ゲート電圧感度の英語

ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。例文帳に追加

Electric resistance of the graphene layer is changed by application of a gate voltage on the gate electrode, and sensitivity and a speed of the sensor is controlled by using application of the gate voltage. - 特許庁

トレードオフの関係にある臨界オフ電圧上昇率ｄＶ／ｄｔとゲート感度との関係を改善した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having an improved relationship between the critical rate of rise of off-state voltage dV/dt and the gate sensitivity, which are in a trade-off relationship. - 特許庁

電流源や積分器を構成するＭＯＳトランジスタのゲート面積の増大や、ゲート・ソース間の電圧の増加を伴うことなく低雑音化を図った、高感度の熱型赤外線センサを提供する。例文帳に追加

To provide a thermal infrared sensor of high sensitivity, which realizes low noise without broadening of the gate dimension of MOS transistors composing a current source and an integrator and also without voltage multiplication between the gate and the source. - 特許庁

容量電圧変換回路を、ＪＦＥＴ２１，３１を用いてゲート・ソース間にゲート抵抗２１ｄ，３１ｄを接続した構成のソースホロア回路では、ドレイン電流のバラ付きにより容量電圧変換感度がＪＦＥＴ毎にバラ付き、良好な角速度信号が得られない。例文帳に追加

To solve a problem that the capacitive voltage conversion sensitivity of capacitive voltage conversion circuits is dispersed for each JFET by the dispersion of the drain current and a good angular velocity signal is not obtained in a source follower circuit connected with gate resistors between gate sources via JFETs. - 特許庁

容量電圧変換回路２０，３０を構成するＪＦＥＴ２１，３１のゲート２１ａ，３１ａをバイアス抵抗２１ｆ，３１ｆを介してバイアス電源Ｖｃに接続し、ドレイン電流のバラ付きに拘わらず、容量電圧変換回路２０，３０の容量電圧変換感度を安定にする。例文帳に追加

The gates 21a, 31a of the JFETs 21, 31 constituting the capacitive voltage conversion circuits 20, 30 are connected to a bias power supply Vc via bias resistors 21f, 31f, and the capacitive voltage conversion sensitivity of the capacitive voltage conversion circuits 20, 30 is stabilized in spite of the dispersion of the drain current. - 特許庁

光電変換膜で発生した光電荷を出力用トランジスタのゲートにスムースに流し、信号電荷に対する信号電圧が大きくして高感度化を図る。例文帳に追加

To realize high sensitivity by allowing optical charges generated by a photoelectric converting film to smoothly flow into gates of an output transistor and increasing a signal potential for signal charge. - 特許庁

後続ドライバＦＥＴのゲート絶縁膜の厚さの減少は、電荷伝達効率を減少させずに電圧利得ＡＶ_ｔｏｔａｌを増加させて、信号コンバータの全体感度を増加させる。例文帳に追加

The reduced thicknesses of the gate insulating films of the subsequent driver FETs increase a voltage gain AV_total without decreasing charge transfer efficiency, and raises the entire sensitivity of the signal converter. - 特許庁