「リブ導波路」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコン・リブ導波路を通じて伝播する光の光損失を減少させること。例文帳に追加

To reduce an optical loss of the light propagated through a silicon rib waveguide. - 特許庁

また、シリコンコア１０１よりなるリブ型導波路の途中には、導波路型の光分岐部１０９が接続され、光強度検出部１０６が接続されているモニター導波路に、一部の光を分岐する。例文帳に追加

A waveguide type optical branching section 109 is connected along the path of the rib waveguide comprising the silicon core 101 to branch a fraction of the light to a monitor waveguide to which a light intensity detection section 106 is connected. - 特許庁

電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。例文帳に追加

In the electro-optic device, a stack structure including a first silicon semiconductor layer of a first conductivity type and a second silicon semiconductor layer of a second conductivity type has a rib waveguide shape to form an optical confinement area, and a slab portion of a rib waveguide includes an area to which a metal electrode is connected. - 特許庁

シリコン細線よりなるリブ型導波路を、損失を抑制して高効率な状態で、光ファイバーと光結合できるようにする。例文帳に追加

To achieve optical coupling of a rib type waveguide composed of a silicon wire to an optical fiber in a highly efficient state by suppressing loss. - 特許庁

金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の０次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。例文帳に追加

The area to which the metal electrode is connected is set within a range of a distance from the rib waveguide to the area to which the metal electrode is connected such that, when the distance is changed, an effective refractive index of the rib waveguide in a zero^th-order mode does not change. - 特許庁

光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。例文帳に追加

To accurately measure the intensity of light in an integrated optical device having a rib waveguide structure comprising silicon in which an optical modulation section and a light intensity detection section are monolithically integrated. - 特許庁

リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。例文帳に追加

To provide a variable optical attenuator using a rib type silicon thin line waveguide, which achieves high speed operation with low power consumption without requiring useless power. - 特許庁

光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。例文帳に追加

To perform exact measurement of light intensity in an integrated optical device of a rib type waveguide structure wherein an optical modulation part and a light intensity detection part are monolithically integrated and which is made of silicon. - 特許庁

リブ型シリコン細線導波路型の可変光減衰器において、不要な電流の流れを防止し低消費電力で高速動作できるようにする可変光減衰器の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a variable optical attenuator comprising a rib type silicon thin line waveguide, which prevents an unnecessary current from flowing and which can be operated at a high speed with low power consumption. - 特許庁

半導体から構成されたリブ型導波路を構成しているコア１０３一部に曲部１１１，１１２を設け、曲部１１１，１１２において、ｐ形半導体領域（ｐ形キャリア供給部）１０５ａ，１１５ｂとｎ形半導体領域（ｎ形キャリア供給部）１０６ａ，１０６ｂの対を設ける。例文帳に追加

Curved parts 111, 112 are provided on a core 103 part which constructs a rib type waveguide composed of a semiconductor and pairs of a p-type semiconductor region (a p-type carrier supplying part) 105a, 105b and an n-type semiconductor region (an n-type carrier supplying part) 106a, 106b are provided on the curved parts 111, 112. - 特許庁

リブ型導波路を構成しているシリコンコア１０１の一部において、シリコンコア１０１を挟むようにスラブ層１０２に形成されたｐ型半導体領域１０３およびｎ型半導体領域１０４を備える光変調部１０５を備える。例文帳に追加

The integrated optical device includes, as part of a silicon core 101 constituting a rib waveguide, an optical modulation section 105 having a p-type semiconductor region 103 and an n-type semiconductor region 104 fabricated in a slab layer 102 interposing the silicon core 101. - 特許庁

このコネクタ１では、位置決め手段は、光導波路２に形成され、その厚さ方向に貫通し、長手方向に沿って延びるスリット２１と、ハウジング３の底面３１３に突出形成され、スリット２１に挿入されるリブ３７とで構成されている。例文帳に追加

In the connector 1, the positioning means is composed of: a slit 21 which is formed on the optical waveguide 2, penetrates through the optical waveguide 2 in the thickness direction and extends along the longitudinal direction; and a rib 37 which is projectingly formed on the bottom face 313 of the housing 3 and inserted into the slit 21. - 特許庁