「ゲート電圧変化」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲートバイアス回路８は、過入力時における受信用トランジスタ２のゲート電流Ｉｇまたはゲート電圧Ｖｇの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。例文帳に追加

The gate bias circuit 8 has change detection means for detecting a change in gate current Ig or gate voltage Vg of the receiving transistor 2 at excessive input to generate a change signal. - 特許庁

従って、ゲート電圧の立ち下がり中に補正ＴＦＴ２２の容量値が変化し、駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧の立ち下がり勾配が変化し、これによって駆動ＴＦＴ２４のしきい値変化に対応して、保持容量ラインＳＣ立ち下がり後のゲート電圧の設定が行える。例文帳に追加

Thus, a capacitance of the correction TFT 22 changes during the fall of the gate voltage, the slope of fall of the gate voltage of the driver TFT 24 changes, and the gate voltage after the fall of the holding capacity line SC is set in accordance with the variation in the threshold values among the driver TFTs 24. - 特許庁

従って、ゲート電圧の立ち下がり中に補正ＴＦＴ２２の容量値が変化し、駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧の立ち下がり勾配が変化し、これによって駆動ＴＦＴ２４のしきい値変化に対応して、容量ラインＳＣ立ち下がり後のゲート電圧の設定が行える。例文帳に追加

Accordingly, the capacitance value of the correcting TFT 22 varies during the fall of the gate voltage, and the slope of the fall of the gate voltage of the driving TFT 24 varies, whereby the gate voltage after the fall of the hold capacitance line SC can be set in accordance with the variation of the threshold value of the driving TFT 24. - 特許庁

MOSFETに印加するゲート電圧に連動してゲート絶縁膜中の電荷分布を変化させ，半導体の表面電位を該ゲート電圧の極性とは反対の極性方向に変化させる機能を利用することによりしきい値電圧を低減し，低電圧動作および低消費電力化を可能にする。例文帳に追加

A threshold voltage is lowered and low-voltage operation and low-power consumption are allowed by using a function of varying a surface potential of a semiconductor in the opposite polarity direction to the polarity of a gate voltage applied to the MOSFET by varying an electric charge distribution in a gate insulating film in linkage with the gate voltage. - 特許庁

ゲート電圧に応じてソース・ドレイン間の抵抗値が変化する可変抵抗器として動作する。例文帳に追加

The converter operates as a variable resistor varying a resistance value between a source and drain according to a gate voltage. - 特許庁

空乏領域の範囲は、ゲート端子に加えられた電圧の関数として変化する。例文帳に追加

The range of the depletion region is varied as function of a voltage applied to the gate terminal. - 特許庁

ゲート電極１４へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２の強磁性の強さが変化する。例文帳に追加

The intensity of the ferromagnetism of the transition-element-doped titanium dioxide layer 12 varies according to absence or presence of application of a gate voltage to the gate electrode 14. - 特許庁

ゲート電圧によりアイランドの電位が変化するように、ゲート電極２４がアイランド２６に容量結合される。例文帳に追加

A gate electrode 24 is capacitively coupled to the island 26 so that a gate voltage can change the potential of the island. - 特許庁

ダブルゲート構造の２種類のゲート電極部間のＰＮ接合によって電圧変化の遅延が生じ、高速動作を阻害する。例文帳に追加

To solve the problem that the delay of voltage change is generated due to the PN junction between the two kinds of gate electrodes of a double gate structure, and that a high speed operation is interrupted. - 特許庁

ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１のゲートは、ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１のソースの電圧が変化したときにゲート−ソース間の電位差が閾値電圧以上となって導通するよう、所定の電圧を与えられている。例文帳に追加

Gates of the gate control transistors TA1-TE1 are imparted with predetermined voltages so that potential difference between a gate and a source rises to a threshold or higher when the source voltages of the gate control transistors TA1-TE1 are changed so as to be made conductive. - 特許庁

ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。例文帳に追加

Electric resistance of the graphene layer is changed by application of a gate voltage on the gate electrode, and sensitivity and a speed of the sensor is controlled by using application of the gate voltage. - 特許庁

画素駆動用トランジスタをオフさせる時のゲート線駆動電圧をゲートをオンさせる電圧から、第１のゲートをオフさせる電圧に変化させることによって、ゲート線駆動電圧の変化を小さくし、画素に保持される画像信号電圧のずれ４９を従来のものに比べて小さくすることができる。例文帳に追加

Changes in gate line driving voltages are reduced by changing the gate line driving voltage for turning off a pixel driving transistor from a voltage for turning on a gate to a voltage for turning off a first gate, and deviation 49 in image signal voltages to be held in pixels is made smaller compared with the deviation in a conventional case. - 特許庁

従って、ゲート電圧Ｖ_G22の立ち下がり勾配が変化し、これによって駆動ＴＦＴ２２のしきい値変化に対応して、パルス駆動ライン立ち下がり後のゲート電圧Ｖ_G22を補正できる。例文帳に追加

Therefore, the slope of fall of the gate voltage V_G22 changes, and the gate voltage V_G22 after the fall on the pulse drive line can be corrected corresponding to the variation in the threshold values among the driver TFTs 22. - 特許庁

更に、ゲート信号線電位が変化する原因である、トランジスタのドレイン電圧の変化を小さくする機能を設けた。例文帳に追加

A function for reducing a change in the drain voltage of a transistor which may cause a change in the potential of the gate signal line is arranged. - 特許庁

制御部３０は、出力トランジスタＭ１のゲート電圧を強制的に変化させることにより、電流供給能力を変化させる。例文帳に追加

The control unit 30 changes the current supply capacity by forcedly changing a gate voltage of the output transistor M1. - 特許庁

所定のゲート電圧に対してドレイン電圧を変化させたときに、ドレイン電流特性に負性微分コンダクタンスが生じる。例文帳に追加

When a drain voltage is varied to a prescribed gate voltage, a negative differential conductance occurs in drain current characteristics of a semiconductor device. - 特許庁

これにより、ゲート電圧に対する容量変化を緩やかにすることができ、容量の電圧制御が容易となる。例文帳に追加

This can make capacity variation slow with respect to gate voltage, and a voltage control of capacity easy. - 特許庁

ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加される電圧パルスにおける立ち上がり時、立ち下がり時の電圧変化率を緩和する。例文帳に追加

A voltage change rate at the time of rise and fall of a voltage pulse impressed to a gate of the DMOS transistor 9 is eased. - 特許庁

表示装置における駆動ＴＦＴは、薄膜トランジスタであるため、その電圧電流特性がゲート電圧印加によって経時変化する。例文帳に追加

To solve the problem that a driving TFT in a display device has voltage-current characteristics temporally changed due to gate voltage application because being a thin film transistor. - 特許庁

駆動・保護装置は、スイッチ素子Ｑ１のゲート電圧ＶＧＥの時間変化量を検出すると共に、バッファ回路２における入力端子電圧の時間変化量を検出し、これら検出された電圧時間変化量に基づいて、スイッチ素子Ｑ１のゲート短絡故障を検出する。例文帳に追加

This drive/protective device detects an amount of a time change of a gate voltage VGE of the switch element Q1, detects an amount of time change of an input terminal voltage in the buffer circuit 2, and detects a gate short circuit fault of the switch element Q1 based on these detected amounts of the voltage time changes. - 特許庁

抵抗２１は、ダミーゲート電極１８にかかる電圧が、ゲート電極８にかかる周期時に変化する電圧の１周期内において閾値電圧以下となる大きさの電気抵抗を有する。例文帳に追加

The resistance 21 has such electric resistance that a voltage applied to the dummy gate electrode 18 is equal to or lower than a threshold voltage within one cycle of a voltage applied to the gate electrode 8 and changing in cycles. - 特許庁

ゲート駆動回路２３１の電源電圧Ｖｇｓを、電圧指令装置（マイコン）２３４からの指令により制御可能とし、素子の温度情報に応じて変化させ、ＩＧＢＴ２１１のゲート電圧Ｖｇを調整する。例文帳に追加

A power source voltage Vgs of a gate drive circuit 231 is made controllable by a command from a voltage command device (a microcomputer) 234, and is changed, according to the temperature information of the elements to adjust a gate voltage Vg of an IGBT 211. - 特許庁

電圧緩和用トランジスタＱ３，Ｑ４のゲートには、高電圧ＶＰＰの電圧レベルに応じて電位が変化するゲート制御信号Ａを印加する。例文帳に追加

A gate control signal A, potential of which is varied in accordance with a voltage level of the high voltage VPP, is applied to gates of the transistors Q3, Q4 for relaxing the voltage. - 特許庁

ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。例文帳に追加

A gate voltage step-down section 31 steps down a gate voltage of an MOS transistor 15 from a first voltage to a third voltage between the first voltage and a second voltage at a first time rate of change in response to a current limitation signal from an overcurrent detection section 20. - 特許庁

可変電源２４，２５によるゲート電圧Ｖｇの変化で印加用電圧Ｖｘ，Ｖｙの値を変化させるとともに、印加用電圧Ｖｘ，Ｖｙがプラズマディスプレイパネルの走査電極に印加することにより走査電極に流れる走査電流の値を印加用電圧Ｖｘ，Ｖｙの変化で変化させる。例文帳に追加

The impression voltages Vx, Vy is changed by the change of the gate voltage Vg changed by the variable power sources 24, 25, and the value of a scanning voltage flowing through scanning electrodes is changed, by impressing the impression voltages Vx, Vy on the scanning electrodes of of the plasma display panel. - 特許庁

例えば、Ｖapc に対する制御端子に供給されるゲート電圧Ｖg の変化を、ゲート電圧Ｖg が各ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖthより低い領域では大きく、Ｖth近傍では小さく、更にＶth近傍からＶapc 電圧の高い領域では、所望の特性が得られるゲート電圧になるように設定するゲートバイアス回路が設けられている。例文帳に追加

For example, a gate bias circuit is provided for setting the change of the gate voltage Vg supplied to a control terminal corresponding to Vapc to be great in the area lower than the threshold voltage Vth of the respective MOSFET, to be small near the Vth and to be a gate voltage, with which desired characteristics can be provided, in the area of the high voltage from the area close to the Vth. - 特許庁

走査線ＷＳＬ１における電圧Ｖon１から電圧Ｖoff１への電圧変化を、閾値補正補助トランジスタＴｒ３および閾値補正補助容量素子Ｃ２を介して駆動トランジスタＴｒ２のゲートへ入力させ、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇを下げるゲート電位補正動作を行う。例文帳に追加

The circuit operates a gate potential correction of decreasing a gate potential Vg of a driving transistor Tr by inputting a voltage change in a scan line WSL1 from a voltage Von1 to a voltage Voff1 to a gate of the drive transistor Tr2 via the threshold-correction auxiliary transistor Tr3 and a threshold-correction auxiliary capacitor C2. - 特許庁

ゲート絶縁膜４がSiO_2を主成分とし、前記ゲート絶縁膜内のカーボンの量を2×10^19cm^-3以上にすることにより、緻密な前記ゲート絶縁膜４を持つしきい値電圧Vtの変化の小さい薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

A gate insulating film 4 contains SiO2 as its main component and the quantity of carbon in the insulating film 4 is set at 2×1019 cm-3 or more, whereby a thin film transistor, which has the high concentration film 4 and is little changed its threshold voltage Vt, is provided. - 特許庁

信号処理回路を、振幅が所定の周期で変化する振幅変化電圧信号をゲート電極Ｇに供給する振幅変化電圧信号発生回路４と、ドレイン電極Ｄから出力される電流信号を電圧信号に変換して該電圧信号を力の変化に応じて位相が変化する力変化表示電圧信号として出力する電流／電圧変換回路３とから構成する。例文帳に追加

The signal processing circuit comprises a variable amplitude voltage signal generating circuit 4 for supplying a variable amplitude voltage signal whose amplitude varies in a given period to a gate electrode G, and a current/voltage converting circuit 3 for converting a current signal output from a drain electrode D into a voltage signal and outputting the voltage signal as a force variation indicating voltage signal whose phase varies with varying force. - 特許庁

それとともに、ゲート電圧生成部４１ｂは、ノードＮ1と容量結合した端子に供給される電圧Ｖrefを変化させることにより、電圧Ｖ1をオフセット電圧を基準にした駆動電圧に設定する。例文帳に追加

Then the gate voltage generation part 41b sets the voltage V1 to driving voltage based on the offset voltage by changing voltage Vref supplied to a terminal coupled with the node N1 through a capacitor. - 特許庁

ゲート電圧の逆バイアス電源を持たず、ゲート電流を増幅するバッファトランジスタを持ち、およびターンオン・ターンオフ時のゲート抵抗を切り替える電圧駆動型のゲート端子を持つスイッチ素子のゲート駆動装置において、スイッチングに伴う電圧変化による誤点呼を防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent an erroneous roll call caused by a voltage change with switching, in a gate driving device for a switch element that does not include an inverse bias power source of a gate voltage but includes a buffer transistor for amplifying a gate current and includes a voltage-driven gate terminal for switching turn-on/turn-off gate resistance. - 特許庁

これにより、ＭＯＳＦＥＴターンオフ切替え直後は両抵抗手段による低い抵抗値でゲート電圧の変化速度を高く保持し、その後端子電圧値と主電流値に応じて適切なタイミングでゲート電圧の変化速度を緩和する。例文帳に追加

Thus, just after the switching to turn-off of the MOSFET, a changing speed of the gate voltage is kept high at a lower resistance by both the resistor means and then the changing speed of the gate voltage is relaxed in proper timing depending on the terminal voltage and the main current. - 特許庁

コモン信号Ｖｃｏｍの極性反転に同期させて、走査ラインを介して画素トランジスタに印加されるゲートオフ電圧ＶＧＬにおける電圧レベルを、コモン信号Ｖｃｏｍにおける電圧レベルの変化量だけ変化させる。例文帳に追加

A voltage level in a gate-off voltage VGL applied to a pixel transistor through a scanning line is changed by a change quantity of voltage level in the common signal Vcom synchronously with polarity reversion of the common signal Vcom. - 特許庁

第１及び第２の電圧制御回路３及び４は、電源電圧Ｖｄｄの変化を緩やかにした出力電圧を出力し、それによってトランスミッションゲート２の抵抗値の変化を低減している。例文帳に追加

The 1st and 2nd voltage control circuits 3, 4 output an output voltage with a relaxed change in a power supply voltage Vdd to reduce a change in a resistance of the transmission gate 2 thereby. - 特許庁

入力電圧の変化に応じてゲート・ソース間電圧が変化するＮＭＯＳが破壊することを防止することで、使用電圧範囲の広い電源回路を提供する。例文帳に追加

To provide a power supply circuit having a wide working voltage range by preventing breakdown of an NMOS having a gate-source voltage which varies as the input voltage varies. - 特許庁

ソース配線Ｓｊの電圧は、スイッチオン状態では電圧Ｖ０に一致し、スイッチオフ後はゲート配線Ｇｉの電圧の変化に伴って変化し、１ライン時間の終端では画像データＤｊに応じたレベルになる。例文帳に追加

The voltage of the source wiring Sj coincides with a voltage V0 in a switch on state, changes by accompanying the change in the voltage of the gate wiring Gi after the switch off and attains the level complying with the image data Dj of at the termination of the one line time. - 特許庁

低濃度ゲートのトランジスタは不純物の濃度変化に対する出力電圧の温度特性の変化が大きいため、所望の温度特性を待つゲート材を安定に作ることが困難である。例文帳に追加

To provide a reference voltage source highly stable against a process fluctuation, and having a desired temperature characteristic by finding out a condition of changing little a temperature factor even if the impurity concentration of a gate material fluctuates by a process. - 特許庁

その後、時間ｔ２の間、信号φＶＰＳをＶｈとすることで、ＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧を小さくして、ＭＯＳトランジスタのゲート電圧の変化を小さくする。例文帳に追加

Subsequently, variation in the gate voltage of the MOS transistor is reduced by bringing the signal ϕVSP to Vh during time t2 thereby decreasing the gate-source voltage of the MOS transistor. - 特許庁

そして、制御部８〜１１は、電子増倍型ＣＣＤ撮像素子４に設定している電子増倍ゲート電圧を変化させ、測定値が基準値に一致したときの電子増倍ゲート電圧を校正後の設定値として記録する。例文帳に追加

The control units 8-11 vary the electron multiplication gate voltage set in the electron multiplication CCD imaging element 4, and records the electron multiplication gate voltage when the measurement matches the reference value as a calibrated set value. - 特許庁

コンデンサ１９ｂは、ゲート信号線１７ａに印加されるオンオフ電圧が変化することにより、前記駆動用トランジスタ１１ａにゲート端子電圧を変動させる。例文帳に追加

The capacitor 19b causes the driving transistor 11a to vary a gate terminal voltage, by the change of an on/off voltage applied to the gate signal line 17a. - 特許庁

時間ｔ１の間、信号φＶＰＳをＶＨとすることで、光電変換するフォトダイオードと接続されたＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧を大きくして、ＭＯＳトランジスタのゲート電圧を大きく変化させる。例文帳に追加

Gate voltage of an MOS transistor connected with a photodiode subjected to photoelectric conversion is varied significantly by bringing a signal ϕVSP to VH during time t1 thereby increasing the gate-source voltage of the MOS transistor. - 特許庁

そして、制御回路ＣＬは、各ＦＥＴ３０ａ〜３０ｆのゲート駆動電圧Ｖgに基づいて、当該ゲート駆動電圧Ｖgの変化が平坦化する領域にある場合に、迂回経路Ｌbpを遮断すべくスイッチＳＷを作動させる。例文帳に追加

The control circuit CL starts operation of the switch SW so as to cut-off the alternative path Lbp, based on a gate drive voltage Vg for each FET 30a-30f, within a region where change in the gate drive voltage Vg is flattened. - 特許庁

前記容量素子は、トランジスタのゲート・ソース間電圧を保持するため、トランジスタの第１の電極の電位が変化しても、ゲート・ソース間電圧を一定とすることにより電流値を一定とする。例文帳に追加

The capacitor holds the gate-source voltage of the transistor; therefore, even though the potential of a first electrode of the transistor changes, the current value is kept constant by keeping the gate-source voltage constant. - 特許庁

前記容量素子は、トランジスタのゲート・ソース間電圧を保持するため、トランジスタの第１の電極の電位が変化しても、ゲート・ソース間電圧を一定とすることにより電流値を一定とする。例文帳に追加

The capacitive element holds the gate-source voltage of the transistor, so that even when the potential of the first electrode of the transistor is changed, the gate-source voltage is made constant to make the current value constant. - 特許庁

携帯機器の待機時には、ゲート電圧制御回路６０内のスイープ回路６１により、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電圧を時間と共に変化させ、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のオン抵抗を大きくする。例文帳に追加

Under a stand-by condition of a mobile equipment, a gate voltage of the transistor M1 is changed with the lapse of time by a sweep circuit 61 inside the control circuit 60 to increase ON-resistance of the transistor M1. - 特許庁