ボロン拡散の英語

次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１内に熱拡散されたボロンを該シリコン単結晶基板１内により深く熱拡散させる第２の熱拡散工程を行う。例文帳に追加

Then, the second thermal diffusion process is executed for more deeply thermally diffusing boron, which is thermally diffused inside the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, inside the monocrystalline silicon wafer 1. - 特許庁

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。例文帳に追加

In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source. - 特許庁

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。例文帳に追加

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer. - 特許庁

非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板（基板１）内に熱拡散させる第１の熱拡散工程を行う。例文帳に追加

A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere. - 特許庁

Ｓｉ基板２の一方表面にボロンを拡散し、他方表面からＳｉ基板２をエッチングし、不純物拡散層１２を露出させる。例文帳に追加

Boron is diffused on one surface of a Si substrate 2 and the Si substrate 2 is etched on the other side to expose an impurity diffusion layer 12. - 特許庁

ここで、塗布される拡散剤はメチルセロソルブと、ボロン化合物と、水と、を含むことが好ましい。例文帳に追加

In such a case, it is preferable that the dispersing agent to be applied contains methyl cellosolve, boron compound and water. - 特許庁

次に、ボロン（Ｂ）の塗付拡散源をシリコン基板２０の表面にスピンコートにより塗布する。例文帳に追加

Thereafter, a boron (B) application diffusion source is applied by spin coating to the surface of the silicon substrate 20. - 特許庁

ボロンの混入によるｐ型反転の発生を低減できるアンチモン拡散方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of diffusing antimony, with which generation of p-type inversion due to mixing of boron is reduced. - 特許庁