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リブ導波路の英語
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英訳・英語 rib waveguide
「リブ導波路」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
リブ(312)は放射線が伝播する導波路を形成する。例文帳に追加
The rib (312) forms a waveguide along which radiation propagates. - 特許庁
リブ型光導波路デバイス及びその製造方法例文帳に追加
RIB-TYPE OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
リブ型光導波路分布反射型半導体レーザの製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING RIB-SHAPE OPTICAL WAVEGUIDE DISTRIBUTED REFLECTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁
解像度がリブ型導波路の幅以上の露光装置を使用しても格子欠陥が導波路のリブ型導波路の中央部にのみに集中する導波路型受光器の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a waveguide type photodetector, wherein a lattice defect concentrates only on the center portion of a rib-type waveguide of a semiconductor even in the case of using an exposure apparatus of which the resolution is equal to or higher than the width of the rib-type waveguide. - 特許庁
リブ型半導体光導波路のコア部分の強度を上げ、切断時の光導波路の破損をなくする。例文帳に追加
To enhance the strength of the core part of a rib-shaped semiconductor optical waveguide to eliminate the breakage of the optical waveguide in cutting. - 特許庁
シリコン・リブ導波路を通じて伝播する光の光損失を減少させること。例文帳に追加
To reduce an optical loss of the light propagated through a silicon rib waveguide. - 特許庁
また、シリコンコア101よりなるリブ型導波路の途中には、導波路型の光分岐部109が接続され、光強度検出部106が接続されているモニター導波路に、一部の光を分岐する。例文帳に追加
A waveguide type optical branching section 109 is connected along the path of the rib waveguide comprising the silicon core 101 to branch a fraction of the light to a monitor waveguide to which a light intensity detection section 106 is connected. - 特許庁
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「リブ導波路」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
電気光学装置において、第1の導電型の第1のシリコン半導体層と第2の導電型の第2のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。例文帳に追加
In the electro-optic device, a stack structure including a first silicon semiconductor layer of a first conductivity type and a second silicon semiconductor layer of a second conductivity type has a rib waveguide shape to form an optical confinement area, and a slab portion of a rib waveguide includes an area to which a metal electrode is connected. - 特許庁
シリコン細線よりなるリブ型導波路を、損失を抑制して高効率な状態で、光ファイバーと光結合できるようにする。例文帳に追加
To achieve optical coupling of a rib type waveguide composed of a silicon wire to an optical fiber in a highly efficient state by suppressing loss. - 特許庁
金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の0次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。例文帳に追加
The area to which the metal electrode is connected is set within a range of a distance from the rib waveguide to the area to which the metal electrode is connected such that, when the distance is changed, an effective refractive index of the rib waveguide in a zero^th-order mode does not change. - 特許庁
光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。例文帳に追加
To accurately measure the intensity of light in an integrated optical device having a rib waveguide structure comprising silicon in which an optical modulation section and a light intensity detection section are monolithically integrated. - 特許庁
リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。例文帳に追加
To provide a variable optical attenuator using a rib type silicon thin line waveguide, which achieves high speed operation with low power consumption without requiring useless power. - 特許庁
光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。例文帳に追加
To perform exact measurement of light intensity in an integrated optical device of a rib type waveguide structure wherein an optical modulation part and a light intensity detection part are monolithically integrated and which is made of silicon. - 特許庁
リブ型シリコン細線導波路型の可変光減衰器において、不要な電流の流れを防止し低消費電力で高速動作できるようにする可変光減衰器の作製方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for fabricating a variable optical attenuator comprising a rib type silicon thin line waveguide, which prevents an unnecessary current from flowing and which can be operated at a high speed with low power consumption. - 特許庁
半導体から構成されたリブ型導波路を構成しているコア103一部に曲部111,112を設け、曲部111,112において、p形半導体領域(p形キャリア供給部)105a,115bとn形半導体領域(n形キャリア供給部)106a,106bの対を設ける。例文帳に追加
Curved parts 111, 112 are provided on a core 103 part which constructs a rib type waveguide composed of a semiconductor and pairs of a p-type semiconductor region (a p-type carrier supplying part) 105a, 105b and an n-type semiconductor region (an n-type carrier supplying part) 106a, 106b are provided on the curved parts 111, 112. - 特許庁
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