ボロン添加シリコンの英語

ガラス基板１上にａ‐Ｓi膜３を不純物(ボロン)を添加しながら成膜し、ニッケル５を添加して加熱処理およびレーザ光６の照射によって結晶性シリコン膜７を得る。例文帳に追加

An a-Si film 3 is formed on a glass substrate 1, while being loaded with impurities (boron), nickel 5 is added to the film 3, and the film 3 is turned to a crystalline silicon film 7 by a thermal treatment and irradiation with a laser beam 6. - 特許庁

ボロンを主添加剤とするｐ型の棒状シリコン単結晶の長さ方向に所要の比抵抗値を有するシリコンウェーハを得るため、できるだけ簡便な手段で見かけの偏析係数を大きくして、シリコン単結晶の比抵抗値を均一にして歩留りを向上させる。例文帳に追加

To make apparent segregation coefficient large with a simple means, to make the specific resistance of a silicon single crystal uniform and to improve the yield so as to obtain a silicon wafer having a desired specific resistance in the longitudinal direction of a p-type rod-shaped silicon single crystal obtained by doping boron as a main dopant. - 特許庁

水素アニール中に適度にジボランを添加することによって、ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化が図れる。例文帳に追加

Boron concentration in the direction of the wafer depth of the wafer surface layer of the boron-doped silicon wafer is equalized by properly adding diborane into hydrogen annealing. - 特許庁

シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板はドープ剤として少なくともボロンとガリウムの両方が添加されたものであり、かつ抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer has a silicon epitaxial layer formed on a silicon monocrystalline substrate, wherein the silicon monocrystalline substrate is one to which at least both boron and gallium are added as a doping agent, and its resistivity is ≤20 [mΩ cm]. - 特許庁

これにより、膜中にボロンの拡散を抑制するのに必要な濃度の炭素を添加させるとともに、任意の深さ領域で炭素の濃度をボロンの濃度と同等若しくは高くして、炭素とボロンとのシリコン−ゲルマニウム混晶膜中への取り込みにずれが生じないようにする。例文帳に追加

Thus, carbon of a concentration required for suppressing a diffusion of boron is added to a film, and further a concentration of carbon is equal to or higher than a concentration of boron in any depth area, so that an offset is not caused in entrapping of carbon and boron into the silicon/germanium mixed crystal film. - 特許庁

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal. - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハ１０は、バルク層１１ａの抵抗率が３０ｍΩｃｍ以下となるようにボロンが添加されたシリコンウェーハ１１と、その表面表層部１１ｂ上に形成されたエピタキシャル膜１２とを備える。例文帳に追加

An epitaxial silicon wafer 10 includes a silicon wafer 11 to which boron is added so that a bulk layer 11a has a resistivity of not larger than 30 mΩcm, and an epitaxial film 12 formed on a top surface layer part 11b thereof. - 特許庁

含有されるボロンの絶対濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の２５〜３５％に相当するリンを初期融液に添加した溶融シリコンより、チョクラルスキー法で引上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is pulled from a silicon melt prepared by adding an amount of 25 to 35%, based on the absolute concentration (atom/ cc) of boron contained, of phosphorous in an initial melt by a Czochralski method. - 特許庁