| 例文 (61件) |
ふぉとぶりーちんぐの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 61件
ＳＡＷチップを被覆するために塗布した液状樹脂がＩＤＴ電極に付着する不具合を防止するためにＳＡＷチップ下面にＩＤＴ電極等を包囲するダムを、フォトエッチング技術にて形成する際に、ＩＤＴ電極や接続パッド上に感光性樹脂フィルム等の残渣が残留して、ＳＡＷチップ、或いはＳＡＷデバイスの電気的特性を劣化させる不具合を解消することができる。例文帳に追加
To solve a problem that a residue of a photosensitive resin film remains on an IDT electrode and a connection pad and that an electric characteristic of a SAW chip or a SAW device is deteriorated when a dam surrounding the IDT electrode is formed on a lower face of the SAW chip by photoetching technology for preventing a defect that liquid-like resin applied to cover the SAW chip adheres to the IDT electrode. - 特許庁
高いバイアス電圧を印加した異方性の高いプラズマエッチングを行う際においても、ＡｒＦフォトレジストの表面及び側壁の荒れを抑制することができ、ストライエーション、ＬＥＲ、ＬＷＲの発生を抑制して所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体を提供する。例文帳に追加
To provide a plasma-etching method which prevents the surface and the sidewall of ArF photoresist from being roughened when high anisotropy plasma-etching is performed by applying a high bias voltage, and forms a pattern of a desired shape by controlling occurrence of striation, LER and LWR, and to provide a computer storage medium. - 特許庁
駆動回路３０〜３６による高電位側スイッチング素子ＳＷＨ及び低電位側スイッチング素子ＳＷＬの駆動許可及び停止を指令する許可信号ＰＳは、ＣＰＵ５０からフォトカプラ４２を介して高電位側信号線Ｌ１及び低電位側信号線Ｌ２間の電位差信号として出力される。例文帳に追加
The permission signal PS issuing a command to permit or stop driving of a high-potential side switching element SWH and a low-potential side switching element SWL by the driver circuits 30 to 36 is output as a potential-difference signal between a high-potential side signal line L1 and a low-potential side signal line L2 through a photo-coupler 42 from a CPU 50. - 特許庁
ＣＣＤセンサを製造すべく、光電変換素子２１０がマトリックス状に形成されたウエハＷ上に絶縁膜２５１を成膜し、導電性膜を成膜してフォトレジスト層を用いてエッチングにより転送電極２２１を形成する。例文帳に追加
To manufacture a CCD sensor, an insulating film 251 is deposited on a wafer W where a photoelectric converting element 210 is formed in a matrix, a conductive film is deposited and a transfer electrode 221 is formed by etching using a photoresist layer. - 特許庁
受光量に応じて端子電圧が変化するフォトダイオードＰＤの端子電圧Ｖｐｄが所定の閾値を超えたときにオフになるスイッチング素子ＳＷを介して画素内コンデンサーＣに、撮像する空間の位置に応じて異なるアナログ電圧信号Ｖｍｒｋを与える機能を有する画素回路６０で構成されたイメージセンサー。例文帳に追加
This image sensor is constituted of a pixel circuit 60 having a function for giving an analog voltage signal Vmrk which is different corresponding to a position of a space to be imaged to a capacitor C in a pixel through a switching element SW to be switched off when a terminal voltage Vpd of a photodiode PD whose terminal voltage is changed corresponding to a light receiving quantity exceeds a prescribed threshold. - 特許庁
Ｌｏｗ−ｋ膜にＣｕなどの金属配線を埋め込み形成する際に、ビアホールや配線溝を形成するためのドライエッチング用プラズマあるいはフォトレジストを剥離するためのアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくした半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the influence of damages given to a low-k film by a dry etching plasma used for forming via holes or wiring grooves or ashing performed for peeling a photoresist can be eliminated at the time of forming metallic wiring of Cu, etc., by burying the wiring in the low-k film. - 特許庁
あるいは、降圧チョッパ回路に代えて、昇降圧チョッパ回路またはフライバックコンバータを用いて、そのスイッチング素子をオン・オフするＰＷＭ信号のパルス幅を脈流電圧の位相に応じてフィードフォワード制御すると共に発光ダイオードの電流検出信号に応じてフィードバック制御する。例文帳に追加
Alternatively, using a step-up/step-down chopper circuit or a flyback converter instead of a step-down chopper circuit, the pulse width of the PWM signal for switching on/off the switching element is feed-forward-controlled according to the phase of the pulsating voltage and feed-back-controlled according to the current detecting signal of the light-emitting diode. - 特許庁
操作者がモード切換スイッチ４７５を操作して、複合機１が低電力消費モードに切り換えられ、フォトカプラ１７がオン信号を出力すると、ＰＷＭ制御部１５０８は、スイッチング素子１５０７に出力する周波数を下げ、スイッチング素子１５０７が供給する電力量を低電力モード用に低下させる。例文帳に追加
When an operator manipulates a mode changeover switch 475 to switch a multifunction machine 1 to a power consumption reduction mode and a photocoupler 17 outputs an ON signal, a PWM control section 1508 reduces a frequency to be outputted to a switching element 1507 and reduces the quantity of power supplied by the switching element 1507 for the power reduction mode. - 特許庁
コンパレータ２４，２７は出力電圧異常を検出したらフォトダイオード１３に流す電流を増加させて一次側に伝達し、一次側では、スイッチングトランジスタ７の制御パルスを生成するＰＷＭコンパレータ２１に入力されるフィードバック電圧Ｖ（ＦＢ）に所定の電圧を加算あるいは減算することで、制御パルスの出力を停止させる。例文帳に追加
The switching power unit suspends a control pulse output by such procedures that comparators 24, 27 increase the current flown into a photodiode 13 to convey the output voltage abnormality detected, if any, to a primary side, and then the primary side adds a prescribed voltage to or subtracts it from a feedback voltage V (FB) input into a PWM comparator 21 generating the control pulse of a switching transistor 7. - 特許庁
ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。例文帳に追加
A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method. - 特許庁
フォトブリーチング用ポリマからなるコア層３及び側面クラッド層４−１、４−２の上下に、紫外線光吸収機能とクラッド層の機能とを有する紫外線光吸収層１０−１、１０−２を設けることにより、均一な矩形断面形状と均一な屈折率分布とを有するコア層３を設けることができる。例文帳に追加
A core layer 3 having the uniform rectangular cross section shape and the uniform distribution of refractive index is provided by preparing ultraviolet ray absorbing layers 10-1, 10-2 having a ultraviolet ray absorbing function and a clad layer function on upper and rear surfaces of the core layer and side surface clad layers 4-1, 4-2 consisting of photo-breaching polymer. - 特許庁
| 例文 (61件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
