ふぉとぶりーちんぐの英語

スイッチング指令ＰＷＣ１およびＰＷＣ２は、それぞれ電圧フィードバック制御要素と電圧フィードフォワード要素との組合せ、および電流フィードバック制御要素と電圧フィードフォワード要素との組合せによる制御演算に基づいて、生成される。例文帳に追加

Switching commands PWC1 and PWC2 are created, respectively, based on control operation by combination of a voltage feedback control element and a voltage feedforward element, and combination of a current feedback control element and a voltage feedforward element. - 特許庁

フォーカスリング５の影響によるウエハＷの外周縁部とその内側との間の電界強度の差を解消できず、ウエハＷの外周縁部のエッチングレートが低下し、エッチングレートが不均一になる。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus that can process a plasma treatment such as an etching equally on a whole surface of a treated object by reducing the difference of the field strength between the periphery edge and the interior of the treated object. - 特許庁

新規な光変性（フォトブリーチング）可能な発光性有機色素とそれを用いた有機ＥＬ素子の提供。例文帳に追加

To provide novel light emitting organic pigments capable of photo- bleaching and organic EL elements using the same. - 特許庁

均一な矩形断面形状と均一な屈折率分布を有するフォトブリーチング導波路を提供する。例文帳に追加

To provide a photo-breaching waveguide having a uniform rectangular cross section shape and the uniform distribution of refractive index. - 特許庁

高精度の導波路を簡単かつ低コストで得られる積層構造型フォトブリーチング導波路及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated structure type photobleaching waveguide, with which a high-precision waveguide can be easily obtained at a low cost and its manufacturing method. - 特許庁

次に、接続プラグＢＰ上に開口を有しワード線ＷＬ方向に直線状に形成されたフォトレジスト膜３５を形成し、フォトレジスト膜３５とタングステン膜をマスクとして絶縁膜の残部をエッチングし、接続プラグＢＰを露出する。例文帳に追加

Furthermore, a photoresist film 35, which has an opening and is formed linearly in the direction of the word line WL, is formed on the connection plug BP, and the remaining part of the insulation film is etched using the photoresist film 35 and tungsten film as a mask, to expose the connection plug. - 特許庁

次に、接続プラグＢＰ上に開口を有しワード線ＷＬ方向に直線状に形成されたフォトレジスト膜３５を形成し、フォトレジスト膜３５とタングステン膜をマスクとして絶縁膜の残部をエッチングし、接続プラグＢＰを露出する。例文帳に追加

Next, a photo resist film 35, which has an opening on the connecting plug BP and is made rectilinearly in the direction of the word line WL, is made, and using the photoresist film 35 and the tungsten films as masks, the remainder of the insulating film is etched to expose the connecting plug BP. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び露光のラチチュードの優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and exposure latitude. - 特許庁