不純物の活性化エネルギーの英語

不純物が注入された半導体表層から内層にかけて活性化する際に、前記表層が溶融しないエネルギー密度でレーザ光を照射して該表層側を活性化し、その後、前記表層が溶融しない、より高いエネルギー密度でレーザ光を照射して前記内層側を活性化する。例文帳に追加

When activating from a semiconductor surface layer into which an impurity is implanted to an internal layer, laser beams are irradiated at an energy density which does not fuse the surface layer to activate the surface layer side. - 特許庁

ガラス基板上に形成された半導体薄膜の不純物注入領域を活性化のためのレーザビームをガラス基板の下面側から照射しても、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができるようにする。例文帳に追加

To obtain sufficient energy necessary for activating an impurities injection region of a semiconductor film formed on a glass substrate even if a laser beam for the activation is applied from the bottom side of the substrate. - 特許庁

有機高分子基板１上に形成した半導体層３に不純物を導入し、有機高分子基板１におけるエネルギー吸収がその有機高分子基板１に損傷を与えない程度に低い、たとえばＡｒイオンレーザーや銅蒸気レーザーなどのエネルギービームを半導体層３に照射して半導体層３の不純物を活性化する。例文帳に追加

An impurity is doped into the semiconductor layer 3 formed on the organic polymer substrate 1, and the impurity of the semiconductor layer 3 is activated by irradiating the semiconductor layer 2 with an energy beam, such as from Ar ion laser or copper vapor laser, of which energy absorption at the organic polymer substrate 1 is low such as not to give damages to such an organic polymer substrate 1. - 特許庁

不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。例文帳に追加

It is possible for doping of impurities to suppress reduction of carrier mobility by localizing the high concentration doped regions 20 while reducing activation energy for generating carriers. - 特許庁

耐熱性、耐水性、透明性、硬度等に優れ、しかも不純物による問題のない硬化膜を形成し得る活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an active energy ray-curable resin composition capable of forming a cured film superior in heat resistance, water resistance, transparency and hardness, and without a problem due to impurity. - 特許庁

このようにして、前記半導体膜において実効的なエネルギー密度を高くすることで、結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。例文帳に追加

This way, effective energy density in the semiconductor film can be raised, so it becomes possible to perform the recovery of crystal properties and the activation of impurity elements. - 特許庁

本発明は、照射面におけるエネルギー密度の分布が均一なレーザ光を形成するためのレーザ照射装置およびそれを用いるレーザ照射方法を提供し、このようなレーザ照射方法により、半導体膜の結晶化や不純物元素の活性化を行って得られた半導体膜を用いて半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a laser irradiation device for emitting laser light having a uniform distribution of energy density on an irradiated surface and a laser irradiating method used for the device and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using a semiconductor film obtained by the crystallization of a semiconductor film or the activation of impurity elements by such a laser irradiating method. - 特許庁