ゲート電圧変化の英語

メモリトランジスタは、制御ゲート電圧に応じて閾値電圧が変化する。例文帳に追加

A memory transistor varies in threshold voltage according to control gate voltage. - 特許庁

主スイッチング素子の電圧変化によってゲート電圧が変化する絶縁ゲート型半導体素子を主スイッチング素子と並列に接続する。例文帳に追加

In parallel with the main switching element, this overvoltage protective circuit has an insulated gate semiconductor which changes its gate voltage following the voltage change across the main switching element. - 特許庁

ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。例文帳に追加

After the gate voltage drops to the third voltage, a gate voltage step-down section 32 steps down the gate voltage from the third voltage to the second voltage at a second time rate of change. - 特許庁

本発明の半導体電力変換装置は、スイッチング素子をオンオフさせる半導体電力変換装置であって、スイッチング素子に供給されるゲート電圧の変化を検出するゲート電圧変化検出手段と、入力される駆動信号に基づいて、スイッチング素子のゲートにゲート駆動電圧を出力するゲート駆動手段とを備え、ゲート駆動手段は、ゲート電圧変化検出手段によってゲート電圧の変化が検出されたタイミングで、ゲート駆動電圧を制御することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor power converter for turning on/off the switching element includes a gate voltage change detecting means for detecting the change in the gate voltage supplied to the switching element and a gate drive means for outputting gate drive voltage to the gate of the switching means, based on an inputted drive signal, and the gate drive means controls the gate drive voltage with a timing when the gate voltage change detecting means detects the change in the gate voltage. - 特許庁

これにより、ＭＯＳトランジスタ３３のゲート電圧がオフ電圧からオン電圧へと瞬間的に変化しても、ＭＯＳトランジスタ３１ａ〜３１ｄのゲート電圧Ｖｇは、オフ電圧からオン電圧へと緩やかに上昇する。例文帳に追加

Thereby, even when the gate voltage of the MOS transistor 33 instantaneously changes from an off-voltage to an on-voltage, the gate voltage Vg of the MOS transistors 31a-31d gently rises from an off-voltage to an on-voltage. - 特許庁

ゲートバイアス回路８は、過入力時における受信用トランジスタ２のゲート電流Ｉｇまたはゲート電圧Ｖｇの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。例文帳に追加

The gate bias circuit 8 has change detection means for detecting a change in gate current Ig or gate voltage Vg of the receiving transistor 2 at excessive input to generate a change signal. - 特許庁

従って、ゲート電圧の立ち下がり中に補正ＴＦＴ２２の容量値が変化し、駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧の立ち下がり勾配が変化し、これによって駆動ＴＦＴ２４のしきい値変化に対応して、保持容量ラインＳＣ立ち下がり後のゲート電圧の設定が行える。例文帳に追加

Thus, a capacitance of the correction TFT 22 changes during the fall of the gate voltage, the slope of fall of the gate voltage of the driver TFT 24 changes, and the gate voltage after the fall of the holding capacity line SC is set in accordance with the variation in the threshold values among the driver TFTs 24. - 特許庁