レジデンスの英語

上記課題は，予約状況把握部（２）と，レジデンスカー提供情報把握部（３）と，キャンセル信号出力部（４）とを具備するレジデンスカーの管理システム（１）を用いて，平常時には複数のレジデンスカーをレンタルさせ，災害発生時には前記レジデンスカーを災害地へ向かわせ，前記レジデンスカーを災害救済のための住居として提供することにより解決される。例文帳に追加

Using a residence car management system (1) provided with a section (2) for grasping a reservation situation, a section (3) for grasping information relating to provision of the residence cars, and a section (4) for outputting a cancel signal, the plurality of residence cars are rented usually and sent to the disaster area when the disaster strikes such that the residence cars are provided as the residences for disaster relief. - 特許庁

プロセスガスのレジデンスタイムを制御し、所望のプロセス性能が得られる真空処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum treatment apparatus which controls the residence time of a process gas to obtain the desired process performance. - 特許庁

チャンバ１０内の圧力を制御する圧力制御用オリフィス１３と、その駆動部であるオリフィス駆動部１８と、チャンバ１０内の圧力を検出する圧力計１８と、真空排気装置２０とを備える真空処理装置において、チャンバ１０内のガスのレジデンスタイムを制御するレジデンスタイム制御用可変オリフィスを、排気管１１とチャンバ１０の接続部に配置し、チャンバ１０内の圧力とレジデンスタイムとを独立して制御する。例文帳に追加

This treatment apparatus comprises an orifice 13 for controlling pressure in a chamber 10, an orifice drive 18 which is a driving part for the orifice, a pressure gage 19 for detecting the pressure in the chamber 10, and a vacuum evacuation apparatus 20. - 特許庁

財団法人京都市芸術文化協会が運営を委託され、芸術活動支援、芸術に関する情報の収集・発信、「アーティスト・イン・レジデンスプログラム」実施、芸術家と市民の交流促進などを行っている。例文帳に追加

Its operation, entrusted to the Kyoto City association for art and culture, includes activities such as supporting art-related artivities, collecting and sending out information, executing 'Artist In Rsidence Programs' and promoting interactions between artists and other local people are carried out.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。例文帳に追加

When a substrate W to be processed which has the amorphous carbon film is mounted in a processing container 10 and the amorphous carbon film is plasma-etched using an inorganic film as a mask, an O_2 gas is used as an etching gas, and supplied at a residence time of ≤0.37 msec in the processing container, thereby plasma-etching the amorphous carbon film. - 特許庁

レジストアッシング時に、アッシャー装置のプラズマ中の水素量Ｘとその他の元素量Ｙとの比Ｚが６．４×１０^-2以下となる条件で処理し、或いはアッシング中の酸素ラジカル発光強度と水素ラジカルの発光強度の比が１．８０以下となるように処理し、あるいはプラズマプロセス中の水素のレジデンスタイムを０．０８(sec)以下となる条件で処理する。例文帳に追加

Resist ashing is performed under such conditions as the ratio Z between the quantity of hydrogen X and the quantity of other elements Y in the plasma of an ashing system does not exceed 6.4×10-2 or the ratio of emission intensity between oxygen radicals and hydrogen radicals under ashing does not exceeds 1.80 or the residence time of hydrogen in the plasma process does not exceeds 0.08 sec. - 特許庁