gate voltage conditionsとは 意味・読み方・使い方

A DC stress is applied to a transistor under maximum substrate current conditions or maximum gate current conditions and as a result, a coefficient H and an exponent (m) are corrected in accordance with the voltage acceleration coefficient and the life of obtained data (S2a).例文帳に追加

基板電流モデル，ゲート電流モデルなどによる実験と、シミュレーションのモデル式の作成とを行なった後、ＤＣストレス印加実験を行ない、実験データに基づいてホットキャリア寿命パラメータであるＨ，ｍを補正する。 - 特許庁

A delay circuit 13 makes a delay for a time until the operation of the relay switch in the negative voltage generating part 11 is completed, and sends gate conditions to a clamping execution trigger generating part 14.例文帳に追加

遅延回路部１３は，マイナス電圧生成部１１でのリレースイッチの動作が完了する時間分遅延して，ゲート条件をクランプ実行トリガ生成部１４に送る。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate with a source region and a drain region formed thereon; a floating gate formed between the source region and the drain region to form a channel based on a programming and an erasing conditions and to control a current flow between the source region and the drain region; and a tunnelling gate to determine the programming and the erasing conditions in the floating gate based on an applied voltage.例文帳に追加

半導体素子は、ソース領域とドレイン領域が形成された半導体基板と、上記ソース領域とドレイン領域との間に形成されてプログラム及び消去状態によってチャネルを形成し、上記ソース領域とドレイン領域との間の電流の流れを制御するフローティングゲートと、印加される電圧によって上記フローティングゲートのプログラム及び消去状態を決定するトンネリングゲートとを含んで構成される。 - 特許庁

A black display period in which reverse bias voltage is applied between a gate electrode of the drive TFT and a source electrode is inserted in order to relax residual phenomenon, but the black insertion is performed for a fixed period by a command of a microcomputer 10 only when the prescribed conditions are fulfilled.例文帳に追加

残像現象を緩和するため、駆動ＴＦＴのゲート電極−ソース電極間に逆バイアス電圧をかける黒表示期間が挿入されるが、前記黒挿入は所定の条件が満たされたときのみ、マイコン１０の指令により一定期間行われる。 - 特許庁

If positive voltage is applied to a gate electrode 107 under the conditions to apply an electric field to the wire region 105, the energy barrier at the center of the region 105 becomes smaller, but energy barriers at the both ends remain unchanged in the wire region 105 connected with the source 103 and the drain 104.例文帳に追加

この状態で、ゲート電極１０７に正の電圧を印加し、細線部１０５に電界が印加された状態とすると、細線部１０５の中央部のエネルギーバリアは小さくなるが、ソース１０３，ドレイン１０４と接続している細線部１０５の両端のエネルギーバリアは変化しない。 - 特許庁

Thus, when environment conditions (temperature) change, a boosted voltage to be applied to the transfer transistor for reducing an afterimage and a negative voltage for preventing the increase of a white point due to dark currents can be controlled so that a potential difference can be made almost equal, and the afterimage and white point of the pixel can be optimized without increasing any stress on a gate oxide film.例文帳に追加

これにより、環境条件（温度）が変化した際に、残像を少なくするための転送トランジスタに印加する昇圧電圧と、暗電流による白点の増加を防ぐ負電圧を、電位差がほぼ等しくなるように制御することができ、ゲート酸化膜へのストレスを増やすことなく、画素の残像、白点の最適化を行うことができる。 - 特許庁