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バリスティックの英語
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英訳・英語 Ballistic: Ecks vs. Sever
「バリスティック」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
バリスティックMOSトランジスタ例文帳に追加
BALLISTIC MOS TRANSISTOR - 特許庁
バリスティック・マイクロニードル注入デバイス例文帳に追加
BALLISTIC MICRONEEDLE INFUSION DEVICE - 特許庁
デュアルビット多準位バリスティックMONOSメモリの製造、プログラミング、および動作のプロセス例文帳に追加
MANUFACTURE OF DUAL BIT MULTI-LEVEL BALLISTIC MONOS MEMORY, PROGRAMMING, AND OPERATION PROCESS - 特許庁
窒化物系化合物からなるバリスティック半導体素子およびその製造方法例文帳に追加
BALLISTIC SEMICONDUCTOR DEVICE CONSISTING OF NITRIDE-BASED COMPOUND, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
界面散乱が増加し、バリスティック伝導が生かせなくなる現象を抑制し、大きなドレイン電流を供給できるバリスティックMOSトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a ballistic MOS transistor capable of suppressing a phenomenon in which interface scattering increases and it becomes impossible to take advantage of ballistic conduction and supplying large drain current. - 特許庁
外部磁場に対してナノコンタクトの安定性が補償されたバリスティック型の磁気ヘッドを提供する。例文帳に追加
To provide a magnetic head of a ballistic type in which stability of nano-contact is compensated for an external magnetic field. - 特許庁
高速低電圧バリスティックプログラム、超短チャネル、超高集積度、デュアルビット多準位のフラッシュメモリを提供する。例文帳に追加
To provide a flash memory of fast low-voltage ballistic program, ultra-short channel, ultra-high integration level, and dual bit multi-level. - 特許庁
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「バリスティック」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
電子が、伝導島を介して、極低温から500℃の範囲で各金属クラスター間をトンネリングするよう構成されており、直流・交流のバリスティック伝導を示す。例文帳に追加
The highly conductive amorphous alloy is composed so that electrons can perform tunneling between individual metal clusters via the conducting islands at a temperature ranging from extremely low temperature to 500°C and exerts ballistic conductivity for both direct current and alternating current. - 特許庁
グラフェンのバリスティック伝導性を利用した低抵抗配線を備え、配線と配線接続部材の接続部分の構成の複雑化を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device that includes a low resistance line connection in which a graphene ballistic conduction is used, and that prevents complication of a structure of the line connection and connection part of line connection part; and to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁
この磁気抵抗ヘッドは膜面垂直電流種用であり、巨大磁気抵抗(GMR)方式或いはバリスティック磁気抵抗(BMR)方式のいずれにも使用することができる。例文帳に追加
The magnetoresistive head is for a current-perpendicular to plane type and applicable to both giant magnetoresistive (GMR) system and ballistic magnetoresistive (BMR) system. - 特許庁
グラフェンのバリスティック(弾道)伝導性を利用し、パターン形状によらず電気抵抗の上昇を抑えることができ、さらにエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーション等のマイグレーションに対する耐性に優れた低抵抗配線を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device including low-resistance wiring, the semiconductor device suppressing an increase in electric resistance irrespective of a pattern shape by utilizing ballistic conductivity of graphene and also having excellent resistance to migration such as electromigration or stress migration. - 特許庁
導電部14aと、導電部14aと対向する導電部14bと、導電部14aと導電部14bとを接続するシート状炭素構造体15aと、を有する配線構造体10により、シート状炭素構造体15aのカイラリティの制御が容易にできて、シート状炭素構造体15aの電子状態に従って、シート状炭素構造体15aにバリスティック伝導を発現させることができるようにした。例文帳に追加
A wiring structure 10 having a conductive part 14a, a conductive part 14b opposite to the conductive part 14a, and a sheet-like carbon structure 15a for connecting the conductive parts 14a and 14b can control chirality of the sheet-like carbon structure 15a to enable the structure 15a to exhibit ballistic conduction according to an electronic state of the structure 15a. - 特許庁
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