サファイア基板シリコンの英語

第１ステップにて、下フォトレジスト層、窒化シリコン層、上フォトレジスト層からなる多層レジストをサファイア基板表面に形成する。例文帳に追加

A multilayer resist consisting of a lower photoresist layer, a nitride silicon layer and an upper photoresist layer, is formed on the surface of a sapphire substrate in a first step. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。例文帳に追加

The first substrate is a sapphire substrate including a nitride semiconductor layer or a GaAs substrate, and the second substrate may be any of a silicon substrate, a GaAs substrate, a Ge substrate, and a metal substrate. - 特許庁

透明なサファイア基板にシリコン単結晶を形成して、このシリコン薄膜にＬＳＩを形成するＳＯＳプロセスにおいて、基板の裏面に形成された光透過防止膜により基板に反りが生じないようにする。例文帳に追加

To prevent a board from being warped by forming a silicon film where an entire film is turned amorphous on the backside an insulating board before a semiconductor device is formed as a light transmission prevention film. - 特許庁

サファイア基板１の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化することにより、シリコン薄膜２上にシリコン酸化膜３を形成する。例文帳に追加

A silicon semiconductor thin film 2 with a thickness of 3,000 Åis formed on the surface of a sapphire transparent insulating board 1 by epitaxial growth. - 特許庁

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。例文帳に追加

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3. - 特許庁

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。例文帳に追加

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate. - 特許庁

半導体装置の製造方法はガラス基板100上にサファイア膜120を堆積する工程と、このサファイア膜120上に非晶質シリコン膜130を堆積する工程と、この非晶質シリコン膜130に対してエネルギー線を照射し、非晶質シリコン膜130を液相成長させて単結晶シリコン膜140とする工程とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of depositing a sapphire film 120 on a glass substrate 100, a step of depositing an amorphous silicon film 130 on the sapphire film 120 and a step of irradiating the silicon film 130 with an energy beam to grow this film 130 in a liquid phase to form a single-crystal silicon film 140. - 特許庁