四ふっ化酸化の英語

（十の二）　三酸化ウラン、六ふっ化ウラン、二酸化ウラン、四ふっ化ウラン、金属ウラン、四塩化ウラン、二酸化プルトニウム、しゅう酸プルトニウム、過酸化プルトニウム、三ふっ化プルトニウム、四ふっ化プルトニウム若しくは金属プルトニウムの製造用の装置若しくはその附属装置又はこれらの部分品例文帳に追加

(x-2) Equipment for the production of uranium trioxide, uranium hexafluoride, uranium dioxide, uranium tetrafluoride, uranium metal, uranium tetrachloride, plutonium dioxide, plutonium oxalate, plutonium peroxide, plutonium trifluoride, plutonium tetrafluoride, or plutonium metal, or auxiliaries therefor, or components of such equipment and auxiliaries発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ロ　三酸化ウラン又は四ふっ化ウランを原料とする六ふっ化ウランの製造用の装置例文帳に追加

(b) Equipment used for the production of uranium hexafluoride using uranium trioxide or uranium tetrafluoride as raw materials発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ニ　二酸化ウラン又は六ふっ化ウランを原料とする四ふっ化ウランの製造用の装置例文帳に追加

(d) Equipment used for the production of uranium tetrafluoride using uranium dioxide or uranium hexafluoride as raw materials発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

十の二　三酸化ウラン、六ふっ化ウラン、二酸化ウラン、四ふっ化ウラン、金属ウラン若しくは四塩化ウランの製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの若しくはその附属装置又はこれらの部分品例文帳に追加

(x)-2 Equipment for the production of uranium trioxide, uranium hexafluoride, uranium dioxide, uranium tetrafluoride, metallic uranium or uranium tetrachloride, falling under any of the following, or auxiliaries or components thereof発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

十の三　二酸化プルトニウム、しゅう酸プルトニウム、過酸化プルトニウム、三ふっ化プルトニウム、四ふっ化プルトニウム若しくは金属プルトニウムの製造用の装置若しくはその附属装置又はこれらの部分品例文帳に追加

(x)-3 Equipment used for the production of plutonium dioxide, plutonium oxalate, plutonium peroxide, plutonium trifluoride, plutonium tetrafluoride or metallic plutonium, or auxiliaries or components thereof発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

フッ素成分を含んだ第四級アンモニウム塩を、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属水酸化物、またはアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を用いて精製する。例文帳に追加

The quaternary ammonium salt containing the fluorine component is purified with at least one kind of metal hydroxide selected from the group consisting of an alkali metal hydroxide and an alkaline earth metal hydroxide or at least one kind of metal oxide selected from the group consisting of an alkali metal oxide and an alkaline earth metal oxide. - 特許庁

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、塩化ニトロシル、塩化ニトロイルまたは臭化ニトロシルのいずれかをエッチングガスとして用いたうえで、あるいはまた、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、三酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素またはフッ化ニトロシルのいずれかを添加含有させてなる塩素系または臭素系のエッチングガスを用いたうえでポリシリコンまたはシリコンをエッチングすることを特徴としている。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device is to etch a polysilicon or silicon using either one out of nitrosyl chloride, nitrile chloride or nitrosyl bromide or using chlorine or bromic base etching gas additionally containing either one out of nitrogen oxide, dinitrogen oxide, nitrogen dioxide, nitrogen trioxide, dinitrogen trioxide, dinitrogen tetroxide, dinitrogen pentoxide. - 特許庁