「ふぉとぶりーちんぐ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、リング状ゲート電極１の幅Ｗ１、Ｗ２は、同一寸法のフォトマスクを使って同一工程のフォトプロセスとエッチングで作るので、ほぼ同じとみなせる。例文帳に追加

Since the widths W1, W2 of the ring-shaped gate electrodes 1 are formed by the photo-process and etching of the same process by using photomasks of the same dimensions, the widths W1, W2 are regarded as almost the same values. - 特許庁

フォトリソグラフィ工程後にエッチング処理が施された基板において、パターンの線幅（ＣＤ）とサイドウォールアングル（ＳＷＡ）とを夫々、前記基板面内で均一に形成すること。例文帳に追加

To form the line width CD of a pattern, and a sidewall angle SWA uniformly in a substrate surface in each substrate that is etched after a photo lithography process. - 特許庁

スイッチング指令ＰＷＣ１およびＰＷＣ２は、それぞれ電圧フィードバック制御要素と電圧フィードフォワード要素との組合せ、および電流フィードバック制御要素と電圧フィードフォワード要素との組合せによる制御演算に基づいて、生成される。例文帳に追加

Switching commands PWC1 and PWC2 are created, respectively, based on control operation by combination of a voltage feedback control element and a voltage feedforward element, and combination of a current feedback control element and a voltage feedforward element. - 特許庁

フォーカスリング５の影響によるウエハＷの外周縁部とその内側との間の電界強度の差を解消できず、ウエハＷの外周縁部のエッチングレートが低下し、エッチングレートが不均一になる。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus that can process a plasma treatment such as an etching equally on a whole surface of a treated object by reducing the difference of the field strength between the periphery edge and the interior of the treated object. - 特許庁

新規な光変性（フォトブリーチング）可能な発光性有機色素とそれを用いた有機ＥＬ素子の提供。例文帳に追加

To provide novel light emitting organic pigments capable of photo- bleaching and organic EL elements using the same. - 特許庁

均一な矩形断面形状と均一な屈折率分布を有するフォトブリーチング導波路を提供する。例文帳に追加

To provide a photo-breaching waveguide having a uniform rectangular cross section shape and the uniform distribution of refractive index. - 特許庁

高精度の導波路を簡単かつ低コストで得られる積層構造型フォトブリーチング導波路及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated structure type photobleaching waveguide, with which a high-precision waveguide can be easily obtained at a low cost and its manufacturing method. - 特許庁

次に、接続プラグＢＰ上に開口を有しワード線ＷＬ方向に直線状に形成されたフォトレジスト膜３５を形成し、フォトレジスト膜３５とタングステン膜をマスクとして絶縁膜の残部をエッチングし、接続プラグＢＰを露出する。例文帳に追加

Furthermore, a photoresist film 35, which has an opening and is formed linearly in the direction of the word line WL, is formed on the connection plug BP, and the remaining part of the insulation film is etched using the photoresist film 35 and tungsten film as a mask, to expose the connection plug. - 特許庁

次に、接続プラグＢＰ上に開口を有しワード線ＷＬ方向に直線状に形成されたフォトレジスト膜３５を形成し、フォトレジスト膜３５とタングステン膜をマスクとして絶縁膜の残部をエッチングし、接続プラグＢＰを露出する。例文帳に追加

Next, a photo resist film 35, which has an opening on the connecting plug BP and is made rectilinearly in the direction of the word line WL, is made, and using the photoresist film 35 and the tungsten films as masks, the remainder of the insulating film is etched to expose the connecting plug BP. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び露光のラチチュードの優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and exposure latitude. - 特許庁

複数のパワースイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ６の温度を適切に監視することとコストパフォーマンスの低下を回避することとの両立を図ることが困難なこと。例文帳に追加

To properly monitor the temperature of a plurality of power switching elements and to avoid the drop of cost performance. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び密着性の優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and adhesion. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin. - 特許庁

直鎖Ｃ_５Ｆ_８を含むエッチングガスをプラズマ化して、被処理体Ｗ中のエッチング対象部、例えばＳｉＯ_２層６１を、エッチング対象部を覆った開口部を有するマスク、例えばフォトレジストマスク層６２を介してプラズマエッチングする。例文帳に追加

An etching gas including straight chain C_5F_8 is made into a plasma and the etching object portion in a wafer W to be processed, for example, a SiO_2 layer 61 is etched with the plasma via a mask covering the etching object portion and having an aperture, for example, a photoresist mask layer 62. - 特許庁

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。例文帳に追加

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching). - 特許庁

衝突が検知されると、フォトカプラ５４をオフ操作することで、シリーズレギュレータ４０がオン状態となり、これによりＵ相のスイッチング素子Ｓｗｎがオン状態とされる。例文帳に追加

When a collision is detected, a photocoupler 54 is turned off, so that the series regulator 40 is turned on and hence a U-phase switching element Swn is turned on. - 特許庁

乗算器からの出力は、増幅器３、フォトカップラＰＣ１、カレントモードＰＷＭ制御回路２を介して、スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ制御を行い、乗算器からの出力が所定の値で一定となるよう制御する。例文帳に追加

Output from the multiplier is controlled to have a specified constant level by performing ON/OFF control of the switching element through an amplifier 3, a photocoupler PC1 and a current mode PWM control circuit 2. - 特許庁

その後、上記窒化シリコン膜９とフォトレジスト膜１０とをマスクに用いたエッチングで、ゲート電極８Ａ（ワード線ＷＬ）およびゲート電極８Ｂ〜８Ｄを同時にパターン形成する。例文帳に追加

Subsequently, the gate electrode 8A (word line WL) and the gate electrodes 8B-8D are patterned simultaneously by etching while employing the silicon nitride film 9 and a photoresist film 10 as a mask. - 特許庁

被処理体Ｗが、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、第１電極５に直流負電圧を印加しながら、フォトレジスト層をマスクに用いて、有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングする。例文帳に追加

The target object W to be processed has an organic film and a photoresist layer formed on the organic film, and the organic film is etched with plasma containing hydrogen using a processing gas containing hydrogen as a processing gas and also using the photoresist layer as a mask while applying a DC negative voltage to a first electrode 5. - 特許庁

輸送運搬中や保管中等軸受停止中の振動・揺動によるフレッチング、フォールスブリネリングを防止することができるニードル軸受を提供する。例文帳に追加

To provide a needle bearing, capable of preventing fretting or false brinelling by vibration or oscillation during stoppage of the bearing such as during transportation or during storage. - 特許庁

基板１０上にフォトブリーチング材料、無機材料及び有機材料のうち少なくともフォトブリーチング材料を含む誘電体膜１１〜１５を形成し、その誘電体膜１１〜１５に照射する紫外線光の光エネルギーを調節するという簡単な構成により層間絶縁膜１１〜１５の比誘電率を低くすることができる。例文帳に追加

Dielectric films 11 to 15 containing at least a photo-bleeching material out of photo-bleeching, inorganic, and organic materials are formed on a substrate 10, and the light energy of ultraviolet rays applied to the dielectric films 11 to 15 is adjusted, thus reducing the relative dielectric constant of the interlayer insulating films 11 to 15 with a simple configuration. - 特許庁

2つのフォトダイオードからのモニター電流を選択的にレーザーダイオードＬＤ１、ＬＤ２のそれぞれのＡＰＣループに供給するスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２を設け、２ＬＤ−１ＰＤ素子２つの１ＬＤ−１ＰＤ素子に対応する。例文帳に追加

Switching circuits SW1 and SW2 selectively supplying monitoring currents from two photodiodes to the APC loops of laser diodes LD1 and LD2 respectively are provided so as to deal with a 2LD-1PD device and two 1LD-1PD devices. - 特許庁

光時分割多重方式の光スイッチングを、構成部品数が少なく、制御が簡単で、ＷＤＭ方式と比較してコストパフォーマンスや信頼性に優れた実用的な構成で実現する。例文帳に追加

To realize optical switching adopting an optical time division multiplex system with a practical configuration with less component number and simple control and more excellent on the cost performance and the reliability in comparison with the WDM(Wavelength Division Multiplex) system. - 特許庁

従来のようなフォトリソグラフィ等を用いないで低屈折率層２で覆われたフォトブリーチング用ポリマ層３に紫外線レーザビームＢを集光、照射しながら基板１側又はレーザビームＢのいずれかを相対的に移動させてパターニングを行ない、光伝搬層となるコア層５及びそれをガイドする側面クラッド層６，６を形成する。例文帳に追加

Patterning is carried out without using a conventional photolithographic method or the like but by focusing a UV laser beam B to a polymer layer 3 for photo-bleaching coated with a low refractive index layer 2 to irradiate the layer while either a substrate 1 side or the laser beam B is relatively moved so as to form a core layer 5 as a light propagation layer and side clad layers 6 to guide the light. - 特許庁

透明基板上に位相反転膜パターン及び光遮蔽膜パターンを順次に配置してフォトマスクを形成し、隣接する位相反転膜パターンをブリッジさせる不良パターンの生じたフォトマスク全面にレジスト膜を形成する段階と、レジスト膜をエッチングして不良パターンを露出させる段階と、露出した不良パターンを除去する段階と、を含む構成とした。例文帳に追加

The method includes steps of: consecutively disposing a phase shift layer pattern and a light shielding layer pattern over a transparent substrate to form a photomask and forming a resist layer over the entire surface of the photomask having a defective pattern causing a bridge between neighboring portions of the phase shift layer pattern; exposing the defective pattern by etching the resist layer; and removing the exposed defective pattern. - 特許庁

フォトエッチング可能か又は透明である材料のカバーウェハ２０をパターン成型し、多数の半導体デバイスを搭載したデバイス基板１０へカバーとして取り付けアセンブリ２４を形成する。例文帳に追加

A cover wafer 20 made of materials capable being photoetched or transparent materials is pattern-molded, and mounted on a device substrate 10 on which plural semiconductor devices are loaded as a cover so that an assembly 24 can be formed. - 特許庁

これにより、駆動回路１３ａは、６ＰＷＭ信号発生回路１３ｄからフォトカプラ１３ｅを経て６個の信号を入力し、インバータ部１３ｂの６個のＩＧＢＴをスイッチング制御する。例文帳に追加

Thus, a drive circuit 13a inputs six signals from the generator 13d via a photocoupler 13e, and controls to switch six IGBTs of an inverter 13b. - 特許庁

これにより、電源オン状態となり、マイコン５１は、スイッチング回路ＳＷ１のスイッチを切替え、フォトダイオードＰＤで受信されるリモコンコード６６に応じた制御を電源ユニット５各部に対して行う。例文帳に追加

Thus, a power-on state is provided and the microcomputer 51 changes over a switch of a switching circuit SW1 and performs control, corresponding to the remote control code 66 received by the photodiode PD, upon respective parts of a power unit 5. - 特許庁

半導体基板１上の全面に多結晶シリコン膜５を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜５をパターニングすることにより、スクライブ領域Ｒ３にゲッタリングサイト５ａを形成する。例文帳に追加

A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3. - 特許庁

シリコン基板１上に形成されたポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５を配線形状にパターニングして当該ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５からなるゲート配線１０を形成する方法であって、ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５の上方にＢＡＲＣ膜２１を形成し、このＢＡＲＣ膜２１上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを配線形状に露光し、現像処理してレジストパターン３２を形成し、このレジストパターン３２をマスクにＢＡＲＣ膜２１をＣＨＦ_３ガスとＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとからなる第１混合ガスでドライエッチングする。例文帳に追加

The wiring forming method is the one wherein a formed polysilicon film 13 and a formed WS film 15 on a silicon substrate 1 are so patterned into a wiring shape as to form a gate wiring 10 comprising the polysilicon film 13 and the WS film 15. - 特許庁

通常は、第１出力回路11の出力電圧をフォトダイオード15で検出し、スイッチングレギュレータ19でＰＷＭ制御して第１出力回路11を定電圧制御している。例文帳に追加

Ordinarily, the output voltage of the first output circuit 11 is detected through a photo diode 15, and PWM(Pulse Width Modulation) control is exercised by a switching regulator 19 to control the first output circuit 11 to a constant voltage. - 特許庁

フォトマスク基板上において、デバイスチップ領域を囲む外部領域を露光し、ダミー遮光パターンを形成することにより、エッチング量を減少させる。例文帳に追加

An etching amount is reduced by exposing an external region surrounding a device chip region on a photomask substrate to form a dummy light shielding pattern. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが少なく、エッジラフネスが良好で、ＳＥＭ観察時シュリンクが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which can be suitably used for microphotofabrication using far-UV rays, and particularly ArF excimer laser light and which causes little roughening of the surface during etching and shows preferable edge roughness and little shrinkage during observation by an SEM. - 特許庁

フォトブリーチング用ポリマ材料を有機溶媒に溶かしてポリマ溶液とし、ポリマ溶液に紫外線を照射することにより、ポリマ溶液の屈折率が紫外線の照射量に比例して略直線状に低下する。例文帳に追加

In this production method for a polymer material, a polymer material for photobleaching is dissolved in an organic solvent, and the resultant polymer solution is irradiated with ultraviolet rays. - 特許庁

生体適合性高分子としては、フィブリン、ゼラチン、コラーゲン、ヒアルロン酸、ポリフォスファジン、ポリアクリレート、ポリグラティック酸、ポリグリコリック酸、プルロニック酸、又はアルギン酸とその塩の中から選択された１つ以上であることが好ましい。例文帳に追加

The biocompatible polymer is preferably at least one selected from among fibrin, gelatin, collagen, hyaluronic acid, polyphosphazine, polyacrylate, polyglactic acid, polyglycolic acid, pluronic acid, and alginic acid and a salt thereof. - 特許庁

その後、このフォトレジスト層の除去部２９Ｗを通じてその特定領域の第１のシリコン絶縁膜２８を弗化水素酸を含む水溶液によるエッチング液によって除去する。例文帳に追加

Subsequently, the first silicon insulation film 28 in that specified region is removed by etching liquid of aqueous solution containing hydrofluoric acid through a removing part 29W of the photoresist layer. - 特許庁

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。例文帳に追加

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition suitable for use in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, having high sensitivity and small density dependence and ensuring slight surface roughening in etching. - 特許庁

フォトブリーチング用ポリマ材料で透明な球状レンズを形成し、その球状レンズに、紫外線照射により球体レンズの外周１２から中心１１に向かって屈折率が高くなる屈折率分布１３を形成した。例文帳に追加

A transparent globular lens is formed with photobleaching polymer material and a refractive index distribution 13 such that refractive index becomes higher toward the center 11 from the outer periphery 12 of the globular lens by ultraviolet irradiation is formed in the globular lens. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which is suitable for use in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and which has high sensitivity and small density dependency and is less liable to surface roughening in etching. - 特許庁

高屈折率を有するゲルマニウム含有感光性樹脂およびゲルマニウム含有感光性樹脂組成物、および、それらのフォトブリーチングによる屈折率制御法を提供する。例文帳に追加

To provide a germanium containing photosensitive resin having a high refractive index as well as a germanium containing photosensitive resin composition, and also to provide a refractive index control method by their photobleaching. - 特許庁

マルチモードのポリマー光導波路のようにコア層３ａ及び側面クラッド層３ｂの厚みが２０μｍ以上であるようなポリマー光導波路であっても、側面クラッド層３ｂのフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができるポリマー光導波路の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polymer optical waveguide in which photobleaching of a flank clad layer 3b can uniformly be carried out in a short period of time even when the polymer optical waveguide is such that a core layer 3a and the flank clad layer 3b are ≥20 μm like a multi-mode polymer optical waveguide. - 特許庁

二次電池が満充電に至り、充電電流の出力が不要になったことを充電制御回路１３が判別した後、フォトカプラ１１を介して電気信号を制御回路６に供給する事により、制御回路６がＰＷＭコンバータ４に信号を送りスイッチング素子１４をＯＦＦにする。例文帳に追加

After a charging control circuit 13 determines that the secondary battery is fully charged and an output of a charging current is not necessary, a control circuit 6 transmits a signal to a PWM converter 4 and turns off a switching element 14, by feeding an electrical signal to the control circuit 6 via a photocoupler 11. - 特許庁

簡易な構成によってフォトカプラのスイッチング遅れ時間を補正し、調光信号送出装置から送出されるＰＷＭ信号の周波数に関わらず、送出された前記ＰＷＭ信号に対応する調光用直流電圧を生成可能な調光用直流電圧装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dimming DC voltage device having simple construction for correcting a switching delay time for a photocoupler to generate dimming DC voltage corresponding to a delivered PWM signal independently of the frequency of the PWM signal delivered from a dimming signal delivery device. - 特許庁

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが低減されたレジスト組成物、また更には、感度、解像力、プロファイル、パターン倒れ、サイドローブマージン、疎密依存性などの諸特性にも優れたレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition which is suitably used in a super-microlithography process and other photofabrication processes such as manufacture of VLSIs and high capacity microchips and whose surface roughness in etching is reduced, and further a resist composition which has superior characteristics of sensitivity, resolving power, a profile, a pattern fall, a side lobe margin, roughness and fineness dependency, etc. - 特許庁