gate voltage fluctuationとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device where fluctuation of threshold voltage of a gate electrode part is suppressed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極部のしきい値電圧の変動が抑制される半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imager capable of reducing fluctuation in the voltage between a gate and a source at an amplifier transistor.例文帳に追加

増幅トランジスタのゲート・ソース間電圧の変動を低減することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To increase the concentration of impurities in a gate electrode without increasing the concentration of impurities in source/drain and improve a gate capacity as well as a short channel effect without worrying about the fluctuation of a threshold voltage or the like due to the fluctuation of a gate electrode configuration.例文帳に追加

ソース／ドレインの不純物濃度を増加させることなくゲート電極中の不純物濃度を高め、ゲート電極形状の変動に起因するしきい値電圧の変動等を懸念することなく、ゲート容量とともに短チャネル効果をも向上させる。 - 特許庁

The signal required to avoid voltage fluctuation among the control signals outputted from the ASIC is received by a logic gate provided outside the ASIC, to stabilize the power supply voltage which drives the gate.例文帳に追加

ＡＳＩＣから出力される制御信号の内、電圧変動を避ける必要のある信号はＡＳＩＣ外部に設けたロジックゲートで受けてそのゲートを駆動する電源電圧を安定化する。 - 特許庁

An undershooting restraining circuit 20 lowers forcibly the gate voltage Vg of the output transistor 12, when the input voltage Vin gets lower than a voltage Vx in the other end of the fluctuation detecting capacitor C1.例文帳に追加

アンダーシュート抑制回路２０は、入力電圧Ｖｉｎが、変動検出キャパシタＣ１の他端の電圧Ｖｘより低くなったときに、出力トランジスタ１２のゲート電圧Ｖｇを強制的に低下せしめる。 - 特許庁

The detection section detects a predetermined value used for monitoring for a fluctuation in a gain of an amplifying element for amplifying a signal in accordance with a gate voltage applied to a gate terminal.例文帳に追加

検出部は、ゲート端子に印加されるゲート電圧に応じて信号を増幅する増幅素子の利得の変動を監視するために用いられる所定値を検出する。 - 特許庁

The gate-on voltage is prevented from being elevated abruptly in a blank time, by disposing the voltage follower in a prestage of the charge pump circuit to block an influence caused by fluctuation of a load.例文帳に追加

このように、電荷ポンプ回路の前段に電圧フォロワをおいて負荷の変動による影響を遮断することでブランク時間にゲートオン電圧が急激に上昇することを防止することができる。 - 特許庁

By generating a control gate voltage at the time of read or verify read in this voltage generating circuit, the fluctuation of a memory cell current caused by the temperature can be always eliminated irrespectively to read time.例文帳に追加

この電圧発生回路でリード時やベリファイリード時の制御ゲート電圧を生成することにより、様々な読み出し時間に対して常にメモリセル電流の温度による変化を無くすことができる。 - 特許庁