アショットの英語

ノズルを金型から離脱させた状態で射出（エアショット）を行い、そのとき検出される射出圧力カーブＰａを得る。例文帳に追加

Injection (air shot) is performed in such a state that a nozzle is separated from a mold and the injection pressure curve Pa detected at this time is obtained. - 特許庁

噴射部材１５０の偏向面１５４はエアショットを偏向し、穴３０の内壁面３２に８０度の角度で投射する。例文帳に追加

A deflection face 154 of the jet member 150 deflects the air shot and projects it on an inner wall face 32 of a hole 30 at an angle of 80 degrees. - 特許庁

ベース部材１２０に取り付けられる差込管１６０はエアショットを案内し、噴射ノズル１６６から噴射する。例文帳に追加

An insertion pipe 160 attached to the base member 120 guides the air shot to spout it from a jet nozzle 166. - 特許庁

ジャンクションバリアショットキー構造をもつダイオードにおいて、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier diode, having a junction barrier Schottky structure, that enables improvement of reverse surge withstand capability of a Schottky junction portion. - 特許庁

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ^+領域を形成し、また金属電極とｐ^+領域とコンタクト抵抗を低減する。例文帳に追加

To selectively form a p^+ region on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the p^+ region without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode. - 特許庁

ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a junction barrier Schottky diode which can make compatible the reduction of a leakage current and the increase of an on-current while avoiding the reduction of a breakdown voltage of the junction barrier Schottky diode. - 特許庁

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。例文帳に追加

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region. - 特許庁

トレンチ金属酸化物半導体（ＭＯＳ）バリアショットキー（ＴＭＢＳ）デバイスでは、トレンチ内にポリシリコンが形成され、隣接するトレンチ間の表面とは、金属コンタクトで接続され、エッチングに起因するエッジリークを低減する方法及び／又は装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and/or TMBS [trench MOS (metal oxide semiconductor) barrier Schottky] device by and/or in which edge leak due to etching is reduced, wherein in the TMBS device, polysilicon is formed in trenches and a contacting metal is connected to a surface between adjacent trenches. - 特許庁