ブレークオーバーの英語

この構造によって、ブレークオーバー電圧がブレークオーバー電圧決定導電領域３０とその周辺で決定されるようになるため、ブレークオーバー電圧は従来のままで半導体基板の抵抗率を高くして静電容量を小さくすることが出来る。例文帳に追加

By the structure, since break-over voltage is determined in the break-over voltage determination conductive region 30 and the neighborhood thereof, the break-over voltage enhances resistivity of the semiconductor substrate as it is in the conventional to lessen the electrostatic capacity. - 特許庁

ここで、ブレークオーバー電圧決定導電領域３０と第１電極１０の端部は、平面的に見て重なるように配置する。例文帳に追加

In this case, the breakover voltage-determining conductive region 30 and the end section of an first electrode 10 are arranged so that they overlap in a two-dimensional view. - 特許庁

この構造によって、ブレークオーバー電圧が第２Ｐ型導電領域３０とその周辺で決定されるようになるため、ブレークオーバー電圧は従来のままで基板の抵抗率を高くして静電容量を小さくすることが出来る。例文帳に追加

This structure allows a breakover voltage to be decided in the second p type conductive area 30 and around it, thereby, the resistivity of the substrate can be increased and its capacitance can be reduced as the breakover voltage is in the prior state. - 特許庁

検出部５は、高周波電圧に基づく抵抗Ｒ１０の検出電圧が第１閾値を超過したときに、第１閾値よりも大きいダイアックＤＡ２のブレークオーバー電圧以上の値に検出電圧を変換し、検出電圧がダイアックＤＡ２のブレークオーバー電圧以上であるときに、インバータ部２１の動作を停止させる。例文帳に追加

The detector 5 converts a detection voltage of a resistor R10 based on the high frequency voltage into a voltage having a value equal to or higher than the breakover voltage of a diac DA2 which is higher than a first threshold when the detection voltage exceeds the first threshold, and stops operation of the inverter 21 when the detection voltage is equal to or higher than the breakover voltage of the diac DA2. - 特許庁

ブレークオーバー電流と保持電流とが同等の値を有するスイッチング素子の場合でも、安定したスイッチング動作を確保することができる高電圧発生回路、イオン発生装置及び静電霧化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high voltage generating circuit, an ion generator and an electrostatic atomizer which ensures a stable switching operation even in a case of a switching element in which magnitude of breakover current is the same as that of holding current. - 特許庁

また、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４と第１孔状導電領域４０を形成し、さらにブレークオーバー電圧決定導電領域３０を第１Ｎ型導電領域２の外側に形成する。例文帳に追加

Additionally, a first P-type conductive region 4 and a first hole-shaped conductive region 40 are formed in the first N-type conductive region 2, and further, a breakover voltage-determining conductive region 30 is formed outside the first N-type conducive region. - 特許庁

また、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４と第１孔状導電領域４０を形成し、さらにブレークオーバー電圧決定導電領域３０を第１Ｎ型導電領域２の外周部とその近傍に形成する。例文帳に追加

A first p-type conductive region 4 and a hole-like conductive region 40 are formed in the first n-type conductive region 2, and further a break-over voltage determination conductive region 30 is formed on the outer peripheral part of the first n-type conductive region 2 and in the neighborhood thereof. - 特許庁