そうたいせだいばんごうの英語

無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。例文帳に追加

The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence. - 特許庁

少なくとも、支持基板上に、化合物半導体から成る第２結晶層と、該第２結晶層上に形成された第１絶縁層と、該第１絶縁層上に形成された半導体シリコンから成る第１結晶層を有する半導体積層基板。例文帳に追加

The semiconductor multilayer substrate comprises at least a second crystal layer of compound semiconductor formed on a supporting substrate, a first insulation layer formed on the second crystal layer, and a first crystal layer of semiconductor silicon formed on the first insulation layer. - 特許庁

前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。例文帳に追加

The first compound semiconductor layer is removed while irradiating the first compound semiconductor layer with light having energy between the first bandgap and the second bandgap, and the substrate is separated from the compound semiconductor laminated structure. - 特許庁

プラスチック基板は、繊維布の体積分率が第１の値である第１複合体層領域と、第１の値よりも小さい第２の値である第２複合体層領域とを備える。例文帳に追加

The plastic substrate is provided with a first complex layer region in which the volume fraction of the fiber cloth is a first value and a second complex layer region in which the volume fraction is a second value smaller than the first value. - 特許庁

半導体装置１の製造方法は、基板１０に窒化物半導体で形成された第１層（障壁層２５）および第２層（キャップ層２６）を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第２層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen. - 特許庁

一対の搬送板５７，６５によって形成されている第１の紙幣搬送路１９を挟んで第１の駆動ベルト１７とこれと対接する第１のピンチローラ１８とによって第１の紙幣搬送手段６が形成されている。例文帳に追加

First drive belts 17 and opposed first pinch rollers 18 holding in between a first bill feed path 19 formed by a pair of feed plates 57 and 65 form a first bill feed means 6. - 特許庁

III族窒化物発光ダイオード（ＬＥＤ）で、活性層６２と基板１０との間に縮退接合部７２が追加され、その際、縮退接合部７２はｎ^+型層と、ｎ^+型層上に形成されたｐ^+型層５８とから構成される。例文帳に追加

In a III-nitride light emitting diode (LED), a degenerate junction part 72 is added between an active layer 62 and a substrate 10, the degenerate junction part 72 is composed of an n^+-type layer 56 and a p^+-type layer 58 formed on the n^+-type layer 56. - 特許庁

その製造方法は、基板１１を調製する工程と、クロムを含有する下層を堆積する工程と、該下層に、コバルト合金を含む第一層を堆積する工程と、該第一層上に、コバルト−プラチナ合金を含む第二層を堆積する工程と、を含み、該第一層を、平衡またはほぼ平衡な結晶成長条件下で堆積して、高品位の結晶構造の形成を可能とすることを特徴とする。例文帳に追加

The 1st layer is deposited under equilibrium or nearly equilibrium crystal growth conditions so as to form a high-grade crystal structure. - 特許庁