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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > しょうめいちょう4ちょうめの解説 

しょうめいちょう4ちょうめの英語

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日英固有名詞辞典での「しょうめいちょう4ちょうめ」の英訳

しょうめいちょう4ちょうめ

地名

英語 Shomeicho 4-chome

丁目


「しょうめいちょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 284



例文

七代 長入(正徳(日本)4(1714年)-明和7(1770年))例文帳に追加

The seventh Chonyu (1714-1770)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

11系統(木津南循環バス):木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加

Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

これにより、炭化珪素単結晶が成長すると共に、多結晶成長部材13の表面13cに炭化珪素単結晶と同等の高さとなる多結晶6が成長する。例文帳に追加

Thereby, the silicon carbide single crystal 4 grows, and a polycrystal 6 simultaneously grows in the same height as the silicon carbide single crystal 4 on the surface 13c of the polycrystal growth member 13. - 特許庁

慶長4年(1599年)の「庄内の乱」の際は疱瘡を患っていたために出陣できなかった。例文帳に追加

In 1599, he was not able to participate in 'Shonai War' because he was attacked with smallpox.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

成長容器内にSiC種結晶3を配置し、その成長面35上にバルク状のSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶を製造する方法である。例文帳に追加

The method for producing a SiC single crystal is carried out by disposing a SiC seed crystal 3 in a growing chamber 4 and growing a bulk SiC single crystal on the growing surface 35. - 特許庁

例文

後亀山上皇の死去から4年後の1428年(正長元年)、嗣子のなかった称光天皇が崩御したために北朝の嫡流は断絶した。例文帳に追加

In 1428, four years after Retired Emperor Gokameyama died, Emperor Shoko died without an heir, and consequently the principal Northern lineage came to an end.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

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「しょうめいちょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 284



例文

 理事長は、中央協会を代表し、定款で定めるところにより、会長を補佐して中央協会の業務を掌理し、会長に事故があるときはその職務を代理し、会長が欠員のときはその職務を行う。例文帳に追加

(4) The president shall represent the Central Association, and as specified in the articles of incorporation, assist the chairman in the pursuit of the business of the Central Association, perform the duties of the chairman in his/her place in the case of accident to him/her, and perform his/her duties when the post is vacant.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

(フェニル−ピペラジニル−メチル)ベンズアミド誘導体及び疼痛、不安症又は胃腸障害の治療のためのその使用例文帳に追加

4(PHENYL-PIPERAZINYL-METHYL)BENZAMIDE DERIVATIVE, AND THE USE FOR TREATING PAIN, ANXIETY DISORDER, OR DIGESTIVE TROUBLE - 特許庁

このように、財政赤字の更なる拡大は、回復し始めた世界経済の成長を妨げるリスク要因となり得る(コラム3、4参照)。例文帳に追加

In this way the further expansion of fiscal deficits could become a risk factor which could hinder growth of the global economy that has just started to recover (Refer to Column 3 and 4). - 経済産業省

結晶成長室2内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板2上の結晶不成長領域(図示せず)が消滅して、種結晶基板2の表面全体にAlN結晶が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

各非縦方向成長部の上面では、xy平面に平行にr面が結晶成長し、これらの個々のr面は、側壁面1bの近傍に若干のボイド5を形成しつつも、ストライプ溝Sを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であって、 Si(OR)_とHf(NR’R”)_とを用いる。例文帳に追加

Si(OR)_4 and Hf(NR'R")_4 are employed as materials for forming the film by chemical vapor phase epitaxial method. - 特許庁

また、Si膜31より後に形成されるn型GaN層の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が一旦低下し、n型GaN層より後に形成される窒化物半導層の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が上昇するように構成する。例文帳に追加

The method includes temporarily lowering the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of n-type GaN layer 4 formed after the Si film 31, and increasing the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of a nitride semiconductor layer formed after the n-type GaN layer 4. - 特許庁

例文

大坂の役(おおざかのえき、慶長19年(1614年)〕-慶長20年(1615年))は、江戸幕府が豊臣氏を滅ぼした戦いである大坂冬の陣(おおざかふゆのじん)と大坂夏の陣(おおざかなつのじん)(6月4日(5月8日(旧暦))終局)をまとめた呼称。例文帳に追加

Osaka no Eki (Siege of Osaka) refers collectively to Osaka Fuyu no Jin (Winter Siege of Osaka) and Osaka Natsu no Jin (Summer Siege of Osaka[ended on June 4 or May 8 in the old calendar]), battles in which the Edo bakufu destroyed the Toyotomi clan (1614 - 1615).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

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1
Shomeicho 4-chome 日英固有名詞辞典

2
昭明町4丁目 日英固有名詞辞典

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