ゲート電荷の英語

電荷注入回路２１は、浮遊ゲート４に電荷を注入するための回路である。例文帳に追加

The charge-injection circuit 21 is for carrying out charge injection into the floating gate 4. - 特許庁

前記半導体本体の電荷蓄積構造は、前記複数のゲート中のゲートの下方に電荷トラッピング位置を具備する。例文帳に追加

Charge storage structure of a semiconductor body is provided with a charge trapping position below a gate among a plurality of gates. - 特許庁

また、信号電荷量が多い時は、信号読出し用のゲートと余剰電荷排出用のゲートを交互にオンする。例文帳に追加

When the signal charge amount is large, the gate for signal reading and gate for excessive charge discharging are alternately turned on. - 特許庁

浮遊ゲート４０に対する電荷の授受は、トンネル領域１５と浮遊ゲート４０との間のゲート絶縁膜を介して行われる。例文帳に追加

Delivering and receiving of the charges with the floating gate 40 is performed via the gate insulation film between the tunnel region 15 and the floating gate 40. - 特許庁

第２のトランジスタは、第３のゲート絶縁層と、第２のゲート電荷蓄積層と、第４のゲート絶縁層とを有する。例文帳に追加

The second transistor has: a third gate insulating layer; the second gate charge storage layer; and a fourth gate insulating layer. - 特許庁

第１のトランジスタは、第１のゲート絶縁層と、第１のゲート電荷蓄積層と、第２のゲート絶縁層とを有する。例文帳に追加

The first transistor has: a first gate insulating layer; a first gate charge storage layer; and a second gate insulating layer. - 特許庁

制御ゲート下層パターン１１は、電荷保持層９上に形成されている。例文帳に追加

The control gate lower pattern is formed on the charge retention layer 9. - 特許庁

ＦＥＴの閾電圧値（Ｖｔｉ）におけるゲート電荷をＱｔｉとする。例文帳に追加

Gate electric charges in a threshold voltage Vti of FET is assumed to be Qti. - 特許庁