メサ型トランジスタの英語

この電界効果トランジスタにおける窒化物半導体積層構造部５には、ｎ型ＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７およびｎ型ＧａＮ層８に跨る壁面１６を側面とするメサ状積層部１５が形成されている。例文帳に追加

A mesa shape lamination unit 15, having a side surface or a wall surface 16 which is extended over an n-type GaN layer 6, a p-type GaN layer 7 and another n-type GaN layer 8, is formed on a nitride semiconductor lamination structural unit 5 in this field effect transistor. - 特許庁

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、コレクタ層２、ベース層３、エミッタ層４及びエミッタキャップ層５を積層し、エミッタキャップ層５のメサ７端部にほぼ一致する断面Ｔ字型のエミッタ電極１２ｂを有することを特徴とする。例文帳に追加

The heterojunction bipolar transistor 1 comprises a multilayer of a collector layer 2, a base layer 3, an emitter layer 4 and an emitter cap layer 5, and an emitter electrode 12b having a T-shaped cross-section substantially aligned with the end of a mesa 7 of the emitter cap layer 5. - 特許庁

ＳＯＩ活性層とメサ型素子分離領域との境界のゲート電極で覆われた部分における、閾値電圧の低い寄生トランジスタの発生を効果的に防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the occurrence of a parasitic transistor, having low threshold voltage in a portion covered with a gate electrode at the boundary between an SOI active layer and a mesa-type element separating region can be prevented effectively, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

半絶縁性基板上に第１導電型サブコレクタ層３と、第１導電型コレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第２導電型たベース層７と、該ベース層７よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第１導電型エミッタコンタクト層９とで、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している。例文帳に追加

The mesa hetero-jumction bipolar transistor consists of a first conductivity sub-collector layer 3, a first conductivity collector contact layer and a collector layer, a second conductivity base layer 7, an emitter layer whose band gap is larger than the base layer 7, and a first conductivity emitter contact layer 9 on a semi-insulating substrate. - 特許庁

第１の導電型の炭化ケイ素（ＳｉＣ）コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer. - 特許庁