ０上の配置することにより支軸３の位置検知精度を高め、これにより、支軸３の位置調整精度を高める。例文帳に追加

The sensor 14 is disposed on the axis X_0 heighten the position detecting accuracy of the support shaft 3, thereby heightening the position adjusting accuracy of the support shaft 3. - 特許庁

センサ１４を軸線Ｘ０上の配置することにより支軸３の位置検知精度を高め、これにより、支軸３の位置調整精度を高める。例文帳に追加

The sensor 14 is placed on the axial line X_0 to improve the accuracy in positional detection of the shaft 3, thereby enhancing the positional control accuracy of the shaft 3. - 特許庁

床面２上に基礎ブロック３を載置し、基礎ブロック３にはベッド１の高さを調整するための高さ調整ボルト５を配置する。例文帳に追加

A foundation block 3 is placed on a floor face 2, and a height adjusting bolt 5 for adjusting the height of a bed 1 is disposed at the foundation block 3. - 特許庁

皇統譜及び副本には、簿冊ごとに表紙の裏面に御璽をおし、宮内庁長官が枚数及び調製の年月日を記入し、宮内庁書陵部部長とともに署名する（旧3条1項）。例文帳に追加

The gyoji (imperial seal) is put on the back of front cover for each thin booklet and the Grand Steward of the Imperial Household Agency fills in with the number of pages and the date of production, and he signs with Manager of the Imperial Household Archives (the old Article 3, Paragraph 1).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

線維芽細胞成長因子−18（FGF−18）は、FGF受容体−２及び−３と結合する。例文帳に追加

FGF-18 binds with FGF receptors-2 and -3. - 特許庁

ＰＥＮは熱膨張係数３×１０^-5／℃の透明樹脂である。例文帳に追加

PEN is a transparent resin having 3×10-5/°C of coefficient of thermal expansion. - 特許庁

六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を結晶成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5. - 特許庁

また、結晶成長方法では、石英坩堝１に、予め溶かした溶融原料３を充填する。例文帳に追加

In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand. - 特許庁

第１の確実制御式減速装置7は、折り丁3の流れの中のいくつかの折り丁を第１の排紙流れ9へ搬送するくわえづめ8を有する。例文帳に追加

The first surely controlled reduction gear 7 has a gripper 8 conveying a several number of the sections in a flow of the fold leaf 3 to a first paper discharge flow 9. - 特許庁

繊維状物質(3)は長さ０．０５〜１ｍｍを有し、全長に亘る中空部(4)を有する。例文帳に追加

The fiber-like substances (3) have their lengths of 0.05-1 mm and hollow parts (4) across the whole length. - 特許庁

六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5. - 特許庁

そして、弾性樹脂１１、１２は、予めフランジプレート２、３に貼付する。例文帳に追加

The elastic resins 11 and 12 are affixed to the flange plates 2 and 3, in advance. - 特許庁

次に、貼付面１ａと軸部１ｂを有する貼付皿１を貼付台２にセットし、貼付剤供給装置３から貼付面１ａの中央に微小球体４を分散させた貼付剤４を供給する。例文帳に追加

A pasting tray 1 with a pasting surface 1a and a shaft portion 1b is set on a pasting stand 2, and the pasting agent 4 in which the microspheres 4 are dispersed is fed to the center of the pasting surface 1a from a pasting agent feeder 3. - 特許庁

最澄（伝教大師）の得度や受戒に関わる文書類3点を一巻としたもので、最澄の伝記資料としてきわめて貴重なもの。例文帳に追加

This is a highly valuable biographical document on Saicho (Dengyo Daishi), which is a scroll comprised of three writings concerning his tokudo (entering the Buddhist priesthood) and jukai (receiving the religious precepts).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

藤原為時（ふじわらのためとき、天暦3年（949年）頃?-長元2年（1029年）頃?）は平安時代中期、一条天皇朝の代表的な詩人。例文帳に追加

FUJIWARA no Tametoki (949? - 1029?) was a typical Japanese poet in the court ruled by Emperor Ichijo during the middle of Heian period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明に係る聴診具１は、伸縮自在のロッド３を備えている。例文帳に追加

The stethoscope 1 is provided with an expansible and retractable rod 3. - 特許庁

貼付面１ａと軸部１ｂを有する貼付皿１を貼付台２にセットし、貼付剤供給装置３から貼付面１ａの中央に貼付剤４を供給する。例文帳に追加

An sticking tray 1 having an sticking surface 1a and a shaft part 1b is set on an sticking base 2, and the sticking agent 4 is supplied to a center of the sticking surface 1a from the sticking agent supply device 3. - 特許庁

床下調湿材１は、針葉樹由来の木炭２を、フラジール形法による通気度が１ｃｍ^３・（ｃｍ^２・ｓ）^−１以上３０ｃｍ^３・（ｃｍ^２・ｓ）^−１以下の不織布３で包んだことを特徴とする。例文帳に追加

This underfloor humidity adjusting material 1 is prepared by wrapping conifier charcoal 2 with non-woven fabric 3 having air permeability by a Frajour type method, of 1 cm^3(cm^2 × s)^-1 or more and 30 cm^3(cm^2 × s)^-1 or less. - 特許庁

カテーテル２の先端に配設した超音波変換子３を用いる超音波プローブ１０で、超音波変換子３が超音波照射方向に対して凹面形状を有し、超音波変換子に貫通穴１１を設ける。例文帳に追加

In the ultrasonic probe 10 using an ultrasonic transducer 3 arranged at the distal end of the catheter 2, the ultrasonic transducer 3 has a shape of a recessed surface with respect to the direction of ultrasonic irradiation, and provided with a through hole 11. - 特許庁

調査システムは、調査世帯装置１により、視聴・聴取・接触されたテレビ、ラジオ、ウェブ等のコンテンツの視聴率・聴取率・接触率等の接触状況や視聴率等を集計センター３で得るためのものである。例文帳に追加

In an investigation system, a tabulation center 3 obtains a contact situation such as a viewing rate, listening rate, contact rate of a content of television, radio, web, etc. viewed, listened, brought into contact by an investigated household device 1. - 特許庁

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

調湿用素子（３，５）では、伝熱管（１５）の外表面に接触して担持部材（１３）が設けられる。例文帳に追加

The humidity control element (3 or 5) has a supporting member (13) in contact with the external surface of a heat transfer pipe (15). - 特許庁

床構面３の上には、長方形で板状である複数の蓄熱体１ａ，１ａ，・・・を配置してある。例文帳に追加

On the surface 3, a plurality of heat accumulation bodies 1a, 1a made of rectangular plates are arranged. - 特許庁

第三条　気象庁長官は、第一条の目的を達成するため、次に掲げる事項を行うように努めなければならない。例文帳に追加

Article 3 The Director-General of the Japan Meteorological Agency shall, in order to accomplish the purpose set forth in Article 1, endeavor to carry out the following:  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ^3当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０^20以下である。例文帳に追加

The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller. - 特許庁

超音波診断装置１において、超音波プローブ３により超音波を送受信して超音波信号が取得され、その超音波信号に基づいて、超音波診断を行うための超音波像が表示される。例文帳に追加

In this ultrasonic diagnostic apparatus 1, an ultrasonic wave is transmitted and received by an ultrasonic probe 3 to acquire an ultrasonic signal, and an ultrasonic image for performing ultrasonic diagnosis is displayed based on the ultrasonic signal. - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

ホットメルトレジストの表面張力が、６８×１０^−３〜７８×１０^−３Ｎ／ｍであること。例文帳に追加

Surface tension of the hot-melt resist 112 should fall within the range of 68×10^-3 to 78×10^-3N/m. - 特許庁

膨張層５の樹脂密度が０．１ｇ／ｃｍ^3以上０．３５ｇ／ｃｍ^3以下の範囲に設定されている。例文帳に追加

The resin density of the expansion layer 5 is set to 0.1 to 0.35 g/cm^3. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。例文帳に追加

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁