イバンの英語

非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体及び方法例文帳に追加

STRUCTURE AND METHOD OF NON-ARRAY BUMP FLIP CHIP MOLD - 特許庁

ハイバンド受信時は、ローバンドＡＧＣ回路のアッテネータ２４，２７を絞ってハイバンド側のＢＰＦ３０を通過した信号を混合器３２へ入力させ、ハイバンド用ＶＣＯ３４を駆動する。例文帳に追加

In the case of receiving a high band signal, the AGC/VCO control section 37 increases the delay in attenuators 24, 27 of a low-band AGC circuit to provide a signal passing through the high-band BPF 30 to the mixer 32 thereby driving the high-band VCO 34. - 特許庁

本発明のウエハ回路面の保護方法の態様の一つは、ハイバンプ（１００）が設けられたウエハ（１）の回路面（１０）を対象に、そのハイバンプの裾（１００Ａ）を埋めつつ且つ該ハイバンプの高さよりも厚い樹脂層（２）を設け、この樹脂層の上にテープ基材（３）を貼り合わせる。例文帳に追加

One of practical embodiments of the protection method of the wafer circuit side includes steps of: providing a resin layer 2 thicker than a height of a high bump 100, while filling skirts 100A of the high bump 100 by making a circuit side 10 of a wafer 1 providing the high bump 100 an object; and laminating a tape base material 3 on this resin layer. - 特許庁

ゼオライト類縁体として低ケイバン比のＨ−ＺＳＭ—５型ゼオライトを用いる。例文帳に追加

As the zeolite analog, a low silica alumina ratio H-ZSM-5 type zeolite is used. - 特許庁

ここで、ハイバンドのチャネルの帯域幅を、ローバンドのチャネルの帯域幅よりも広くしている。例文帳に追加

In this case, the bandwidth of the high-band channel is set wider than that of the low-band one. - 特許庁

ゼオライト類縁体として低ケイバン比のＨ−ＺＳＭ—５型ゼオライトを用いる。例文帳に追加

A zeolite analogue is H-ZSM-5 type zeolite having a low silica/alumina ratio. - 特許庁

ＶＨＦハイバンドの低域チャネルから中間域チャネル受信時の選択性能を低下させることなく、ＶＨＦハイバンドの高域チャネル受信時の妨害耐性を向上させることができる受信チューナを提供すること。例文帳に追加

To provide a reception tuner for improving resistance against interference in high-pass channel reception of a VHF high-band without deteriorating selection performance from the low-pass channel reception of a VHF high-band to the intermediate-pass channel reception. - 特許庁

シャドウマスク１０は、シャドウマスクの短辺方向（Ｙ軸方向）を長手方向とする複数のタイバンド１５と、シャドウマスクの長辺方向（Ｘ軸方向）に隣り合うタイバンドを連結する複数のブリッジ１９と、タイバンドの間に形成された複数の電子ビーム通過孔２１とを有する。例文帳に追加

The shadow mask 10 is provided with a plurality of tie bands 15 with a short-side direction (a Y-axis direction) of a shadow mask as a length direction, a plurality of bridges 19 coupling tie bands adjacent in a long-side direction (an X-axis direction) of the shadow mask, and a plurality of electron beam passing holes 21 formed between the tie bands. - 特許庁