「そうたいせだいばんごう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明の相互インダクタンス素子２Ａは、第１の誘電板上に第１の導体線路３Ａを、第２の誘電板上に第２の導体線路４Ａを有する。例文帳に追加

The mutual inductance element 2A has a first conductor line 3A on a first dielectric plate and a second conductor line 4A on a second dielectric plate. - 特許庁

半導体光集積素子１００は、ＧａＡｓからなる基板１０と、この基板上に配置された第１の半導体積層構造５１及び第２の半導体積層構造５２を有している。例文帳に追加

The semiconductor optical integrated element 100 includes: a substrate 10 comprising GaAs, a first semiconductor lamination structure 51 and a second semiconductor lamination structure 52 arranged on the substrate. - 特許庁

無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。例文帳に追加

The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence. - 特許庁

少なくとも、支持基板上に、化合物半導体から成る第２結晶層と、該第２結晶層上に形成された第１絶縁層と、該第１絶縁層上に形成された半導体シリコンから成る第１結晶層を有する半導体積層基板。例文帳に追加

The semiconductor multilayer substrate comprises at least a second crystal layer of compound semiconductor formed on a supporting substrate, a first insulation layer formed on the second crystal layer, and a first crystal layer of semiconductor silicon formed on the first insulation layer. - 特許庁

前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。例文帳に追加

The first compound semiconductor layer is removed while irradiating the first compound semiconductor layer with light having energy between the first bandgap and the second bandgap, and the substrate is separated from the compound semiconductor laminated structure. - 特許庁

プラスチック基板は、繊維布の体積分率が第１の値である第１複合体層領域と、第１の値よりも小さい第２の値である第２複合体層領域とを備える。例文帳に追加

The plastic substrate is provided with a first complex layer region in which the volume fraction of the fiber cloth is a first value and a second complex layer region in which the volume fraction is a second value smaller than the first value. - 特許庁

半導体装置１の製造方法は、基板１０に窒化物半導体で形成された第１層（障壁層２５）および第２層（キャップ層２６）を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第２層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen. - 特許庁

一対の搬送板５７，６５によって形成されている第１の紙幣搬送路１９を挟んで第１の駆動ベルト１７とこれと対接する第１のピンチローラ１８とによって第１の紙幣搬送手段６が形成されている。例文帳に追加

First drive belts 17 and opposed first pinch rollers 18 holding in between a first bill feed path 19 formed by a pair of feed plates 57 and 65 form a first bill feed means 6. - 特許庁

III族窒化物発光ダイオード（ＬＥＤ）で、活性層６２と基板１０との間に縮退接合部７２が追加され、その際、縮退接合部７２はｎ^+型層と、ｎ^+型層上に形成されたｐ^+型層５８とから構成される。例文帳に追加

In a III-nitride light emitting diode (LED), a degenerate junction part 72 is added between an active layer 62 and a substrate 10, the degenerate junction part 72 is composed of an n^+-type layer 56 and a p^+-type layer 58 formed on the n^+-type layer 56. - 特許庁

その製造方法は、基板１１を調製する工程と、クロムを含有する下層を堆積する工程と、該下層に、コバルト合金を含む第一層を堆積する工程と、該第一層上に、コバルト−プラチナ合金を含む第二層を堆積する工程と、を含み、該第一層を、平衡またはほぼ平衡な結晶成長条件下で堆積して、高品位の結晶構造の形成を可能とすることを特徴とする。例文帳に追加

The 1st layer is deposited under equilibrium or nearly equilibrium crystal growth conditions so as to form a high-grade crystal structure. - 特許庁

パワーモジュール１は、二つのＡＬ回路基板（ＡＬ層）２、３の間に、ＡＬＮからなる絶縁セラミックス層（セラミックス層）５が挟まれて接合された第一接合体（接合体、パワーモジュール用基板）６及び第二接合体（接合体）７と、第二接合体７のＡＬ回路基板２に配線されたＳｉチップ（大電力半導体素子）８とを備えている。例文帳に追加

The power module 1 is provided with a first juncture (juncture, power module substrate) in which an insulating ceramic layer (ceramic layer) 5 including an ALN is sandwiched between two AL circuit substrates (AL layer) 2, 3 and bonded, a second juncture (juncture) 7 and a Si chip (large electric power semiconductor element) 8 wired to the AL circuit substrate 2 of the second juncture 7. - 特許庁

発光ダイオード１は、半導体積層部６と、光反射層１７及び１９と、光反射膜２５と、蛍光板２７とを備える。例文帳に追加

The light-emitting diode 1 has a semiconductor laminate 6, light reflecting layers 17 and 19, a light reflecting film 25, and a fluorescent screen 27. - 特許庁

その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。例文帳に追加

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147. - 特許庁

半導体基板１上に第１層間絶縁膜２を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉ層３，ＴｉＮ層４，ＡｌＣｕ層５およびＴｉＮ層６からなる下部電極用の第１積層１７ａを形成する。例文帳に追加

A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method. - 特許庁

第２絶縁部材８、第２金属部材７、底板１０、フィン１１、天板９、第１金属部材３、第１絶縁部材４及び金属基板５はこの順に積層され、加圧状態で加熱されることによって、一体接合されるため、冷却装置１の製作効率を高めることができる。例文帳に追加

A second insulation member 8, the second metal member 7, the baseplate 10, the fin 11, the top board 9, the first metal member 3, a first insulation member 4, and the metal substrate 5 are stacked in this order, and are heated in a pressurized state for integral junction, thus increasing efficiency in the manufacturing of the cooling device 1. - 特許庁

基板１１２上に堆積した半導体材料の第１の層１３と共にｐ−ｎダイオードを形成する前記半導体材料の第２の層１４と、第１と第２の層の間にあって、光を発生する発光領域１８と、第２の層に堆積した第１の電極１５と、第１の層に電気的に接続された第２の電極１６が含まれている。例文帳に追加

The LED includes a second layer 14 of a semiconductor material which forms a p-n diode along with a first layer 13 of the semiconductor material deposited on a substrate 112, a light emitting region 18 disposed between the first and second layers and emitting light, a first electrode 15 deposited on the second layer, and a second electrode 16 electrically connected to the first layer. - 特許庁

基板ホルダ２１によって基板Ｗを回転させつつ第１及び第２ターゲットユニット３３，３４からの成膜物質を基板Ｗ上に交互に堆積することにより、基板Ｗ上に異なる成分の薄膜層が交互に積層されて多層膜が完成する。例文帳に追加

Thin film layers of different compositions are alternately laminated on a substrate W to complete a multilayer film by alternately depositing film deposition substances from first and second target units 33, 34 on the substrate W while rotating the substrate W by a substrate holder 21. - 特許庁

基板１上に、一対のクラッド層４、６で挟まれた活性層５上にリッジ８、９埋め込み構造を有する第１の半導体積層構造が設けられ、その上に、一対のクラッド層１１、１３で挟まれた活性層１２を有する第２の半導体積層構造が設けられている。例文帳に追加

A first semiconductor laminated structure having the embedded structure of ridges 8 and 9 is formed on an active layer 5 interposed between a pair of clad layers 4 and 6 on a substrate 1, and a second semiconductor laminated structure having an active layer 12 interposed between a pair of clad layers 11 and 13 is formed on this. - 特許庁

このとき、第１の絶縁膜２であるＣａＦ_2 層は基板１であるシリコンウェハと、また第１の金属膜３であるＣｏＳｉ_2 層は第１の絶縁膜２であるＣａＦ_2 層とそれぞれ格子整合した結晶構造で堆積する。例文帳に追加

At this time, the CaF2 layer for the first insulating layer 2 and the CoSi2 layer for the first metal film 3 are deposited in the respective crystal structures lattice matching a silicon wafer forming the substrate 1 and lattice-commensurate with the CaF2 layer for the first insulating layer 2. - 特許庁

第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板５６を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。例文帳に追加

The substrate 56 is transferred to a second deposition chamber 26 while isolating the first deposition chamber 24 from the second deposition chamber 26 to prevent reactants present in the first deposition chamber 24 from affecting deposition in the second deposition chamber 26 and while maintaining an environment that minimizes or eliminates growth stop effects. - 特許庁

また、印刷回路基板上の、独立した第１および第２回路層に位置している、第１および第２導体線間の信号伝達装置において、回路層面に対して斜行して信号線に鈍角をなすように形成された斜行バイアを利用した信号伝達装置である。例文帳に追加

This is a signal transmitting device using the skew via formed so as to skew to the circuit layer surface and form the obtuse angle to the signal line, in a signal transmitting device between a first and second conductive wires locating on independent first and second circuit layers. - 特許庁

そして、液晶滴下装置１２は、枠状の第１シール材の内側に滴下された複数の液晶の合計体積を、所定値のセルギャップにて対向する第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２と第１シール材とにより囲まれた空間の体積と一致するようにした。例文帳に追加

Therein, the liquid crystal dropping device 12 makes the sum volume of a plurality of liquid crystals dropped inside the frame-shaped first seal material coincide with a space volume enclosed by the first substrate W1 and the second substrate W2 which are opposed to each other with a prescribed cell gap, and the first seal material. - 特許庁

基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第１の反応層および第２の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第３の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。例文帳に追加

The pattern forming material formed on a substrate has first and second reaction layers reacted mutually by heating to be expanded in volume and a third reaction layer expanded in volume by heating. - 特許庁

本発明のＲＲＡＭメモリセルは、第１の酸化耐性層２０と、第１の耐熱性金属層２２と、ＣＭＲ層２４と、第２の耐熱性金属層２６と、第２の酸化耐性層２８とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ１６を有する該シリコン基板上に形成される。例文帳に追加

An RRAM memory cell includes a first oxidation resistance layer 20, a first heat resistance metal layer 22, a CMR layer 24, a second heat-resistant metal layer 26, and a second oxidation resistance layer 28; and is formed on a silicon substrate having a metal plug 16 which is connected operably in the silicon substrate, and which is formed on the silicon substrate. - 特許庁

また、守護大名は、荘園内のさまざまな権利に基礎をおいており、荘園体制がくずれることは自らの経済基盤を失うことでもあった。例文帳に追加

Since the shugo daimyo position was founded on various rights in manors, collapse of the manor system meant the loss of their economic base.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

配線基板１０１は、基板表面１１２の信号導体線１２６等と、信号導体線１２６等の一方の側に拡がった表面側第１グランド層１２９Ｋ等及び他方の側に拡がった表面側第２グランド層１２９Ｌ等とを備える。例文帳に追加

The circuit board 101 comprises the signal conductor wire 126 or the like of the surface 112 of the board, a surface side first ground layer 129K or the like extended to the one side of the wire 126 or the like and a surface side second ground layer 129L or the like extended to the other side. - 特許庁

配線基板１０１は、基板表面１１２の信号導体線１２６等と、信号導体線１２６等の一方の側に拡がった表面側第１グランド層１２９Ｋ等及び他方の側に拡がった表面側第２グランド層１２９Ｌ等とを備える。例文帳に追加

The wiring board 101 is provided with the signal conductor wire 126 or the like on the substrate surface 112, a surface side first ground layer 129K or the like extending to one side of the signal conductor wire 126 or the like, and a surface side second ground layer 129L or the like stretching to the other side. - 特許庁

レーザー光を実質的に透過する基板に形成された第１の半導体と第２の積層素子とを、加圧および／あるいは加熱による接合手段で接合すると同時に、レーザーリフトオフを可能とした半導体積層素子の製造装置が、つぎのような炉を備えている。例文帳に追加

This apparatus is provided with a following furnace. - 特許庁

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。例文帳に追加

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3. - 特許庁

ガラス基板１０上にコア層１２を６μｍ、第１上部クラッド１４を３．５μｍ堆積し、マスク１６を蒸着する。例文帳に追加

On a glass substrate 10, a core layer 12 and an upper clad 14 are deposited in thickness of 6 and 3.5 μm respectively and a mask 16 is vapor-deposited. - 特許庁

この積層基板１では，その体積の大部分をなす絶縁層が，ガラス繊維を含まない単体絶縁層１２を厚み方向中央部に配し，その両サイドにガラス繊維入りの強化層である第１複合絶縁層１１および第２複合絶縁層１３を配した構造となっている。例文帳に追加

In this laminated base plate, the insulating layer constituting the greater part of the vol. thereof has such a structure that a single insulating layer 12 containing no glass fiber is arranged to the central part in a thickness direction and a first composite insulating layer 11 and a second composite insulating layers 13 being glass fiber-containing reinforced layers are arranged on both sides thereof. - 特許庁

少なくとも２つの重合体を備え、かつ、基板３に垂直のラメラ構造を有するダイブロック共重合体層が、基板に形成された第１のゲート絶縁体４に堆積される。例文帳に追加

A diblock copolymerization layer containing at least two polymers and having a lamellar structure perpendicularly to a substrate 3 is deposited on a first gate insulator 4 formed on the substrate. - 特許庁

該接続部材６は、入力端子６０及び出力端子６３を具えると共に、中心導体積層基板３の中心導体３１、３２、３３と第１乃至第３整合用コンデンサ５１、５２、５３及び終端抵抗５５を接続すべき第１乃至第３の信号線路を有している。例文帳に追加

The connecting member 6 is provided with an input terminal 60 and an output terminal 63, and has first-third signal lines which connects the center conductors 31, 32, 33 of the center conductor laminate substrate 3, the first-third matching capacitors 51, 52, 53, and the terminating resistor 55. - 特許庁

回転軸１６に軸承された剛体製基台１１の表面に表面研磨層１２ａ／密着層１２ｂ／クッション層１２ｃ／基台密着層１２ｄの積層構造の研磨パッド１２が密着層１２ｄを介して貼着された構造の基板用の研磨定盤１である。例文帳に追加

The polishing machine 1 for a substrate has a structure of sticking the polishing pad 12 of a laminated structure of a surface polishing layer 12a, a close contact layer 12b, a cushion layer 12c and a base close contact layer 12d via the close contact layer 12d to a surface of a rigid body base 11 journaled to a rotary shaft 16. - 特許庁

不使用時の携帯性に優れ、使用時の操作性に優れ、且つ、表示部に表示された文字や番号等を十分に拡大し容易に確認することができる拡大性及び視認性に優れた拡大表示装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnification display device which is excellent in portability when it is not used and by which a character, a number, etc., displayed on a display part can easily be confirmed by sufficiently magnifying them. - 特許庁

半導体基板１１上の第１の層間絶縁膜１２に下層配線１３をパターニングした後、エッチング停止層１４及び第２の層間絶縁膜１５及び反射防止膜１６を順次堆積する。例文帳に追加

After the lower layer wiring 13 is subjected to patterning to a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11, an etching stop layer 14, a second interlayer insulating film 15, and a reflection preventing film 16 are successively built up. - 特許庁

有機ＥＬ素子１０は、陽極層１２と基板１１との間に、第１の誘電体２１としてのシリコン窒化膜と第２の誘電体２２としてのシリコン酸化膜がｎ層ずつ交互に積層された誘電体積層膜２０が形成され、誘電体積層膜２０が光共振器３０として機能する。例文帳に追加

An organic EL element 10 has a dielectric lamination film 20 formed by alternately laminating each n-pieces of silicon oxide layers functioning as first dielectric 21 and second dielectric 22 between an anode layer and a substrate, and the dielectric lamination film functions as an optical resonator 30. - 特許庁

これを製造する方法として、ダミー基板の上に発光ダイオード層を形成した後、その上に透明なｐ型半導体接着基板を接着し、その後ダミー基板を除去して代わりに透明なｎ型半導体接着基板を接着し、全体をほぼ球状に加工する方法を提供する。例文帳に追加

In this manufacturing method, the light-emitting diode layer is formed on a dummy substrate, and the transparent P-type semiconductor bonding substrate is bonded on the dummy substrate, After the dummy substrate is eliminated, the transparent N-type semiconductor bonding substrate is bonded instead of the dummy substrate, and the entirety is worked in a nearly spherical type. - 特許庁

成長基板１００Ｄ上にコンタクト層１６Ｄ、第２クラッド層１５Ｄ、活性層１４Ｄおよび第１型クラッド層１３Ｄを結晶成長させたのち、第１金属層１１Ｄを堆積させて第１ウェハＷ１を形成する。例文帳に追加

After a contact layer 16D, a second clad layer 15D, an active layer 14D and a first type clad layer 13D are grown epitaxially on a growth substrate 100D, a first metal layer 11D is deposited to form a first wafer W1. - 特許庁

基板１０上に積層された第２半導体積層構造２０からｎ型ＤＢＲ層３８までの各半導体層がレーザ発振用の共振器５０を構成しており、光検出機構が共振器５０に内蔵されている。例文帳に追加

Respective semiconductor layers from the second semiconductor laminate structure 20 to an n-type DBR layer 38 laminated on a substrate 10 constitute a resonator 50 for laser oscillation and the optical detection mechanism is incorporated in the resonator 50. - 特許庁

本方法では、先ず、従来と同様にして、サファイア基板１２上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ第１バッファ層１４（低温堆積緩衝層）とＧａＮ第２バッファ層１５を成長させる。例文帳に追加

A GaN first buffer layer 14 (low-temperature sedimentary buffer) and a GaN second buffer layer 15 are grown using an MOCVD method on a sapphire substrate 12, in the same way as in the conventional manner. - 特許庁

基板上に第１層間絶縁膜１２４を堆積した後、第１層間絶縁膜１２４を貫通する大径のコンタクト孔１２５，１２６，１２８と、小径のコンタクト孔１２７とを形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 124 is deposited on the substrate, and contact holes 125, 126 and 128 penetrating to the insulating film 124 and having large diameters and contact holes 127 having small diameters are formed. - 特許庁

半導体基板上に絶縁性保護膜を堆積する工程と、前記絶縁性保護膜表面をドライエッチングして、バンプ５の先端部分を除いてバリアメタル層を被覆する第２の絶縁性保護膜６を形成する。例文帳に追加

A process for accumulating the insulating protective film on the semiconductor substrate is performed, and the surface of the insulating protective film is dry-etched, and the tip of the bump 5 is removed to form a second insulating protective film 6 coating the barrier metal layer. - 特許庁

半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。例文帳に追加

An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure. - 特許庁