ゲート電極間の英語

メモリセルのゲート電極ＭＧと選択ゲートトランジスタの選択ゲート電極ＳＧ１との間隔はゲート電極ＭＧ間の間隔より広く、選択ゲート電極ＳＧ１と選択ゲートトランジスタの選択ゲート電極ＳＧ２との間隔はゲート電極ＭＧと選択ゲート電極ＳＧ１との間隔より広い。例文帳に追加

An interval between a gate electrode MG of a memory cell and a selection gate electrode SG1 of the selection gate transistor is larger than an interval between the gate electrodes MG, and an interval between the selection gate electrode SG1 and a selection gate electrode SG2 of the selection gate transistor is larger than the interval between the gate electrode MG and the selection gate electrode SG1. - 特許庁

ゲート電極５ｇのゲート幅がゲートパッド８ｇから離間するほど小さくなっている。例文帳に追加

A gate width of the gate electrode 5g becomes narrower with distance from the gate pad 8g. - 特許庁

単層のゲート電極構造におけるゲート電極間の隔壁の製造精度を高める。例文帳に追加

To enhance a manufacturing accuracy of a barrier wall between gate electrodes of a monolayer gate electrode structure. - 特許庁

ゲート抵抗を低減する断面Ｔ字型ゲート電極において、ゲート電極と半導体基板の間にゲート電極を保持するため形成する絶縁膜をゲート電極の幅（長手方向）において部分的に除去する。例文帳に追加

In a T-shaped cross-sectional gate electrode on which gate resistance is reduced, an insulating film 13, which is formed between a gate electrode 11 and a semiconductor substrate 10 for the purpose of retaining the gate electrode 11, is partially removed in the width direction (longitudinal direction). - 特許庁

ゲート電極は、少なくとも、Ｎ型の導電性を示す第１のゲート電極１４と、Ｐ型の導電性を示す第２のゲート電極１５と、第１のゲート電極１４及び第２のゲート電極１５の間に形成された第３のゲート電極１４ａとを有している。例文帳に追加

The gate electrode includes at least a first gate electrode 14 exhibiting N-type conductivity, a second gate electrode 15 exhibiting P-type conductivity, and a third gate electrode 14a formed between the first gate electrode 14 and the second gate electrode 15. - 特許庁

ゲート電極とドレイン電極の間の寄生容量を均一にする。例文帳に追加

To homogenize the parasitic capacitance between a gate electrode and a drain electrode. - 特許庁

ゲート電極３１と電極３５との間、即ちゲート電極３１よりもイオン化室１側には、アパーチャ電極４１が配置されている。例文帳に追加

An aperture electrode 41 is disposed between a gate electrode 31 and an electrode 35, that is, further toward the side of an ionizing chamber 1 from the gate electrode 31. - 特許庁

ゲート電極間にエアギャップを制御良く形成する。例文帳に追加

To controllably form an air gap between gate electrodes. - 特許庁