「リンイオン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、ウェハ裏面の（１１０）面に対して垂直にリンイオンを注入して、フィールドストップ層３１となる深い拡散層を形成する。例文帳に追加

Phosphorous ions are injected vertically to the surface (110) of the rear surface of the wafer to form the deep diffusion layer becoming the field stop layer 31. - 特許庁

比較のために、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行なったところ、点線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する比較品が得られた。例文帳に追加

For comparison, the phosphorus ions are implanted on the polysilicon thin film at the high concentration, next, they are implanted on the polysilicon thin film at the low concentration, and then the inventive product having Vg-Id characteristics shown in a dotted line can be obtained by activating them by furnace annealing treatment. - 特許庁

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere. - 特許庁

半導体基板１１上のゲート電極１３をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にリンイオン及びヒ素イオンを導入する。例文帳に追加

Phosporus ions and arsenic ions are implanted on the surface layer of a semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by a gate electrode 13 on the semiconductor wafer 11. - 特許庁

レジストパターン５をマスクとして反射防止膜４をエッチングした後、レジストパターン５とエッチングされた反射防止膜４とにリンイオンを注入する。例文帳に追加

The antireflection film 4 is etched using the resist pattern 5 as a mask and phosphorus ions are implanted into the resist pattern 5 and the etched antireflection film 4. - 特許庁

ガラス基板１上に、アルゴン元素あるいは、リンイオン及びホウ素イオンを含有する非晶質シリコン膜２を形成し、この非晶質シリコン膜２上に、絶縁膜３を介して非晶質のシリコン膜４を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 2 containing argon element or phosphorus ion and boron ion is formed on a glass substrate 1, and an amorphous silicon film 4 is formed on the amorphous silicon film 2 through an insulation film 3. - 特許庁

チャネル保護膜下以外の領域における真性アモルファスシリコンからなる半導体層の深さ方向にリンイオンを低加速電圧で十分に注入する。例文帳に追加

To sufficiently implant sulfuric ions at a low acceleration voltage in the depth direction of a semiconductor layer of intrinsic amorphous silicon, in a region other than a channel protective film. - 特許庁

層間絶縁膜１０上に位置するアモルファスシリコン膜１４にリンイオンが注入されることによって、結晶粒の成長が妨げられて、凹凸を有しないポリシリコン膜が形成される。例文帳に追加

The implantation of the phosphorus ions into the amorphous silicon film 14 prevents the growth of crystal grains to form a polysilicon film having no bumps and dips. - 特許庁

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。例文帳に追加

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented. - 特許庁

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。例文帳に追加

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed. - 特許庁

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。例文帳に追加

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation. - 特許庁

Ｐ型Ｓｉ基板１上の高速用ＨＢＴの形成領域Ａに高濃度のリンイオンを注入した後、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化膜３を形成する。例文帳に追加

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1. - 特許庁

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。例文帳に追加

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate. - 特許庁

そして、チャネル保護膜２５をマスクとしてリンイオンを加速電圧１０〜１５ｋｅＶ程度の低加速電圧で注入し、チャネル保護膜２５下以外の領域における半導体層２４をｎ^+シリコン層２７とする。例文帳に追加

Sulfuric ions are implanted at a low acceleration voltage such as 10-15 keV with the channel protective film 25 as a mask and a semiconductor layer such as in a region other than under the channel protective film 25 is an n+ silicon layer 27. - 特許庁

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。例文帳に追加

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D. - 特許庁

水中に溶解した硝酸態窒素イオン、リンイオン並びに水中の浮遊固体を水生植物によって吸収、吸着除去する装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a device which absorbs, adsorbs, and removes nitrate nitrogen ions and phosphorus ions dissolved in water and suspended solids in water by an aquatic plant. - 特許庁

また、リンイオン２１を、Ｐ型領域形成位置９では注入マスク用絶縁膜１３に留まり、Ｎ型領域形成位置１１ではＳＯＩ層５に留まる条件で注入する。例文帳に追加

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11. - 特許庁

この条件では、リンイオンは、低耐圧のＮＭＯＳ領域では基板に注入されるが、高耐圧のＰＭＯＳ領域では、厚いゲート酸化膜５ｂ中に止まり、シリコン基板１に達しない。例文帳に追加

For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1. - 特許庁

少なくともバインダ、着色剤及び赤外光吸収剤を含有するカラートナーにおいて、前記赤外光吸収剤を構成する陰イオンとして、トルエンスルホン酸イオン（Ｃ_６Ｈ_４（ＣＨ_３）ＳＯ_３^−）、硝酸イオン（ＮＯ_３^−）又はヘキサフルオロリンイオン（ＰＦ_６^−）を含むものである。例文帳に追加

In the color toner containing at least a binder, a colorant and an infrared light absorbent, a toluenesulfonate ion (C6H4(CH3)SO3-), a nitrate ion (NO3-) or a hexafluorophosphate ion (PF6-) is contained as an anion constituting the infrared light absorbent. - 特許庁

電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing an NiP nonmagnetic plating film by an electroplating process is characterized in that plating is performed using an NiP plating liquid containing a reagent to form into a feeding source of nickel ions and a reagent to form into a feeding source of phosphorous ions, and a reagent having carboxyl groups. - 特許庁

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。例文帳に追加

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B. - 特許庁

次にポリシリコン膜２，４をレジスト７を覆い、ポリシリコン膜３のみに、低濃度のＰ（リン）イオンをドープし、画素・サンプリングｎ−ｃｈＴＦＴの閾値電圧をＣＭＯＳトランジスタのｎ−ｃｈＴＦＴの閾値電圧よりも低く設定する。例文帳に追加

Then the polysilicon films 2, 4 are covered with a resist 7 and only the polysilicon film 3 is doped with low concentration P (phosphorus) ion so as to control the threshold voltage of the pixel sampling n-chTFT to be lower than the threshold voltage of the n-chTFT of the CMOS transistor. - 特許庁

電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタ８０、９０を形成した後、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、およびシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜７を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。例文帳に追加

Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition. - 特許庁

カルシウム化合物および／またはマグネシウム化合物を添加し、少なくとも一部が接触している鉄材および炭素材とからなる浄化手段を浸漬させることにより、カルシウムイオンおよび／またはマグネシウムイオンの存在下で、該産業排液の電気導電性を高めつつ、鉄イオンの溶出を促進させ、上記着色した産業排液を脱色すると共にリンイオンを除去する。例文帳に追加

The colored industrial wastewater is decolored while the phosphorus ion is removed therefrom by adding a calcium compound and/or a magnesium compound to the industrial wastewater and immersing therein a purification means comprising an iron material and a carbon material, both of which are at least partly in contact with one another to promote the elution of an iron ion by enhancing the electric conductivity of the wastewater due to the presence of the calcium ion and/or the magnesium ion. - 特許庁

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。例文帳に追加

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16. - 特許庁