アルゴン原子の英語

ガス状化学物質であるアルゴン（Ar）、窒素（N_2）、およびシラン（SiH_4）を使用して、水素含量が13原子パーセント未満の窒化珪素を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming silicon nitride containing hydrogen less than 13 atomic %, using gaseous chemical substances argon(Ar), nitrogen (N2) and silane(SiH4). - 特許庁

二酸化ケイ素：１０〜３０原子％、アルゴン、窒素、またはアルゴンおよび窒素の混合成分：０．０１〜１０原子％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする高速スパッタリングが可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target for forming the protective film of the optical recording medium is the sintered compact which has a composition comprising 10-30 atomic% silicon dioxide, 0.01-10 atomic% argon, nitrogen or a mixture thereof and the balance being zinc sulfide. - 特許庁

また、アセチレンなどの炭化水素系ガスと酸素とアルゴンなどの不活性ガスとの混合比率を調整して、得られるナノサイズカーボンにおける炭素原子の結合数を調整する。例文帳に追加

Also, the number of the bonded carbon atoms of the obtained nanosize carbon material is controlled by adjusting the mixing ratio among the hydrocarbon gas such as acetylene, the oxygen and the inert gas such as argon. - 特許庁

この水素エンジンは、燃焼室２１に水素、酸素及び作動ガスとして比熱比が大きい単原子分子のアルゴンガスを供給し、水素を自着火燃焼させる。例文帳に追加

This hydrogen engine supplies hydrogen, oxygen and argon gas of large ratio of specific heat and of monoatomic molecule serving as a working gas to a combustion chamber 21 to self-fire and burn the hydrogen. - 特許庁

ウォッシュ・アウトガス混合物は、アルゴンが追加されるヘリウムとフッ素との混合物を含むのが好ましく、ウォッシュ・アウトガス混合物の中のヘリウムの量は３．１〜３１原子パーセントの範囲である。例文帳に追加

It is preferable that the washout gas mixture includes a mixture of helium and fluorine to which argon is added and the quantity of the helium in the washout gas mixture ranges from 3.1 to 31 atom percent. - 特許庁

スパッタリングによりＣｏＣｒＰｔ磁性層を成膜する際に、スパッタガスとして酸素及びアルゴン混合ガスを用い、酸素混合比を調節して磁性層中に酸素を５．０〜１６．５原子％含有させる。例文帳に追加

When the CoCrPt magnetic layer is deposited by sputtering, a gaseous oxygen-argon mixture is used as a sputtering gas and the mixing ratio of oxygen is regulated so that 5.0-16.5 atom % oxygen is contained in the magnetic layer. - 特許庁

プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。例文帳に追加

The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma. - 特許庁

化学反応を起こす気体とは別に、基底状態よりも高いエネルギー状態にある原子量が４以上の元素（例えばアルゴン）からなる化学種を活性種生成装置１９から反応室１０内に導入する。例文帳に追加

A chemical species consisting of an element having the atomic weight of at least 4 (for example, argon) in an energy state higher than the ground state is introduced into the reaction chamber 10 from an active species generating apparatus 19. - 特許庁