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べべるかくどの英語
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「べべるかくど」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
そして、上記ベベル面１５のＳＯＩ層１３表面に対するベベル角度θが、３０度〜６０度の範囲にしてある。例文帳に追加
A bevel angle θ of the bevel face 15 to the surface of the SOI layer 13 is set to 30-60 degrees. - 特許庁
ベベル端面が半導体基板の表面に対して垂直な面を有する半導体基板であって、ベベル傾斜角度を１０°以下とし、ベベル幅が５０〜３００μｍで、かつ、ベベル高さが５０μｍ以下に設定された半導体基板。例文帳に追加
The semiconductor substrate having a bevel end surface vertical with respect to the surface of the semiconductor substrate is specified so that angle of inclination of the bevel is not bigger than 10°, and the width of bevel is 50-300 μm while the height of bevel is not higher than 50 μm. - 特許庁
ウェーハのベベル部で保持する構造のサセプタであって、その保持部の傾斜角度が、ウェーハのベベル角度をＸ°とした場合、Ｘ°−１〜Ｘ°＋１の範囲内で、リング状とする。例文帳に追加
A susceptor holding with a bevel portion of wafer in structure is characterized in that a slant angle of its holding portion, when a bevel angle of the wafer is set X°, is within X°-1 to X°+1, and its shape is profiled in ring. - 特許庁
ベベル針２２は、刃面２２１と両頭針２の軸のなす角度が０〜５°になるように先端側が１０〜２０°屈曲されている。例文帳に追加
The bevel needle 22 is bent at 10 to 20° on its front end side in such a manner that the angle made by a blade surface 221 and the axis of a double head needle 2 attains 0 to 5°. - 特許庁
研磨ヘッド３０は、被処理基板１０のベベル部及びデバイス面側のエッジ部に対して、接触・加圧・角度調整を行うことができる。例文帳に追加
The grinding head 30 can perform contact/pressure/angle adjustments for a bevel section and device-face-side edge section of the processed substrate 10. - 特許庁
第１押付用シリンダ１８１は半導体ウェハ１０のエッジ部１１の上側ベベル１１Ａを所定の角度で第１の研磨面１１２Ａに押し当て、第２押付用シリンダ１８２は下側ベベル１１Ｂを所定の角度で第２の研磨面１２２Ａに押し当てる。例文帳に追加
A first pressing cylinder 181 presses the upper bevel 11A of the edge portion 11 of the semiconductor wafer 10 against the first polishing surface 112A at a given angle, and a second pressing cylinder 182 presses the lower bevel 11B against the second polishing surface 122A at a given angle. - 特許庁
ラインＬ１が半導体基板１の主面となす角度αは０°よりも大きく３０°以下に設定され、半導体基板１のベベル部ＢＶ１の角度に合わせて適宜設定される。例文帳に追加
An angle α formed by the line L1 with the main surface of the semiconductor substrate 1 is set to be >0° and ≤30° and is appropriately set matched with the angle of the bevel part BV1 of the semiconductor substrate 1. - 特許庁
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「べべるかくど」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
そして、変更後の吸着ノズル２６〜２８が縦軸回の所定の基準回転角度にセットされるように、第１ベベルギヤ５６の回転を阻止する際の第１ベベルギヤ５６の縦軸回りの拘束位置を制御する制御手段を設けた。例文帳に追加
Additionally a control means for so controlling the restricting position around the vertical axis of the first bevel gear 56 at rotation of the first bevel gear 56 which is obstructed as the chucking nozzle 26 to 28 to be set at a predetermined rotating angle of the vertical axis rotation after the change, is provided. - 特許庁
ワークギヤ・スピンドル（１８）は、その軸線及び基準軸線（Ｏ）により基準面を画定し、加工される個々のベベルギヤについて、前記基準面に直交する回転軸線（Ｐ）を中心にして角度位置が調整可能であって、しかも加工中に、その角度位置が変更されることがない。例文帳に追加
A work gear spindle 18 demarcates a reference surface by the axis and the reference axis O, and can adjust an angle position with the pivot axis P orthogonal to the reference surface as the center on machining individual bevel gears, and does not change the angle position in machining. - 特許庁
トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がｐ−ベース拡散層とｎ−Ｓｉ層との境界線に対して成す角度θは、９０°未満になっている正ベベル構造となっている。例文帳に追加
A positive bevel structure where the cross section shape of the trench is formed to a downward sectorial trapezoid, and an angle θwhich the down groove wall direction of the trance makes against the boundary line of the p-base diffusion layer and the n-Si layer becomes under 90 degrees, is provided. - 特許庁
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