「サファイア基板シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

具体的には、サファイア基板の両主面にシリコンを貼り合わせた複合基板の１主面上に窒化物半導体を成長する。例文帳に追加

More specifically, a nitride semiconductor is grown on one major surface of a composite substrate, where silicon is stuck to the opposite major surfaces of a sapphire substrate. - 特許庁

バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。例文帳に追加

The buffer layer contains Ga_x1Al_1-x1 N (0.1≤x1<0.5) formed on a sapphire or silicon substrate. - 特許庁

第１ステップにて、下フォトレジスト層、窒化シリコン層、上フォトレジスト層からなる多層レジストをサファイア基板表面に形成する。例文帳に追加

A multilayer resist consisting of a lower photoresist layer, a nitride silicon layer and an upper photoresist layer, is formed on the surface of a sapphire substrate in a first step. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。例文帳に追加

The first substrate is a sapphire substrate including a nitride semiconductor layer or a GaAs substrate, and the second substrate may be any of a silicon substrate, a GaAs substrate, a Ge substrate, and a metal substrate. - 特許庁

透明なサファイア基板にシリコン単結晶を形成して、このシリコン薄膜にＬＳＩを形成するＳＯＳプロセスにおいて、基板の裏面に形成された光透過防止膜により基板に反りが生じないようにする。例文帳に追加

To prevent a board from being warped by forming a silicon film where an entire film is turned amorphous on the backside an insulating board before a semiconductor device is formed as a light transmission prevention film. - 特許庁

サファイア基板１の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化することにより、シリコン薄膜２上にシリコン酸化膜３を形成する。例文帳に追加

A silicon semiconductor thin film 2 with a thickness of 3,000 Åis formed on the surface of a sapphire transparent insulating board 1 by epitaxial growth. - 特許庁

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。例文帳に追加

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3. - 特許庁

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。例文帳に追加

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate. - 特許庁

半導体装置の製造方法はガラス基板100上にサファイア膜120を堆積する工程と、このサファイア膜120上に非晶質シリコン膜130を堆積する工程と、この非晶質シリコン膜130に対してエネルギー線を照射し、非晶質シリコン膜130を液相成長させて単結晶シリコン膜140とする工程とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of depositing a sapphire film 120 on a glass substrate 100, a step of depositing an amorphous silicon film 130 on the sapphire film 120 and a step of irradiating the silicon film 130 with an energy beam to grow this film 130 in a liquid phase to form a single-crystal silicon film 140. - 特許庁

酸化シリコン膜やサファイア基板などからなる絶縁物１１上に、シリコン層からなり半導体素子が形成される素子領域部１３が独立して設けられている。例文帳に追加

An element region part 13 composed of a silicon layer and forming a semiconductor element is provided independently on an insulating substance 11 composed of a silicon oxide film, a sapphire substrate or the like. - 特許庁

光導波路の下部クラッドをサファイア基板とし且つコアをシリコン膜としたので、屈折率差を十分に大きくでき、その結果シリコン膜を薄くできるので、コアの加工時間等が短縮できる。例文帳に追加

Since the lower clad of the optical waveguide is made of the sapphire substrate, with the core made of the silicon film, a refractive index difference can be made sufficiently large, making the silicon film thinner and reducing core machining time or the like. - 特許庁

シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いＳＯＳ基板を提供する。例文帳に追加

To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate low in the defect density of a surface even in an extremely thin silicon film by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire. - 特許庁

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。例文帳に追加

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate. - 特許庁

サファイア基板上に単結晶シリコン薄膜が積層されたＳｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ（ＳＯＳ）基板であって、ラマンシフト法により測定した、前記ＳＯＳ基板のシリコン膜の応力が面内全域で２．５ｘ１０^８Ｐａ以下であるＳＯＳ基板である。例文帳に追加

In the Silicon On Sapphire (SOS) substrate where a single-crystal silicon thin film is stacked on a sapphire substrate, a stress of a silicon film on the SOS substrate measured by a Raman shift method is ≤2.5×10^8 Pa in an entire area of a plane. - 特許庁

サファイア基板等の単結晶の支持基板に、直接単結晶シリコン層等の単結晶層を形成するときに、結晶欠陥の形成を防止する。例文帳に追加

To prevent formation of a crystal defect when a single crystal layer such as a single crystal silicon layer is directly formed on a support substrate of single crystal, such as a sapphire substrate. - 特許庁

また、基板の材質は、サファイア、雲母鉱物、石英鉱物、SrTiO3などのペロブスカイト系単結晶酸化物、シリコンウェハー、ZnOウェハー、GaNウェハーであることが好ましい。例文帳に追加

The material of the substrate is preferably a perovskite-based single crystal oxide such as sapphire, mica mineral, quartz mineral, SrTiO_3, or a silicon wafer, a ZnO wafer or a GaN wafer. - 特許庁

サファイア基板上に形成されるシリコンエピタキシャル層の品質向上を図ることにより、製造される半導体デバイスの特性を向上させること。例文帳に追加

To improve the characteristic of a manufactured semiconductor device, by improving the quality of a silicon epitaxial layer formed on a sapphire substrate. - 特許庁

サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。例文帳に追加

To address at least some of the problems encountered in growing one or more layers of III-nitride semiconductor material(s) over a foreign substrate such as sapphire, GaAs, silicon or silicon carbide. - 特許庁

シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し欠陥密度が小さいＳＯＳ基板を提供する。例文帳に追加

To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate reduced in surface defect density by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire. - 特許庁

サファイア基板１０上に単結晶シリコン１０を形成させると共に、アクティブ領域にＳｉ_3 Ｎ_4 を形成して酸化処理を行うと、素子分離部に酸化膜３０が形成される。例文帳に追加

Single crystal silicon 10 is deposited on a sapphire substrate 10 and Si3N4 is deposited in an active region and then they are oxidized to fom an oxide film 30 at an isolation region. - 特許庁

シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。例文帳に追加

A readout IC (ROIC) and an ultraviolet or blue light-receiving element are formed on silicon sapphire (SOS), a red and infrared light-receiving element is formed on a compound semiconductor substrate, and electrodes of the both are stuck together. - 特許庁

サファイア基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ^+ 層１３が形成されている。例文帳に追加

On a sapphire substrate 11, a buffer layer 12 of film thickness of about 25 nm comprising nitride aluminum(AlN) is provided, over which a high carrier concentration n+ layer 13 of film thickness of about 4.0 μm comprising silicon(Si) doped GaN is formed. - 特許庁

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。例文帳に追加

The surface acoustic wave device 1 includes a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, comb-like electrodes 21, 22 formed in contact with the main surface 11 of the sapphire substrate 10, an aluminum nitride film 30 for covering the comb-like electrodes 21, 22, and a silicon dioxide film 40 formed on the surface of the aluminum nitride film 30. - 特許庁

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。例文帳に追加

The surface acoustic wave device 1 includes, a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, an aluminum nitride film 30 formed on the main surface 11 of the sapphire substrate 10, comb-like electrodes 21, 22 formed on the surface of the aluminum nitride film 30, and a silicon dioxide film 40 for covering the surfaces of the comb-like electrodes 21, 22 and the aluminum nitride film 30. - 特許庁

これは、基板１の屈折率よりも半導体積層構造２〜４の屈折率の方が大きい場合に顕著であり、III族窒化物系化合物半導体の積層構造で発光部を形成し、サファイア、シリコン、ＳｉＣ又はスピネルを基板とする場合に特に効果が顕著となる。例文帳に追加

It is remarkable when the refractive indices of the semiconductor laminating structures 2 to 4 are larger than those of the substrates 1, and an effect is remarkable particularly when the light emitter is formed of the laminating structure of a group III nitride compound semiconductor and sapphire, silicon, SiC or a spinel is used as the substrate. - 特許庁

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。例文帳に追加

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD. - 特許庁

基板１は、サファイア、炭化ケイ素、シリコン、または窒化ガリウムのうちのいずれか１種を用い、窒化物半導体層は窒化ガリウム、窒化アルミニウム、または窒化インジウムのうちより選択される１種以上を含む窒化物半導体層よりなる構成の窒化物半導体素子とする。例文帳に追加

For the substrate 1, any one among sapphire, silicon carbide, silicon, or gallium nitride is used; and the nitride semiconductor layer includes at least one selected from among gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. - 特許庁

サファイア基板（図示せず）の上にＧａＮよりなるバッファ層（図示せず）を介してＡｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎよりなる下地層１の上にＩｎＮ層２を形成し、当該ＩｎＮ層２の上に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）層３が形成されたものである。例文帳に追加

An InN layer 2 is formed on an underlayer 1 made of Al_0.1Ga_0.9N on a sapphire substrate (not shown) via a buffer layer (not shown) made of GaN, and a silicon nitride (SiN_x) layer 3 is formed on the InN layer 2. - 特許庁

光電子集積回路６００は、ＳＯＳ基板６１０のサファイア基板６１１を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜６１１をコアとした光導波路と、該シリコン膜６１１に形成された電子集積回路６４０と、光ファイバ６７０，６８０を固定する溝６２１，６２２とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ６５０およびレーザダイオードアレイ６６０がハイブリッドに搭載される。例文帳に追加

The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660. - 特許庁