せいちょうよくせいいんしの英語

神経成長因子（ＮＧＦ）産生抑制剤及びかゆみ抑制外用剤例文帳に追加

NERVE GROWTH FACTOR (NGF) PRODUCTION INHIBITOR AND ITCH-INHIBITORY PREPARATION FOR EXTERNAL USE - 特許庁

結晶成長促進層31上および結晶成長抑制層32上に、Ｘ線光導電層４を気相成長法にて形成する。例文帳に追加

An X ray photoconductive layer 4 is formed by vapor deposition on the crystal growth acceleration layer 31 and the crystal growth suppression layer 32. - 特許庁

氷結晶成長抑制剤、氷結晶成長開始温度低下剤、及び水の凝固コントロール剤例文帳に追加

ICE CRYSTAL GROWTH SUPPRESSING AGENT, ICE CRYSTAL GROWTH ONSET TEMPERATURE LOWERING AGENT, AND WATER COAGULATION CONTROLLING AGENT - 特許庁

多結晶粒界の成長を抑制してより長い単結晶を成長させることができる単結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal-growing unit capable of growing a longer single crystal by inhibiting the growth of boundaries among multiple crystal particles. - 特許庁

ウェハ裏面への膜成長を抑制することを可能とするエピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth apparatus capable of stopping a film from being grown on a wafer reverse surface. - 特許庁

触媒金属微粒子を用いて炭素元素からなる線状構造体を成長する線状構造体の成長方法及び成長装置に関し、触媒金属微粒子の凝集を抑制して高密度で線状構造体を成長しうる線状構造体の成長方法及び成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for growing a linear structure consisting of a carbon element in high density by using catalytic metal fine particles while restraining the agglomeration of the catalytic metal fine particles. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube. - 特許庁