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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ブレークオーバーに関連した英語例文

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ブレークオーバーを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 10



例文

この構造によって、ブレークオーバー電圧がブレークオーバー電圧決定導電領域30とその周辺で決定されるようになるため、ブレークオーバー電圧は従来のままで半導体基板の抵抗率を高くして静電容量を小さくすることが出来る。例文帳に追加

By the structure, since break-over voltage is determined in the break-over voltage determination conductive region 30 and the neighborhood thereof, the break-over voltage enhances resistivity of the semiconductor substrate as it is in the conventional to lessen the electrostatic capacity. - 特許庁

ここで、ブレークオーバー電圧決定導電領域30と第1電極10の端部は、平面的に見て重なるように配置する。例文帳に追加

In this case, the breakover voltage-determining conductive region 30 and the end section of an first electrode 10 are arranged so that they overlap in a two-dimensional view. - 特許庁

この構造によって、ブレークオーバー電圧が第2P型導電領域30とその周辺で決定されるようになるため、ブレークオーバー電圧は従来のままで基板の抵抗率を高くして静電容量を小さくすることが出来る。例文帳に追加

This structure allows a breakover voltage to be decided in the second p type conductive area 30 and around it, thereby, the resistivity of the substrate can be increased and its capacitance can be reduced as the breakover voltage is in the prior state. - 特許庁

検出部5は、高周波電圧に基づく抵抗R10の検出電圧が第1閾値を超過したときに、第1閾値よりも大きいダイアックDA2のブレークオーバー電圧以上の値に検出電圧を変換し、検出電圧がダイアックDA2のブレークオーバー電圧以上であるときに、インバータ部21の動作を停止させる。例文帳に追加

The detector 5 converts a detection voltage of a resistor R10 based on the high frequency voltage into a voltage having a value equal to or higher than the breakover voltage of a diac DA2 which is higher than a first threshold when the detection voltage exceeds the first threshold, and stops operation of the inverter 21 when the detection voltage is equal to or higher than the breakover voltage of the diac DA2. - 特許庁

例文

ブレークオーバー電流と保持電流とが同等の値を有するスイッチング素子の場合でも、安定したスイッチング動作を確保することができる高電圧発生回路、イオン発生装置及び静電霧化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high voltage generating circuit, an ion generator and an electrostatic atomizer which ensures a stable switching operation even in a case of a switching element in which magnitude of breakover current is the same as that of holding current. - 特許庁


例文

また、第1N型導電領域2内に第1P型導電領域4と第1孔状導電領域40を形成し、さらにブレークオーバー電圧決定導電領域30を第1N型導電領域2の外側に形成する。例文帳に追加

Additionally, a first P-type conductive region 4 and a first hole-shaped conductive region 40 are formed in the first N-type conductive region 2, and further, a breakover voltage-determining conductive region 30 is formed outside the first N-type conducive region. - 特許庁

また、第1N型導電領域2内に第1P型導電領域4と第1孔状導電領域40を形成し、さらにブレークオーバー電圧決定導電領域30を第1N型導電領域2の外周部とその近傍に形成する。例文帳に追加

A first p-type conductive region 4 and a hole-like conductive region 40 are formed in the first n-type conductive region 2, and further a break-over voltage determination conductive region 30 is formed on the outer peripheral part of the first n-type conductive region 2 and in the neighborhood thereof. - 特許庁

スイッチ11の投入時、スイッチ素子としてのシリコン・バイラテラル・スイッチ(SBS)16は、位相回路21のコンデンサC1の充電電圧がブレークオーバー電圧を超えると導通し、サイリスタ15をターンオンさせ、トライアック13を最小導通角でオンさせる。例文帳に追加

When a switch 11 is turned on and if a charging voltage of a capacitor C1 in a phase circuit 21 exceeds a breakover voltage, a silicon bilateral switch (SBS) 16 as a switch element is made conductive so as to turn on a triac 13 at a minimum conduction angle while turning on a thyristor 15. - 特許庁

このため、ブレークオーバー電流が保持電流と同等の値をとるスイッチング素子15を使用したとき、スイッチング素子15の確実なターンオフを狙って充電電流Irを保持電流以上に設定しても、ターンオン時には、スイッチング素子15の負荷電流Isが保持電流を下回る。例文帳に追加

Therefore, when using the switching element 15 in which magnitude of breakover current is the same as that of holding current, and even when a charging current Ir is set to be the holding current or more so as to surely turn off the switching element 15, a load current Is of the switching element 15 is smaller than the holding current during turn-on. - 特許庁

例文

ソフトスタート後、点弧制御回路22を構成する抵抗R5の電圧が、SBS16のブレークオーバー電圧よりダイオードD2の順方向電圧分低い電圧となると、ダイオードD2が導通し、SBS16のゲートに供給されるトリガ電圧を制御し、トライアック13は最大導通角で動作する。例文帳に追加

After the soft start and if a voltage of a resistor R5 constituting a firing control circuit 22 becomes a voltage lower than the breakover voltage of the SBS 16 by a forward voltage of a diode D2, the diode 2 is made conductive so as to operate the triac 13 at a maximum conduction angle while controlling a trigger voltage supplied to a gate of the SBS 16. - 特許庁

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