ゲート電圧雑音の英語

ゲート接地トランジスタに熱雑音が発生したとき，ソースに電圧変動が発生すると共に，ドレインにそのソース電圧変動にゲート接地トランジスタのゲインを乗じた電圧変動が逆相で発生する。例文帳に追加

When thermal noise is generated in the grounded-gate transistor, a voltage variation is generated in the source, and a voltage variation obtained by multiplying a gain of the grounded-gate transistor by the source voltage variation is generated in the drain in a reverse phase. - 特許庁

電流源や積分器を構成するＭＯＳトランジスタのゲート面積の増大や、ゲート・ソース間の電圧の増加を伴うことなく低雑音化を図った、高感度の熱型赤外線センサを提供する。例文帳に追加

To provide a thermal infrared sensor of high sensitivity, which realizes low noise without broadening of the gate dimension of MOS transistors composing a current source and an integrator and also without voltage multiplication between the gate and the source. - 特許庁

よって，ソースの電圧変動とドレインの逆相の電圧変動とを第１，第２の容量素子で増幅ユニットに結合することで，ゲート接地トランジスタの熱雑音の影響を抑制または除去することができる。例文帳に追加

Therefore, by connecting the voltage variation of the source and the voltage variation of the reverse phase of the drain to the amplifying unit with the first and the second capacity elements, an influence of the thermal noise of the grounded-gate transistor can be controlled or removed. - 特許庁

その各トランジスタが飽和領域で発生する所定の低周波におけるドレイン電流雑音強度を、ドレイン電圧が所定値の下でゲート電圧を変化させて測定する（Ｓ２）。例文帳に追加

The intensity of drain current noise of a specified low frequency that each transistor generates in it saturation area is measured while a drain voltage has a specified value and a gate voltage is varied (S2). - 特許庁

入力データ信号のパルスのエッジを検出するゲート回路と、ゲート回路で検出したエッジを基にしたリングオシレータ機能を有する電圧制御発振回路と、電圧制御発振回路の出力信号の位相雑音を抑圧する帯域通過フィルタとを有する。例文帳に追加

A clock reproducing circuit includes a gate circuit for detecting the edge of a pulse of an input data signal, a voltage controlled oscillator including a ring oscillator function based on the edge detected by the gate circuit, and a band-pass filter for suppressing phase noise in an output signal of the voltage controlled oscillator. - 特許庁

低雑音増幅回路１１は低雑音を実現すべく、高周波用の整合回路ＭＣ１、コイルＬ１、及びバイアス部（抵抗Ｒ１１を介してバイアス電圧Ｂias１をＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに付与する部分）を設けている。例文帳に追加

For lower noise, the low-noise amplifying circuit 11 is provided with a matching circuit MC1 for high frequency, a coil L1, and a bias part (a part for applying a bias voltage Bias1 to the gate of the NMOS transistor M1 through a resistance R11). - 特許庁

デジタルＬＳＩなどの半導体集積回路における静的及び動的な電源電圧変動、すなわち雑音の影響を考慮して論理ゲートの遅延時間を決定する。例文帳に追加

To determine the delay time of a logical gate under the consideration of the influence of static and dynamic power supply voltage variation, that is, noises in a semiconductor integrated circuit such as digital LSI. - 特許庁