リンイオンの英語

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere. - 特許庁

半導体基板１１上のゲート電極１３をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にリンイオン及びヒ素イオンを導入する。例文帳に追加

Phosporus ions and arsenic ions are implanted on the surface layer of a semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by a gate electrode 13 on the semiconductor wafer 11. - 特許庁

レジストパターン５をマスクとして反射防止膜４をエッチングした後、レジストパターン５とエッチングされた反射防止膜４とにリンイオンを注入する。例文帳に追加

The antireflection film 4 is etched using the resist pattern 5 as a mask and phosphorus ions are implanted into the resist pattern 5 and the etched antireflection film 4. - 特許庁

ガラス基板１上に、アルゴン元素あるいは、リンイオン及びホウ素イオンを含有する非晶質シリコン膜２を形成し、この非晶質シリコン膜２上に、絶縁膜３を介して非晶質のシリコン膜４を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 2 containing argon element or phosphorus ion and boron ion is formed on a glass substrate 1, and an amorphous silicon film 4 is formed on the amorphous silicon film 2 through an insulation film 3. - 特許庁

チャネル保護膜下以外の領域における真性アモルファスシリコンからなる半導体層の深さ方向にリンイオンを低加速電圧で十分に注入する。例文帳に追加

To sufficiently implant sulfuric ions at a low acceleration voltage in the depth direction of a semiconductor layer of intrinsic amorphous silicon, in a region other than a channel protective film. - 特許庁

層間絶縁膜１０上に位置するアモルファスシリコン膜１４にリンイオンが注入されることによって、結晶粒の成長が妨げられて、凹凸を有しないポリシリコン膜が形成される。例文帳に追加

The implantation of the phosphorus ions into the amorphous silicon film 14 prevents the growth of crystal grains to form a polysilicon film having no bumps and dips. - 特許庁

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。例文帳に追加

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented. - 特許庁

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。例文帳に追加

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed. - 特許庁