gate voltage noiseとは 意味・読み方・使い方

Fluctuation of the voltage at the power source noise measuring point which is a power source noise generates fluctuation of the voltage between the gate and the source of the MOS transistor, and the ON/OFF state of the MOS transistor or fluctuation of a drain current value generated by the fluctuation is observed, to thereby measure the power source noise.例文帳に追加

電源ノイズである電源ノイズ測定点の電圧の変動が、ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧の変動となり、その変動が起こすＭＯＳトランジスタのＯＮ／ＯＦＦ状態もしくはドレイン電流値の変動を観測することで、電源ノイズを測定する。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit of a voltage-controlled switching element in which occurrence of malfunction can be minimized while suppressing the surge voltage/surge current and switching noise, when switching the voltage-controlled switching element.例文帳に追加

電圧制御型スイッチング素子のスイッチング時に、サージ電圧・サージ電流及びスイッチングノイズを抑制しながら、誤動作の発生を抑制することができる電圧制御型スイッチング素子のゲート駆動回路を提供する。 - 特許庁

To prevent an electric current from flowing into a gate from a collector due to noise or the like during the period for which a terminal voltage (limiting voltage VL) of a DC voltage source 22l is being applied to a gate of a switching element S*# by turning on a charging switching element 24l.例文帳に追加

充電用スイッチング素子２４ｌをオン操作することで、直流電圧源２２ｌの端子電圧（制限用電圧ＶＬ）をスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに印加している期間において、ノイズ等によってコレクタ等からゲートへの電流の流れ込みが生じうること。 - 特許庁

To provide a thermal infrared sensor of high sensitivity, which realizes low noise without broadening of the gate dimension of MOS transistors composing a current source and an integrator and also without voltage multiplication between the gate and the source.例文帳に追加

電流源や積分器を構成するＭＯＳトランジスタのゲート面積の増大や、ゲート・ソース間の電圧の増加を伴うことなく低雑音化を図った、高感度の熱型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

To provide a trench gate type semiconductor device which has a low on-voltage and reduces gate noise by providing insulating body having a high capacity to a FP layer and an emitter electrode.例文帳に追加

本発明の目的は、ＦＰ層とエミッタ電極を容量の大きい絶縁体を設けることにより、オン電圧が小さく、ゲートのノイズを低減したトレンチゲート型半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for reducing a pulse delay phenomenon (gate leg in a GaAs-based semiconductor field effect transistor and improving transistor characteristics, such as gate withstand voltage controllability and noise characteristic, etc.例文帳に追加

ＧａＡｓ系半導体電界効果トランジスタにおけるパルス遅延現象（ゲートラグ）を低減するとともに、ゲート耐圧制御性や雑音特性等のトランジスタ諸特性の向上に関する手法を提供する。 - 特許庁

The control circuit 140, when reading noise level, supplies a voltage potential VCLIP for limiting the voltage potential of the picture element output line 130 to the gate of the clip transistor 121.例文帳に追加

制御回路１４０は、ノイズレベルを読み出すときは、画素出力線１３０の電位を制限するための電位ＶＣＬＩＰをクリップトランジスタ１２１のゲートに提供する。 - 特許庁

To reduce electrons (dark voltage) occurring in a channel part of a transfer transistor during exposure time, and to more reduce an image quality deterioration by noise from a charge pump circuit when driving a gate signal for transfer with negative voltage.例文帳に追加

露光時間中の転送トランジスタのチャンネル部で発生する電子（暗電圧）を低減すると共に、転送用のゲート信号を負電圧駆動する際のチャージポンプ回路からのノイズによる画質劣化をより低減する。 - 特許庁