ドレインプラグのコック部を回転操作する作業者の手に、高温の冷却水がかからないラジエータのドレイン装置を提供する。例文帳に追加

To provide a drain device for a radiator capable of preventing high temperature cooling water from splashing on the hand of a worker who rotates and operates a cock part of a drain plug. - 特許庁

このように、ソースプラグＰ１Ｓを分割することにより、ソースプラグＰ１ＳとドレインプラグＰ１Ｄ等との対向面積が低減し、寄生容量の低減を図ることができる。例文帳に追加

Like this, by dividing the source plug P1S, facing area of the source plug P1S with the drain plug P1D and the like is reduced thereby achieving reduction of parasitic capacitance. - 特許庁

ドレイン管６に螺合して排出管７を開閉操作するドレインプラグ８は、コック部２２と棒状プラグ２１との間に、ドレイン管６側に向かって開口するカップ形状のカバー３１を備える。例文帳に追加

The drain plug 8 screwed to a drain pipe 6 and opening/closing a delivery pipe 7 is provided with a cup-shaped cover 31 opened to the drain pipe 6 side between the cock part 22 and a rod-shaped plug 21. - 特許庁

ハウジングからのドレインプラグの取り外し時におけるオイルの飛散を極力抑制することのできるオイルフィルタのドレイン構造を提供する。例文帳に追加

To provide a drain mechanism for an oil filter capable of suppressing scattering of oil as much as possible when a drain plug is removed from a housing. - 特許庁

ドレインプラグＰ１Ｄは、Ｙ方向に延在するライン状に配置され、ソースプラグＰ１Ｓは、Ｙ方向に所定の間隔を置いて配置された複数の分割ソースプラグＰ１Ｓを有するように半導体装置を構成する。例文帳に追加

The semiconductor device is configured such that the drain plug P1D is arranged on a line extending in a Y direction and the source plugs P1S each includes a plurality of divided source plugs P1S arranged in the Y direction at a predetermined distance. - 特許庁

ＬＯＣＯＳオフセット構造のＭＯＳトランジスタ１００をシリコン基板１に有する半導体装置であって、ソース電極２１はゲート電極１１の上方まで延ばされ、かつ第２ドレインプラグ３３のうちの少なくともゲート電極１１側を包囲するように形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device having an MOS transistor 100 of a LOCOS offset structure on a silicon substrate 1, a source electrode 21 extends to the upper part of the gate electrode 11 and is formed so as to surround at least the side of a second drain plug 33 where the gate electrode 11 is provided. - 特許庁

トレンチ６、７側壁に形成したゲート電極１０とトレンチ６、７内のドレインプラグ１５間に、低誘電率層間絶縁膜であるＬｏｗ−ｋ膜１２を形成することで、ゲート−ドレイン間容量を低減してスイッチング特性を向上させることができる。例文帳に追加

The gate-drain capacity can be reduced by forming a Low-k film 12 as a low dielectric constant interlayer insulating film is formed between a gate electrode 10 formed on side walls of trenches 6 and 7 and a drain plug 15 in the trenches 6 and 7, thereby improving the switching characteristics. - 特許庁

このような構成であれば、第２ドレインプラグ３３のソース電極２１によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極１１下とドレイン領域５との境界部分」への電界がある程度抑えられる。例文帳に追加

This configuration makes it possible to attract an electric field of a portion surrounded by the source electrode 21 of the second drain plug 33 by a source potential and to somewhat suppress an electric field from the surrounded portion to the "boundary between the portion below the gate electrode 11 and the drain region 5". - 特許庁

このため、ドレインプラグ８をゆるめる方向に回しすぎても、抜止手段３４によって棒状プラグ２１がドレイン管６内に挿入された状態が保たれ、ドレイン管６の先端から流出する冷却水量は少なく抑えられる。例文帳に追加

Therefore, even when the drain plug 8 is excessively turned to a loosening direction, the state that the rod-shaped plug 21 is inserted in the drain pipe 6 can be maintained by the slip preventing means 34, and an amount of the cooling water flowing from an end of the drain pipe 6 can be restrained small. - 特許庁

ドレインプラグ４２のドレイン管４１に対する車体前後方向への進退移動によりドレイン管の排水口５２ａを開閉するようにしたドレイン装置４において、ドレイン管の排水口に下方へ延びるドレインパイプ４３の基端部を連結する。例文帳に追加

The end part of a drain pipe 43 extending downward is connected to the drain port of the drainage pipe, in the drain device 4 in which the drain port 52a of the drainage pipe is opened and closed by the forward and backward movement of a drain plug 42 in the car body fore-and-aft direction to the drainage pipe 41. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタ１００のゲート電極１１とドレインプラグ１７との間のシリコン基板１上に、絶縁膜７を介して電界集中緩和用のスポットプラグ１９が設けられており、このスポットプラグ１９は、ゲート電極２１の上方まで延ばされたソース電極２１に接続している。例文帳に追加

A spot plug 19 for releasing electric field concentration is provided via an insulating film 7 on a silicon substrate 1 between a gate electrode 11 and a drain plug 17 of an MOS transistor 100, and the spot plug 19 is connected to a source electrode 21 extended to the upper part of a gate electrode 11. - 特許庁