エミッタ電圧の英語

主制御装置２４が、エミッタとゲートの間に所定の電圧を印加しながらエミッタに流れる漏れ電流を検出する。例文帳に追加

A main control device 24 detects the leakage current flowing through the emitter, while applying a prescribed voltage between the emitter and the gate. - 特許庁

コレクタＣを基準としたエミッタＥの電圧が更に低下すると、コレクタＣ−エミッタＥ間が導通する。例文帳に追加

When the voltage of the emitter E is further reduced with respect to the voltage of the collector C as a reference, continuity is established between the collector C and emitter E. - 特許庁

各エミッタフォロワ回路におけるエミッタ電流は、３つのトランジスタで分割されるため、抵抗の電圧降下は１／３に小さくなる。例文帳に追加

Since the emitter current in each of emitter follower circuit is divided by three transistors, the voltage drop of resistance is reduced to one third. - 特許庁

各段の電圧駆動型半導体素子のゲート線またはエミッタ線を次段の素子のゲート線またはエミッタ線と磁気結合させる。例文帳に追加

Gate wires or emitter wires of the voltage-driven semiconductor devices of respective stages are magnetically coupled with the gate wires or emitter wires of the devices of each stage. - 特許庁

この電圧は、リセット用トランジスタ１５のベース電圧になるので、リセット用トランジスタ１５のエミッタの電圧は、ベースの電圧よりもベース・エミッタ間順方向電圧だけ低い電圧となる。例文帳に追加

Since this voltage is used as base voltage for a reset transistor 15, the voltage of an emitter of the reset transistor 15 becomes lower than the base voltage by forward voltage between the base and emitter. - 特許庁

各エミッタ１２から放出される電子の移動距離ｘがエミッタ１２の配線上に位置するように、エミッタ１２のピッチ、プレート間のギャップｄ、アノード電圧Ｖａ、駆動電圧Ｖｆを調整し、イオン化した粒子がエミッタ１２の導電膜に衝突することを防止する。例文帳に追加

A pitch of the emitter 12, a gap between the plates, anode voltage Va, and drive voltage Vf are adjusted so that the moving distance x of the electrons emitted from each emitter 12 may be positioned on the cabling of the emitter 12, and the ionized particles are prevented from colliding with the conductive film of the emitter 12. - 特許庁

寄生トランジスタは、第１高レベル電圧をベースで受け、第２高レベル電圧をエミッタで受ける。例文帳に追加

A parasitic transistor receives the first high level voltage by a base and the second high level voltage by an emitter. - 特許庁

各エミッタ６毎に接続されたＭＯＳトランジスタＴによって、エミッタ６に対して、電子を放出させるための電圧を印加するか否かの制御を各エミッタ６毎に行う。例文帳に追加

A control whether each emitter 6 is impressed or not to emit electrons, is performed in the emitter 6 by each MOS transistor T connected to each emitter 6. - 特許庁