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しょうめいちょう５ちょうめの英語
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「しょうめいちょう５ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 248件
司令長官：小松宮彰仁親王陸軍少将（明治10年5月29日-）例文帳に追加
Commander in Chief: Imperial Prince Komatsunomiya Akihito, Major General of the Imperial Army (May 29, 1877 -)発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
11系統（木津南循環バス）：木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加
Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を結晶成長させる。例文帳に追加
A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5. - 特許庁
これにより、転位密度１×１０^5個／ｃｍ^2以下で単結晶が成長する。例文帳に追加
Thereby a single crystal having a dislocation density of ≤1×10^5 cm^2 can be grown. - 特許庁
明治5年（1872年）、陸軍少将になり、翌年から暫くの間熊本鎮台司令長官となる。例文帳に追加
In 1872, he became Army Major General, and from the following year, he served as General of the Kumamoto Chindai Army for some time.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
慶長5年（1600年）、信吉は景勝の代理で新年の祝賀のために上洛する。例文帳に追加
In 1600, Nobuyoshi went up to Kyoto for the New Year's greetings on behalf of Kagekatsu.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
慶長5年（1600年）2月になると、景勝は夏までに領内諸城の補修を命ずる。例文帳に追加
In February 1600, Kagekatsu ordered that the castles in his fief be repaired by the summer of the same year.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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「しょうめいちょう５ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 248件
徳川家康は、慶長5年（1600年）関ヶ原の戦いに勝利し名実共に天下人となった。例文帳に追加
In 1600, Ieyasu TOKUGAWA won the Battle of Sekigahara and succeeded in becoming a ruler both in name and reality.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
サセプタ５は、気相成長法により表面に膜が形成される基板７を保持する。例文帳に追加
The susceptor 5 holds a substrate 7 on the surface of which a film is formed by the vapor deposition method. - 特許庁
成長容器５内でＳｉＣ種結晶１の成長面上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて，ＳｉＣ単結晶１０を製造する方法である。例文帳に追加
The method for manufacturing the SiC single crystal 10 comprises growing a bulk SiC single crystal on the growth surface of an SiC seed crystal 1 in a growing vessel 5. - 特許庁
シリコン芯線５の表面にはシーメンス法により多結晶シリコン６が気相成長し、多結晶シリコン棒の製造が行われる。例文帳に追加
Vapor growth of polycrystalline silicon 6 by the Siemens method is conducted on the surface of the silicon core wire 5 and a polycrystalline silicon rod is produced. - 特許庁
工事台帳入力画面４ｂで工事台帳を更新する入力を行うと、機器台帳と共通する”機器名称“と”機場名“をリンクテーブル５に保存する。例文帳に追加
When an input for updating a construction ledger is operated on a construction ledger input screen 4b, 'equipment designation' and 'equipment place name' common to an equipment ledger are preserved in a link table 5. - 特許庁
ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加
A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁
そして、ＳｉＣ単結晶５の成長に伴って、種結晶保持具２と共にＳｉＣ単結晶５を成長方向と逆方向に引き上げ、ＳｉＣ単結晶５の表面とガイド６の表面６ａとがほぼ面一となるようにする。例文帳に追加
Then, the SiC single crystal 5 is pulled together with a seed crystal supporting tool 2 in the reverse direction to the growth direction according to the growth of the SiC single crystal 5 so that the surface of the SiC single crystal 5 becomes nearly same plane with the surface 6a of the guide 6. - 特許庁
これにより、パーティクルが分解されて種結晶５の表面やＳｉＣ単結晶６の成長表面に辿り着かないようにできる。例文帳に追加
Thereby, particles are decomposed and prevented from arriving to the surface of a seed crystal 5 and the growth surface of a SiC single crystal 6. - 特許庁
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