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「ゲート領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5851件
チャネル領域は、ゲート誘電体領域によってゲート電極領域から電気的に分離している。例文帳に追加
The channel region is electrically separated from the gate electrode region by the gate dielectric region. - 特許庁
ｐゲート領域とゲート電極との間のコンタクト領域にｎ^＋領域を用いる。例文帳に追加
An n^+ region is used for a contact region between a p gate region and a gate electrode. - 特許庁
ゲートコンタクト領域２９で囲まれた領域に、Ｎ型のチャネル領域３３とトップゲート領域３４を形成する。例文帳に追加
An N-type channel region 33 and a top gate region 34 are formed within the region encircled by the region 29. - 特許庁
第１の領域のゲート誘電体上に第１の領域のゲート（５０６）が形成される。例文帳に追加
A first region gate (506) is formed on the first region gate dielectric. - 特許庁
第２の領域のゲート誘電体上に第２の領域のゲート（３０２）が形成される。例文帳に追加
A second region gate (302) is formed on the second region gate dielectric. - 特許庁
活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。例文帳に追加
A floating gate pattern is formed in a region in which the active region and the control gate pattern intersect. - 特許庁
ソース領域１２・ゲート領域１４間の第２のゲート電極１７、及びドレイン領域１３・ゲート領域１４間の第２のゲート電極１７は、オフセット領域１６を覆っている。例文帳に追加
A second gate electrode 17 between a source region 12 and a gate region 14 and another second gate electrode 17 between a drain region 13 and the gate region 14 cover offset regions 16. - 特許庁
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「ゲート領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5851件
このような構成によれば、第１ゲート領域３と第３ゲート領域１５との間、および第３ゲート領域１５と第２ゲート領域７との間の２つの領域でチャネルが形成されるようにできる。例文帳に追加
According to such a constitution, channels can be formed in the two regions between the first gate region 3 and the third gate region 15 and between the third gate region 15 and the second gate region 7. - 特許庁
第２の領域に第２の領域のゲート誘電体（３０６）が形成される。例文帳に追加
A second region gate dielectric (306) is formed in the second region. - 特許庁
Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。例文帳に追加
A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203. - 特許庁
ｎ型のチャネル領域５が、ゲート領域２の下部に設けられる。例文帳に追加
An n-type channel region 5 is provided under the gate region 2. - 特許庁
また、チャンネル領域１４の内部にゲート領域１９が設けられている。例文帳に追加
A gate region 19 is provided inside the channel region 14. - 特許庁
夫々の領域にゲート電極４及びゲート絶縁膜３を形成する。例文帳に追加
A gate electrode 4 and a gate insulation film 3 are formed at each region. - 特許庁
バックゲート領域１２は、その一部がゲート電極２０に隣接している。例文帳に追加
The back gate region 12 is adjacent to the gate electrode 20 partially. - 特許庁
ゲートスペース内に第１の領域のゲート誘電体（５０４）が形成される。例文帳に追加
A first region gate dielectric (504) is formed in the gate space. - 特許庁
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gate region
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