アパーチャマスクの英語

荷電ビーム描画装置用アパーチャマスクデータ作成方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS OF CREATING APERTURE MASK DATA FOR CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS - 特許庁

ＸＹ方向における電子ビームのぼけ量（Ｓ２）の違いによる形状補正を取り入れてＣＰアパーチャマスクを作成し（Ｓ９）、該ＣＰアパーチャマスクを用いて試料上にパターンをＣＰ露光する。例文帳に追加

A CP aperture mask is formed (S9) as a shape correction based on a blur difference (S2) of the beam between the directions of X and Y is taken into consideration, and the image of the pattern is transferred on the specimen for CP exposure by the use of the CP aperture mask. - 特許庁

露光データ作成方法、アパーチャマスクデータの作成方法、荷電ビーム露光方法、及び荷電ビーム露光装置例文帳に追加

METHOD FOR PREPARING EXPOSURE DATA, METHOD FOR PREPARING APERTURE MASK DATA, ELECTRIC CHARGE BEAM EXPOSURE METHOD, AND ELECTRIC CHARGE BEAM EXPOSURE SYSTEM - 特許庁

荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャマスク交換判定方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY, METHOD OF DETERMINING APERTURE MASK REPLACEMENT THEREOF, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができるＥＢ描画装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an EB drawing device in which the image of a first aperture can be formed on a second forming aperture mask accurately. - 特許庁

パターン処理装置、部分一括アパーチャマスク、パターン処理方法およびステンシルマスクの作製方法例文帳に追加

PATTERN PROCESSOR, PARTIAL/FULL APERTURE MASK, PATTERN PROCESSING METHOD, AND FABRICATING METHOD OF STENCIL MASK - 特許庁

露光を行なうキャラクタの、ＣＰアパーチャマスク上の配置から、使用する各キャラクタ開口を１回通過する偏向経路のうち、最短距離をとる偏向経路を経路を選択する（Ｓ１０３）。例文帳に追加

From arrangement on a CP aperture mask of characters performing exposure, a deflection path taking the shortest distance is selected from among deflection paths which pass once each of the character apertures to be used (S103). - 特許庁

眼底カメラＡで生成される眼底画像は、画像処理装置Ｘに送られてきた段階では撮影範囲を示すアパーチャマスクが加えられている。例文帳に追加

To the fundus image generated in the fundus camera A, an aperture mask indicating a photographing range is added in the stage that it is sent to the image processor X. - 特許庁