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ケイ長質の英語
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「ケイ長質」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 41件
成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a more practical method for producing a silicon carbide single crystal by which a higher quality silicon carbide single crystal can be obtained with excellent growth efficiency. - 特許庁
低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR GROWING LOW DEFECT DENSITY SILICON CARBIDE AND RESULTING MATERIAL - 特許庁
窒素含有量が100質量ppm以下である炭化ケイ素粉末を昇華させてから再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。例文帳に追加
The method for producing the silicon carbide single crystal comprises sublimating a silicon carbide powder containing nitrogen in an amount of ≤100 mass ppm and growing the silicon carbide single crystal by recrystallizing. - 特許庁
効率よく、良質なケイ素含有薄膜に転化できる化学気相成長用原料、及び該化学気相成長用原料を用いて、化学気相成長法により、ケイ素含有薄膜を形成する方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a raw material for chemical vapor deposition which is efficiently convertible into an excellent silicon-containing thin film, and a method for depositing the silicon-containing thin film by a chemical vapor deposition method using the raw material for chemical vapor deposition. - 特許庁
エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a cubic silicon carbide film allowing rapid growth of the cubic silicon carbide film which is scarce in crystal defects, and high quality even if the epitaxial growth temperature is lowered, and to provide a method for manufacturing a substrate attached with the silicon carbide film. - 特許庁
本発明の土質改良材では、高炉スラグ中のAl、Caのケイ酸塩がポゾラン反応によって長期的に硬化する。例文帳に追加
In the soil modifying material, silicates of Al and Ca in the blast furnace slag are cured for a long term by a pozzolanic reaction. - 特許庁
種結晶50として、昇華用原料40に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。例文帳に追加
A silicon carbide single crystal having no process modified layer in the growth face side opposing to the sublimation source material 40 is used as the seed crystal 50. - 特許庁
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「ケイ長質」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 41件
該窒化ケイ素焼結体は、長軸径が1μm以下の窒化チタン粒子を0.2〜5質量%含有する。例文帳に追加
The silicon nitride sintered body contains 0.2 to 5 mass% of titanium nitride particles of which major axis diameters are less than 1 μm. - 特許庁
プラズマ増強化学気相成長とTEOSを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for the deposition of a silicon dioxide film of high quality onto a substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition and TEOS. - 特許庁
プラズマ増強化学気相成長とTEOSを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for depositing a silicon dioxide film of high quality on a substrate by using a plasma enhanced chemical vapor phase growth and TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate). - 特許庁
これらは分子周辺の溶媒極性によってケイ光波長が変わるケイ光ソルバトクロミック色素であるため、脂質、タンパク質、核酸などに連結して、水中での生体分子などの微視的環境の変化をケイ光色変化で高感度に検出するケイ光プローブ等として用いることができる。例文帳に追加
They are fluorescent sorvatochromic dyes in which wavelengths are changed in accordance with a solvent polarity around the molecules, thus are connected with lipid, protein, nucleic acid or the like, and can be used, e.g., as a fluorescent probe detecting the microscopic change of an environment, e.g., in biomolecules under the water in accordance with the change of a fluorescent color at high sensitivity. - 特許庁
リチウムの充放電が可能な酸化ケイ素粒子を主体とする活物質の表面にカーボンナノファイバを成長させた複合活物質であって、前記酸化ケイ素粒子の表面にカーボンナノファイバの直径より小さい凹部を複数設けたことを特徴とする複合活物質とする。例文帳に追加
The composite active material is formed by growing carbon nanofiber on a surface of an active material mainly formed of silicon oxide particles which can charge and discharge lithium, and includes a plurality of recessed parts which are smaller than a diameter of the carbon nanofiber and are formed on the surface of the silicon oxide particle. - 特許庁
多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質の炭化ケイ素質ハニカム焼成体を含んで構成されたハニカム構造体であって、前記炭化ケイ素質ハニカム焼成体の表面にはケイ素を含む酸化物層が形成されており、X線光電子分光法(XPS)を用いて測定した前記酸化物層の厚さは、5〜100nmであるハニカム構造体。例文帳に追加
The honeycomb structured body includes a porous silicon carbide honeycomb fired body juxtaposed in longitudinal direction with a large number of cells separatedly by cell walls, a silicon-containing oxide layer is formed on a surface of the silicon carbide honeycomb fired body, and a thickness of the oxide layer measured using an X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is 5 to 100 nm. - 特許庁
好ましくは、有限長磁性体6を、長手方向透磁率が横断面方向透磁率より大きい方向性ケイ素鋼板製又はパーマロイ製とし、長手方向を磁界の磁力線の方向と実質上平行に配置する。例文帳に追加
The finite-length magnetic body 6 is preferred to comprise a grain oriented silicon steel plate or permalloy whose longitudinal permeability is higher than that lateral cross-section direction, with the length-direction being substantially parallel to the magnetic line direction of magnetic field. - 特許庁
基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は1以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約3.5以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加
A method of forming a low dielectric constant interlayer dielectric film on a substrate comprises reacting, under chemical vapor deposition conditions sufficient to deposit the film on the substrate, an organosilicon precursor comprising a silyl ether, a silyl ether oligomer, or an organosilicon compound containing one or more reactive groups, to form an interlayer dielectric film having a dielectric constant of 3.5 or less. - 特許庁
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