メタ磁性～の英語

反強磁性ハーフメタリック半導体例文帳に追加

ANTI-FERROMAGNETIC HALF METALLIC SEMICONDUCTOR - 特許庁

強磁性、フェリ磁性または反強磁性磁性の磁性を有し、電子のスピン方向に応じて伝導現象が大幅に異なる特性を有するハーフメタルを主成分とする磁性層を磁気抵抗効果膜に挿入する。例文帳に追加

A magnetic layer having ferromagnetism, ferrimagnetism, or antiferromagnetism and such a characteristic that the conducting phenomenon presented by the layer remakably varies depending upon the spin direction of electrons is inserted into a magnetoresistive effect film. - 特許庁

また、軟磁性粉末としてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系粉末を用いるメタルコンポジットコア用軟磁性粉末。例文帳に追加

For the soft magnetism material, an Fe-Si-Al-based powder is preferably used. - 特許庁

ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。例文帳に追加

The MTJ element (1) includes: a first magnetic layer (10); a second magnetic layer (20); a tunnel barrier layer (30) positioned between the first magnetic layer (10) and the second magnetic layer (20); and a first half metal layer (40) formed by a half metal material. - 特許庁

反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。例文帳に追加

To provide anti-ferromagnetic half metallic semiconductor having anti-ferromagnetism and consisting of half metallic new spintronics material. - 特許庁

本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。例文帳に追加

The magnetoresistance effect film 2 is constituted by laminating a half metallic antiferromagnetic layer comprising a half metallic antiferromagnetic layer 21, a nonmagnetic spacer layer 22, and a magnetization free layer 23 of which the direction of magnetization is changed. - 特許庁

本発明の目的は、着磁性の中央部と非着磁性の周縁部とを有するバイメタルコインを選別できるコインセレクタを提供することである。例文帳に追加

To provide a coin selector capable of sorting bimetallic coins each having a magnetized central portion and a non-magnetized circumferential portion. - 特許庁

本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、２種類以上の磁性元素とハロゲンとを含む化合物であって、前記２種類以上の磁性元素には、有効ｄ電子数が５より少ない磁性元素と有効ｄ電子数が５より多い磁性元素とが含まれている。例文帳に追加

The half-metallic antiferromagnetic substance is a compound containing two or more kinds of magnetic elements and halogen, and the two or more kinds of magnetic elements include a magnetic element whose effective d electron number is fewer than 5 and a magnetic element whose effective d electron number is larger than 5. - 特許庁