中間エネルギー電子の英語

陽子、中間子、中性子、電子の軌道エネルギーと引力及び電子例文帳に追加

ORBITAL ENERGY AND ATTRACTIVE FORCES AMONG OF PROTON, MESON, NEUTRON AND ELECTRON, AND ELECTRON - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。例文帳に追加

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector. - 特許庁

中間転写ベルトのインピーダンス変動に影響されず、低い電圧で転写を行うことができ、感光体ドラムと中間転写ベルトとの衝突エネルギーを吸収することができるカラー電子写真装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a color electrophotographic device capable of performing transfer at low voltage without being influenced by the fluctuation of the impedance of an intermediate transfer belt and absorbing collision energy between a photoreceptor drum and the intermediate transfer belt. - 特許庁

これらの層の側面に、価電子帯のエネルギー準位が、第１ｐ−InPクラッド層４よりも大きく、InGaAsP活性層３よりも小さいInGaAsP中間層７を設けた構造とする。例文帳に追加

Side faces of these layers are configured to provide an InGaAsP intermediate layer 7 in which an energy level of a valence band is greater than the first p-InP clad layer 4 and smaller than the InGaAsP active layer 3. - 特許庁

キャリアが正孔の場合は、前記底部絶縁膜はその価電子帯頂面に関して該中間膜に接する側を該第１の半導体領域に接する側よりエネルギーの高い電子構造とすることにより、前記離散化したキャリア捕獲サイトからの正孔の放出を容易とする。例文帳に追加

When the carrier is a positive hole, an electronic structure is provided in which regarding a valence band top, the bottom insulating film has one side making contact with the intermediate film with higher energy than the other side making contact with the first semiconductor area, so that the positive hole is readily released from the discrete carrier trap site. - 特許庁

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。例文帳に追加

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented. - 特許庁

スリット８は、前段の扇形磁場６，７と後段の扇形磁場９，１０の中間部の鏡対称面に配置され、前段の扇形磁場で第１集束レンズのクロスオーバから発散した電子ビームの異なるエネルギーを制限する。例文帳に追加

The slit 8 is arranged on a mirror-symmetry plane in the intermediate part between the sector magnetic fields 6, 7 in the fore stage and the sector magnetic fields 9, 10 in the rear stage, and limits various energy of electron beams diverged from the crossover of the first condenser lens in the sector magnetic field in the fore stage. - 特許庁