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しょうめいちょう3ちょうめの英語
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「しょうめいちょう3ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 425件
11系統(木津南循環バス):木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加
Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。例文帳に追加
The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁
六角形のパターン5の間に露出したGaN層3の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を結晶成長させる。例文帳に追加
A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5. - 特許庁
常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置10の反応容器1内に配置したシリコン単結晶基板3の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加
The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁
半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加
The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁
この基板を用いて気相成長した場合、マスク3が存在するため、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。例文帳に追加
When vapor phase growth is performed by using the substrate 1, crystal growth occurs only from the tops of the projecting sections 11 due to presence of the mask 3. - 特許庁
亀井茲矩(かめいこれのり、1557年(弘治(日本)3年)-1612年2月27日(慶長17年1月26日(旧暦)))は、日本の武将。例文帳に追加
Korenori KAMEI (1557-February 27, 1612) was a Japanese busho (military commander).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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「しょうめいちょう3ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
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また、結晶成長方法では、石英坩堝1に、予め溶かした溶融原料3を充填する。例文帳に追加
In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand. - 特許庁
桂米朝(3代目)一門のうち桂小米・桂千朝・桂宗助(米朝本人や他の弟子は協会加入)例文帳に追加
Koyone KATSURA, Sencho KATSURA and Sosuke KATSURA from the Beicho KATSURA (the third) family (Beicho himself and other disciples belong to the association)発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁
慶長3年(1598年)幕銘の獅子頭が伝承されており、そのころから始まっていた。例文帳に追加
A Lion Mask inscribed with the year 1598 has been handed down, which shows that it had started around that time.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
成長容器4内にSiC種結晶3を配置し、その成長面35上にバルク状のSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶を製造する方法である。例文帳に追加
The method for producing a SiC single crystal is carried out by disposing a SiC seed crystal 3 in a growing chamber 4 and growing a bulk SiC single crystal on the growing surface 35. - 特許庁
そこで、(財)中小企業総合研究機構が2004年12月に実施した「中小企業の創業環境・雇用創出力実態調査」(以下、「創業・雇用実態調査」と言う)3の調査結果により分析を進める。例文帳に追加
To proceed with our analysis, therefore, we turn to the results of the Survey of the Startup Environment and Job Creation Capacity of Small and Medium Enterprises conducted by the JSBRI in December 2004 (abbreviated below as the Startup and Job Survey).3) - 経済産業省
多結晶シリコン膜3の成長前処理において,シリコン基板1上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜3はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜5となる。例文帳に追加
In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁
「宮内省官制」(明治40年皇室令第3号)制定当時は、「典式」として宮内庁式部職の所掌とされた。例文帳に追加
When the 'Kunai-sho Kansei' (Imperial Household Ministry Organization) (Article 3 of Koshitsu-rei; the Imperial Families' Act, in 1907) was established, it was under the control of Shikibu-shoku of Imperial Household Agency as 'tenshiki.'発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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